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公开(公告)号:CN117637718A
公开(公告)日:2024-03-01
申请号:CN202310908447.8
申请日:2023-07-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L25/18 , H01L23/482 , H01L23/535 , H01L23/48 , H01L23/52
Abstract: 一种半导体封装件包括:基底衬底;第一半导体芯片,其安装在基底衬底上;以及第二半导体芯片,其安装在第一半导体芯片上。第一半导体芯片包括在第一方向上具有第一间距间隔并且在第二方向上具有第二间距间隔的第一导电连接结构,并且第二半导体芯片包括在第一方向上具有第一间距间隔并且在第二方向上具有第二间距间隔的第二导电连接结构。第一导电连接结构包括第一电力连接结构、第一接地连接结构和第一虚设结构。第一接地连接结构或第一虚设结构位于第一电力连接结构中的在第一方向上相邻的两个第一电力连接结构之间以及在第二方向上相邻的两个第一电力连接结构之间。
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公开(公告)号:CN1766701A
公开(公告)日:2006-05-03
申请号:CN200510117013.8
申请日:2005-10-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/124 , H01L29/4908
Abstract: 本发明提供了一种导电结构,其包括金属层和阻挡层。金属层位于绝缘体上。阻挡层覆盖金属层的上面和侧面,阻挡层包括熔点高于绝缘体的玻璃转化温度的材料。
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公开(公告)号:CN105633063B
公开(公告)日:2021-02-05
申请号:CN201510813432.9
申请日:2015-11-23
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor: 李仁
IPC: H01L25/065
Abstract: 提供了半导体封装件及其制造方法。半导体封装件包括:第一半导体芯片,具有第一电路图案;第二半导体芯片,设置在第一半导体芯片上且设置有第二电路图案;以及第一连接结构和第二连接结构,贯穿第一半导体芯片和第二半导体芯片。第一连接结构电连接到第一电路图案,并且可以与第二电路图案电分离。第二连接结构与第一电路图案电分离,并且可以电连接到第二电路图案。
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公开(公告)号:CN104795386A
公开(公告)日:2015-07-22
申请号:CN201510023464.9
申请日:2015-01-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L23/48
Abstract: 本发明提供了一种包括阶梯式堆叠的芯片的半导体封装件,该半导体封装件包括:封装衬底;并排安装在封装衬底上的第一芯片堆叠件和第二芯片堆叠件,其中,第一芯片堆叠件和第二芯片堆叠件各自包括堆叠在封装衬底上的多个半导体芯片,其中,所述多个半导体芯片中的每一个包括设置在其对应的边缘区上的多个接合焊盘,其中,所述多个接合焊盘中的至少一些是功能性接合焊盘,并且其中,功能性接合焊盘占据的区实质上小于整个所述对应的边缘区。
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公开(公告)号:CN1897097A
公开(公告)日:2007-01-17
申请号:CN200610098472.0
申请日:2006-07-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G09G3/3685 , G09G2300/0426
Abstract: 本发明公开了一种驱动电路,其包括半导体基板、电极端和传导突起。电极端位于半导体基板上并包括在电极端的上表面上的表面增加部,以增加电极端的表面积。表面增加部具有不同的尺寸或具有相同的尺寸。传导突起覆盖表面增加部。因此,通过减小电极端和显示面板的信号线之间的接触电阻来改善显示装置的图像显示质量。
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公开(公告)号:CN105633063A
公开(公告)日:2016-06-01
申请号:CN201510813432.9
申请日:2015-11-23
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor: 李仁
IPC: H01L25/065
Abstract: 提供了半导体封装件及其制造方法。半导体封装件包括:第一半导体芯片,具有第一电路图案;第二半导体芯片,设置在第一半导体芯片上且设置有第二电路图案;以及第一连接结构和第二连接结构,贯穿第一半导体芯片和第二半导体芯片。第一连接结构电连接到第一电路图案,并且可以与第二电路图案电分离。第二连接结构与第一电路图案电分离,并且可以电连接到第二电路图案。
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公开(公告)号:CN1897097B
公开(公告)日:2010-05-12
申请号:CN200610098472.0
申请日:2006-07-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G09G3/3685 , G09G2300/0426
Abstract: 本发明公开了一种驱动电路,其包括半导体基板、电极端和传导突起。电极端位于半导体基板上并包括在电极端的上表面上的表面增加部,以增加电极端的表面积。表面增加部具有不同的尺寸或具有相同的尺寸。传导突起覆盖表面增加部。因此,通过减小电极端和显示面板的信号线之间的接触电阻来改善显示装置的图像显示质量。
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公开(公告)号:CN100516986C
公开(公告)日:2009-07-22
申请号:CN200510117013.8
申请日:2005-10-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/124 , H01L29/4908
Abstract: 本发明提供了一种导电结构,其包括金属层和阻挡层。金属层位于绝缘体上。阻挡层覆盖金属层的上面和侧面,阻挡层包括熔点高于绝缘体的玻璃转化温度的材料。
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公开(公告)号:CN104795386B
公开(公告)日:2019-08-16
申请号:CN201510023464.9
申请日:2015-01-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L23/48
Abstract: 本发明提供了一种包括阶梯式堆叠的芯片的半导体封装件,该半导体封装件包括:封装衬底;并排安装在封装衬底上的第一芯片堆叠件和第二芯片堆叠件,其中,第一芯片堆叠件和第二芯片堆叠件各自包括堆叠在封装衬底上的多个半导体芯片,其中,所述多个半导体芯片中的每一个包括设置在其对应的边缘区上的多个接合焊盘,其中,所述多个接合焊盘中的至少一些是功能性接合焊盘,并且其中,功能性接合焊盘占据的区实质上小于整个所述对应的边缘区。
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公开(公告)号:CN102044533A
公开(公告)日:2011-05-04
申请号:CN201010513189.6
申请日:2010-10-15
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor: 李仁
IPC: H01L25/065 , H01L23/31 , H01L21/98
CPC classification number: H01L23/3121 , H01L23/16 , H01L23/495 , H01L23/49575 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L25/0657 , H01L2224/05554 , H01L2224/1134 , H01L2224/13016 , H01L2224/13099 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45012 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/4813 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2224/83101 , H01L2224/83139 , H01L2224/8314 , H01L2224/83191 , H01L2224/83194 , H01L2224/838 , H01L2224/92247 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06562 , H01L2225/06575 , H01L2924/0001 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/0781 , H01L2924/10161 , H01L2924/12044 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明提供了一种多芯片封装及其制造方法。该半导体封装包括:至少一个半导体芯片,其安装于电路板,与所述电路板分开预定距离;以及支撑件,其位于所述电路板与所述第一半导体芯片之间,支撑所述第一半导体芯片。所述支撑件具有相对于所述电路板固定的第一端部和第二端部,以及中心部,所述中心部在所述第一端部和所述第二端部之间,以与所述第一半导体芯片接触。
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