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公开(公告)号：CN118360583A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410349572.4
申请日：2024-03-26
Applicant: 云南贵金属实验室有限公司 , 昆明贵金属研究所
Abstract: 本发明公开了一种溅射靶材刻蚀跑道的测量方法，包括：采用带有三维拍摄模式的共聚焦显微镜拍摄溅射后的靶材溅射表面径向图像；使用图像处理软件处理拍摄得到的三维图像，依次进行校平、填充、提取剖面等步骤，得到靶材刻蚀跑道的轮廓曲线；对轮廓曲线进行距离、高度、面积等几何测量，得到跑道最大宽度、跑道中心处圆周直径、溅射截面面积、跑道最深处高度以及靶材溅射刻蚀体积等几何尺寸参数。由于采用共聚焦显微镜进行拍摄测量，具有操作便捷、图像形态细节清晰等优点，能够得到靶材溅射刻蚀表面的三维真彩图像，测量时对靶材溅射表面不会造成任何破坏，尤其适用于4英寸及以下小尺寸靶材的溅射刻蚀跑道及几何尺寸参数的微米级测量。
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公开(公告)号：CN118543948A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410685178.8
申请日：2024-05-30
Applicant: 贵研先进新材料(上海)有限公司 , 昆明贵金属研究所 , 云南贵金属实验室有限公司
Abstract: 本发明公开了一种镍钒合金靶材的绑定方法，属于溅射靶材技术领域。本发明通过对镍钒合金的焊接端面依次进行机械加工、表面纳米化和电解抛光处理，然后将处理后的镍钒合金与铜或铜背板进行扩散焊连接。本发明所述方法能有效提高靶材的绑定性能，提升靶材的成品率。同时，在扩散焊接时，焊接温度比现有技术的温度大大降低，从而能在几乎不改变镍钒合金结构的条件下实现靶材与背板的有效连接。
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公开(公告)号：CN118926549A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411054584.0
申请日：2024-08-02
Applicant: 上海交通大学 , 云南贵金属实验室有限公司
IPC: B22F10/28 , B22F10/366 , B22F10/85 , B33Y10/00 , G01N21/88
Abstract: 本发明公开了一种纯银块体的增材制造和缺陷优化方法，包括：对基板进行打磨和清洗，保证基板表面选定增材区域洁净；采用气体雾化制粉的方式制备纯Ag粉末；采用红外波段激光束，在氩气的保护下按照设定样品尺寸在基板选定区域对Ag粉末进行激光粉末床熔合处理，通过调整工艺参数控制和减少样品内部缺陷，得到纯银块体；对纯银块体进行金相制样，采用Image‑J软件对纯银块体进行表面缺陷分析。本发明采用L‑PBF打印纯银材料，通过优化调整激光功率、激光扫描速度和扫描道间距等改善打印制品的致密度，减少其缺陷含量，同时银靶采用气体雾化制粉制得，减少加工余料，提升靶材品质的同时降低靶材生产成本。
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公开(公告)号：CN118996182A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411106859.0
申请日：2024-08-13
Applicant: 云南贵金属实验室有限公司 , 云南省贵金属新材料控股集团股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种磁控溅射用高致密钌铬合金靶材及其制备方法，属于磁控溅射用合金靶材技术领域。本发明通过将金属钌粉与铬粉依次进行球磨混合、在氢气氛围下热处理及高真空下煅烧、预压制、放电等离子烧结和低压烧结相结合得到磁控溅射用高致密钌铬合金靶材，有效降低混合粉末中的C、O等杂质的含量，提高靶材的纯度；而且靶材的微观组织均匀、晶粒尺寸细小、致密度高，避免热等静压烧结过程中模具中C在长时间高温烧结过程中向钌铬合金的扩散，从而保障了钌铬合金的高致密度并成功解决了粉末冶金工艺制备靶材中C、O杂质较高的难题。
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公开(公告)号：CN118875285A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411113855.5
申请日：2024-08-14
Applicant: 云南省贵金属新材料控股集团股份有限公司 , 云南贵金属实验室有限公司 , 昆明贵研新材料科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高纯钌基合金靶材的制备方法，属于钌基合金靶材的制备技术领域。所述制备方法包括如下步骤：将氯钌酸铵和其他合金化元素球形颗粒(钽、铬、钨)进行球磨处理，使得氯钌酸铵包覆在合金化元素球形颗粒表面，有利于降低真空热压烧结温度并提高钌基合金靶材的致密度；接着将氯钌酸铵包覆合金化元素的复合粉末进行煅烧及还原处理，有利于调控钌基合金靶材的微观结构；最后将包含纯钌和合金颗粒的复合粉末进行真空热压烧结，得到钌基合金靶材坯料。本发明实现了对于高纯钌基合金靶材致密度的提高和微观结构的有效调控，降低了制备工艺复杂程度及成本，所制备的钌基合金靶材的服役性能得到了改善。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119282115A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411352215.X
