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公开(公告)号：CN119020627A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411106211.3
申请日：2024-08-13
Applicant: 云南贵金属实验室有限公司 , 云南省贵金属新材料控股集团股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种超细晶钌铬合金靶材及其制备方法，属于磁控溅射用合金靶材技术领域。本发明通过将金属钌粉与铬粉依次进行球磨混合、在氢气氛围下热处理、预压制、放电等离子烧结、打磨抛光得到超细晶钌铬合金靶材，实现了烧结时间短、成本低，有效细化钌铬合金晶粒，并且抑制第二相Cr2Ru和Cr3Ru的形成，使得超细晶钌铬合金靶材的物相纯净。
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公开(公告)号：CN118996182A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411106859.0
申请日：2024-08-13
Applicant: 云南贵金属实验室有限公司 , 云南省贵金属新材料控股集团股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种磁控溅射用高致密钌铬合金靶材及其制备方法，属于磁控溅射用合金靶材技术领域。本发明通过将金属钌粉与铬粉依次进行球磨混合、在氢气氛围下热处理及高真空下煅烧、预压制、放电等离子烧结和低压烧结相结合得到磁控溅射用高致密钌铬合金靶材，有效降低混合粉末中的C、O等杂质的含量，提高靶材的纯度；而且靶材的微观组织均匀、晶粒尺寸细小、致密度高，避免热等静压烧结过程中模具中C在长时间高温烧结过程中向钌铬合金的扩散，从而保障了钌铬合金的高致密度并成功解决了粉末冶金工艺制备靶材中C、O杂质较高的难题。
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公开(公告)号：CN118989547A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411106444.3
申请日：2024-08-13
Applicant: 云南省贵金属新材料控股集团股份有限公司 , 云南贵金属实验室有限公司 , 昆明贵研新材料科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种纯钨及钨合金靶材与铜背板的绑定方法，属于金属靶材的制备技术领域。所述绑定方法包括如下步骤：首先将焊接中间层(铜箔、铝箔和镍箔)进行精细打磨和超声清洗，然后采用化学镀镍法对中间层进行镀镍膜，得到镀镍膜的中间层，有利于提高焊接阶段的镍在纯钨及钨合金靶材与铜背板之间的扩散程度；接着将纯钨及钨合金靶材和铜背板进行精细超声清洗和真空干燥，有利于降低表面氧化层对焊接强度和焊接率的影响；最后将纯钨及及钨合金靶材、镀镍膜中间层和铜背板放入热压烧结炉中进行扩散焊接，从而获得纯钨及钨合金靶材组件；热压扩散焊接相较于其他焊接方式在保证焊接强度和焊合率方面更具优势。本发明实现了对纯钨及钨合金靶材与铜背板的绑定焊接强度和焊接率的提高，焊接复杂程度及成本的降低，所制备的靶材组件的服役性能得到了改善。
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公开(公告)号：CN118875285A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411113855.5
申请日：2024-08-14
Applicant: 云南省贵金属新材料控股集团股份有限公司 , 云南贵金属实验室有限公司 , 昆明贵研新材料科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高纯钌基合金靶材的制备方法，属于钌基合金靶材的制备技术领域。所述制备方法包括如下步骤：将氯钌酸铵和其他合金化元素球形颗粒(钽、铬、钨)进行球磨处理，使得氯钌酸铵包覆在合金化元素球形颗粒表面，有利于降低真空热压烧结温度并提高钌基合金靶材的致密度；接着将氯钌酸铵包覆合金化元素的复合粉末进行煅烧及还原处理，有利于调控钌基合金靶材的微观结构；最后将包含纯钌和合金颗粒的复合粉末进行真空热压烧结，得到钌基合金靶材坯料。本发明实现了对于高纯钌基合金靶材致密度的提高和微观结构的有效调控，降低了制备工艺复杂程度及成本，所制备的钌基合金靶材的服役性能得到了改善。
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公开(公告)号：CN119144924A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411283868.7
申请日：2024-09-13
Applicant: 云南省贵金属新材料控股集团股份有限公司 , 云南贵金属实验室有限公司
