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公开(公告)号：CN117570861A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311544426.9
申请日：2023-11-20
Applicant: 云南贵金属实验室有限公司 , 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种金属薄膜厚度无损测量方法。本发明首先将光刻胶涂抹在清洗干净后的待镀膜基底上，基底表面部分被光刻胶覆盖，胶覆盖面积及厚度均无特殊要求，胶固化后覆盖膜边缘为平直线；然后在带有部分覆盖膜的基底上沉积金属薄膜；最后将镀膜后的基底置于酒精中超声清洗，除去覆盖膜及上面的金属薄膜，露出未镀膜的基底，采用原子力显微镜(AFM)测量未镀膜基底与金属薄膜高度差，这一差值即为金属膜厚度。上述金属薄膜厚度测量方法具有快速、便捷的特点，制得薄膜台阶截面光滑，对基底和薄膜均不会产生破坏，测量得到膜厚精确度高。
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公开(公告)号：CN117921021A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311669336.2
申请日：2023-12-07
Applicant: 贵研铂业股份有限公司 , 云南贵金属实验室有限公司
Abstract: 本发明公开了一种从铱残靶及其机加工废料中回收制备高纯铱粉的方法，包括如下步骤：(1)铱残靶及其机加工废料预处理；(2)混碱液化；(3)氧化造液；(4)选择性晶化；(5)热分解+高温氢氛围脱氧；(6)酸煮除杂。通过本发明可实现铱残靶及其机加工废料中回收提纯高纯铱粉，粉末粒径小于5μm，纯度大于99.999％，粉末均匀性较好，可用作信息存储用铱溅射靶材原料。
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公开(公告)号：CN117606330A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311600340.3
申请日：2023-11-28
Applicant: 云南贵金属实验室有限公司 , 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种带背板的平面溅射靶材使用寿命的预估方法，主要针对整体原始厚度较薄、分离解绑后容易产生翘曲、靶材边缘不溅射或几乎不溅射的带背板的平面溅射靶材。具体方法是通过升温的方式分离溅射靶材与背板，通过模具硅胶确定溅射靶材最深溅射轨道，以所测边缘厚度最大值与所测最深溅射轨道厚度最小值的差值即最大厚度差作为溅射最大消耗厚度，以此为参考，预估剩余最小厚度消耗完的溅射功耗，进而预估溅射靶材使用寿命。本发明的方法操作简单，适合无三坐标仪、三维扫描仪等精密测量仪器的厂家操作，为带背板的平面靶材使用寿命的预估提供指导，保证溅射靶材的使用安全。
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公开(公告)号：CN116626157A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310430584.5
申请日：2023-04-21
Applicant: 云南贵金属实验室有限公司 , 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种弧形面焊接型靶材的焊合率超声波检测方法，所述的检测步骤包括：将焊接型靶材放入旋转圆形卡盘上卡紧，确保靶材和探头均浸泡在超纯水中，且靶面和探头表面无气泡干扰；设置靶材起点、终点和原心及扫查行程，始终保持探头与靶面垂直；设置增益从起点开始，卡盘驱动轴W轴旋转一周后X、Z、A轴同时步进一次，依次循环，直至终点扫查结束；并根据其结果确定未焊合区域面积并计算焊合率。该方法可用于圆盘状球面、或环形弧面的焊接型靶材的无损检测，操作简单易行、准确性和效率较高。
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公开(公告)号：CN117620231A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311645317.6
申请日：2023-12-04
Applicant: 云南贵金属实验室有限公司 , 贵研铂业股份有限公司
IPC: B23B5/00 , B23B31/103 , B23B1/00
Abstract: 本发明公开了一种碗形靶材的机加工辅助工装及加工方法，该工装包括碗形弹性组件、内撑件及紧固螺栓；碗形弹性组件外侧面呈一定锥度，其大直径端中心区域下凹，内侧壁与外侧锥度相同，沿着其外边缘均分有数条沟槽；内撑件呈锥台状；紧固螺栓穿过碗形弹性组件中心过孔并紧固内撑件，使得碗形弹性组件向外扩张并夹持住碗形靶坯。加工方法包括：靶坯与工装装配，工装将碗形靶坯的内壁撑住；对已装配夹具的碗形靶坯进行装夹，外表面车削加工；靶坯反向装夹，内表面车削加工，对碗底内侧的弧形采用类双曲线的平滑过程方式进行加工。该方法不仅简单易操作、加工效率高、用料节约，而且加工的碗形靶材具有尺寸精度高、壁厚均匀、表面粗糙度小等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117773139A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311669325.4