申请日：2024-09-26
Applicant: 云南贵金属实验室有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高纯超低氧含量钌钽合金靶材及其制备方法，属于磁控溅射合金靶材技术领域。本发明包括(1)混粉；(2)低压预压制；(3)高真空煅烧；(4)热等静压烧结；(5)打磨抛光。通过本发明制备方法制备得到纯度≥99.995％、氧含量≤20ppm的钌钽合金靶材，使得钌钽合金靶材作为扩散阻挡层材料使用时，具备较低电阻，同时阻挡性能较为优异，从而提高扩散阻挡层薄膜性能。
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公开(公告)号：CN119020627A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411106211.3
申请日：2024-08-13
Applicant: 云南贵金属实验室有限公司 , 云南省贵金属新材料控股集团股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种超细晶钌铬合金靶材及其制备方法，属于磁控溅射用合金靶材技术领域。本发明通过将金属钌粉与铬粉依次进行球磨混合、在氢气氛围下热处理、预压制、放电等离子烧结、打磨抛光得到超细晶钌铬合金靶材，实现了烧结时间短、成本低，有效细化钌铬合金晶粒，并且抑制第二相Cr2Ru和Cr3Ru的形成，使得超细晶钌铬合金靶材的物相纯净。
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公开(公告)号：CN117570861A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311544426.9
申请日：2023-11-20
Applicant: 云南贵金属实验室有限公司 , 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种金属薄膜厚度无损测量方法。本发明首先将光刻胶涂抹在清洗干净后的待镀膜基底上，基底表面部分被光刻胶覆盖，胶覆盖面积及厚度均无特殊要求，胶固化后覆盖膜边缘为平直线；然后在带有部分覆盖膜的基底上沉积金属薄膜；最后将镀膜后的基底置于酒精中超声清洗，除去覆盖膜及上面的金属薄膜，露出未镀膜的基底，采用原子力显微镜(AFM)测量未镀膜基底与金属薄膜高度差，这一差值即为金属膜厚度。上述金属薄膜厚度测量方法具有快速、便捷的特点，制得薄膜台阶截面光滑，对基底和薄膜均不会产生破坏，测量得到膜厚精确度高。
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公开(公告)号：CN118357461A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410465239.X
申请日：2024-04-18
Applicant: 云南贵金属实验室有限公司 , 云南省贵金属新材料控股集团股份有限公司
IPC: B22F3/14 , C23C14/35 , B22F9/04 , B22F1/145 , B22F1/142 , B22F3/02 , C22C5/04 , C22C32/00 , C22C1/05 , C22C1/059
Abstract: 本发明公开了一种铁铂基靶材坯料的制备方法，包括：1)先通过纯铂粉和纯铁粉进行高能球磨增加两者表面缺陷程度，有利于提高烧结阶段铁铂之间的合金化进程；2)添加第三组分粉体与铁铂粉体进行二次均匀化球磨，作为隔离剂使烧结过程中能产生完全相互隔离的铁铂晶粒；3)对混合粉体进行通氢还原降低其表面氧含量；4)利用冷压成型与热压相结合的方式实现铁铂靶材坯料微观结构可控性制备。本发明实现了对于铁铂基靶材坯料致密度的提高、含氧量降低和微观结构的可控性制备，提高了所制备铁铂靶材的服役性能。
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公开(公告)号：CN117773139A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311669325.4
申请日：2023-12-07
Applicant: 贵研铂业股份有限公司 , 云南贵金属实验室有限公司
Abstract: 本发明公开了一种信息存储用高纯球形钌粉的制备方法，所述高纯球形钌粉先由氯钌酸或氯钌酸盐溶液、选择性沉淀剂、稀散剂制得高纯球形钌前驱体沉淀，再经热分解反应、氢氛围脱氧、酸煮纯化工艺制备获得。所述高纯钌粉形貌为球形，纯度≥99.999％，流散性及均一性好，平均粒径＜5μm，可用于信息存储用高纯钌及其合金靶材用高纯钌粉及其合金靶材原料。
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