Abstract: 本发明公开了一种钨钛合金靶材的制备方法及应用，属于集成电路扩散阻挡层用靶材技术领域。所制备的钨钛合金靶材气体含量低、晶粒尺寸细小均匀，富钛相均匀分布于富钨相中，具有高致密度和高固溶度。制备步骤包括：将高纯钨粉与钛粉进行高能球磨混粉；冷等静压成型；微波烧结；固溶处理。采用本方法制备获得的钨钛合金靶材可应用于大规模集成电路扩散阻挡层的溅射用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116855789A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310862518.5
申请日：2023-07-14
Applicant: 云南贵金属实验室有限公司 , 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种原位生长石墨烯增强泡沫金属骨架基复合材料的制备方法，是将泡沫金属骨架作为基体，通过化学法结合煅烧的方法在泡沫金属骨架表面原位生长石墨烯，从而制备得到原位生长石墨烯增强泡沫金属骨架基复合材料；步骤包括：1)去除泡沫金属骨架表面的杂质；2)配制含碳有机物和碳量子点的混合溶液，将泡沫金属骨架浸泡于溶液中；3)置于放电等离子烧结系统中进行热处理。本发明在泡沫金属骨架表面原位生长石墨烯，其中石墨烯的微观形貌及含量可控；溶液浸泡法结合热处理工艺可实现石墨烯在泡沫金属骨架内部孔隙中的原位生长，从而可进一步提高泡沫金属骨架的综合服役性能。
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公开(公告)号：CN119282115A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411352215.X
申请日：2024-09-26
Applicant: 云南贵金属实验室有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高纯超低氧含量钌钽合金靶材及其制备方法，属于磁控溅射合金靶材技术领域。本发明包括(1)混粉；(2)低压预压制；(3)高真空煅烧；(4)热等静压烧结；(5)打磨抛光。通过本发明制备方法制备得到纯度≥99.995％、氧含量≤20ppm的钌钽合金靶材，使得钌钽合金靶材作为扩散阻挡层材料使用时，具备较低电阻，同时阻挡性能较为优异，从而提高扩散阻挡层薄膜性能。
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公开(公告)号：CN116970853A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310862536.3
申请日：2023-07-14
Applicant: 云南贵金属实验室有限公司 , 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种钨钛靶材坯料的制备方法，包括：1)先通过纯钨粉体和纯钛粉体进行高能球磨增加两者表面缺陷程度，有利于提高烧结阶段的钨钛之间的扩散程度；2)对钨钛混合粉体进行通氢还原降低其表面氧含量；3)添加氢化钛粉体与钨钛混合粉体进行二次均匀化球磨，利用氢化钛在预烧结阶段的分解产氢作用降低块体钨钛靶材坯料内部的含氧量；4)利用预烧结和致密化烧结实现钨钛靶材坯料气体含量降低和微观结构可控性制备；5)利用热压塑性变形处理进一步提高钨钛靶材坯料的致密度和钨钛之间的扩散程度。本发明实现了对于钨钛靶材坯料致密度的提高、含氧量的降低和微观结构的可控性制备，所制备的钨钛靶材服役性能得到了提高。
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公开(公告)号：CN117921021A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311669336.2
申请日：2023-12-07
Applicant: 贵研铂业股份有限公司 , 云南贵金属实验室有限公司
Abstract: 本发明公开了一种从铱残靶及其机加工废料中回收制备高纯铱粉的方法，包括如下步骤：(1)铱残靶及其机加工废料预处理；(2)混碱液化；(3)氧化造液；(4)选择性晶化；(5)热分解+高温氢氛围脱氧；(6)酸煮除杂。通过本发明可实现铱残靶及其机加工废料中回收提纯高纯铱粉，粉末粒径小于5μm，纯度大于99.999％，粉末均匀性较好，可用作信息存储用铱溅射靶材原料。
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公开(公告)号：CN117568765A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311544328.5
申请日：2023-11-20
Applicant: 云南贵金属实验室有限公司 , 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种磁控溅射用镍靶材的制备方法，该方法采用真空感应熔炼法制备高纯镍锭，随后在合适工艺条件下进行热变形加工和冷变形加工处理，再对镍靶材坯料进行真空退火处理，最后进行机械加工，得到微观结构及磁学性能均符合要求的高性能镍靶材。采用上述制备方法制备得到的镍靶材纯度≥99.995％，平均晶粒尺寸≤50μm，晶粒粒径分布均匀，靶材溅射面存在(111)晶面择优取向，磁透率在30～45％范围内可控。在后续溅射镀膜过程中，镍靶材的溅射成膜效果和靶材使用寿命都有明显提升。
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