申请日：2023-12-07
Applicant: 贵研铂业股份有限公司 , 云南贵金属实验室有限公司
Abstract: 本发明公开了一种信息存储用高纯球形钌粉的制备方法，所述高纯球形钌粉先由氯钌酸或氯钌酸盐溶液、选择性沉淀剂、稀散剂制得高纯球形钌前驱体沉淀，再经热分解反应、氢氛围脱氧、酸煮纯化工艺制备获得。所述高纯钌粉形貌为球形，纯度≥99.999％，流散性及均一性好，平均粒径＜5μm，可用于信息存储用高纯钌及其合金靶材用高纯钌粉及其合金靶材原料。
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公开(公告)号：CN116875952A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310839299.9
申请日：2023-07-10
Applicant: 云南贵金属实验室有限公司 , 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种低氧高密度Ru溅射靶材、制备方法及其用途，该溅射靶材氧含量小于50ppm，表面粗晶层厚度小于50um，平均晶粒尺寸2‑8微米，晶界处孔洞呈近球形，直径小于1um，靶材相对密度大于理论密度的99％。制备方法以具有形貌和粒径分布可控的高纯钌粉为原料，通过真空热压烧结法制备钌靶材；通过对真空度控制、加压烧结获得靶材坯料，最终获得具有低氧高密度且具有良好机加工性能的溅射靶材。本发明通对粉末形貌和粒径分布以及真空热压烧结工艺的控制，改善了钌靶氧含量高、表面粗晶层厚、致密度低、机加工性能差等缺点，获得低氧含量和高致密度且加工性能好的溅射靶材，避免常规热压烧结工艺制备的靶材加工困难的缺点。
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公开(公告)号：CN119216579A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411352497.3
申请日：2024-09-26
Applicant: 云南贵金属实验室有限公司
IPC: B22F3/105 , B22F3/14 , B22F3/24 , B22F9/04 , B22F3/10 , C23C14/35 , C22C1/04 , C22C5/04 , C22C27/02
Abstract: 本发明公开了一种超高致密细晶粒钌钽合金靶材及其制备方法，属于合金靶材制备技术领域。本发明包括(1)混粉；(2)低压预压制；(3)氢气还原；(4)放电等离子烧结；(5)低压烧结；(6)精密机加工。通过本发明制备得到的钌钽合金靶材致密度可以达到99.8％以上，靶材晶粒度可以达到5μm以下，具有较为优异的磁控溅射技术适应性，为后续磁控溅射技术制备集成电路用薄膜提供优异基础，使得制备得到的集成电路用薄膜具有较为优异的性能。
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公开(公告)号：CN119144924A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411283868.7
申请日：2024-09-13
Applicant: 云南省贵金属新材料控股集团股份有限公司 , 云南贵金属实验室有限公司
Abstract: 本发明公开了一种钨钛合金靶材的制备方法及应用，属于集成电路扩散阻挡层用靶材技术领域。所制备的钨钛合金靶材气体含量低、晶粒尺寸细小均匀，富钛相均匀分布于富钨相中，具有高致密度和高固溶度。制备步骤包括：将高纯钨粉与钛粉进行高能球磨混粉；冷等静压成型；微波烧结；固溶处理。采用本方法制备获得的钨钛合金靶材可应用于大规模集成电路扩散阻挡层的溅射用。
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公开(公告)号：CN119282115A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411352215.X
申请日：2024-09-26
Applicant: 云南贵金属实验室有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高纯超低氧含量钌钽合金靶材及其制备方法，属于磁控溅射合金靶材技术领域。本发明包括(1)混粉；(2)低压预压制；(3)高真空煅烧；(4)热等静压烧结；(5)打磨抛光。通过本发明制备方法制备得到纯度≥99.995％、氧含量≤20ppm的钌钽合金靶材，使得钌钽合金靶材作为扩散阻挡层材料使用时，具备较低电阻，同时阻挡性能较为优异，从而提高扩散阻挡层薄膜性能。
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