公开(公告)号：CN117773139A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202311669325.4

申请日：2023-12-07

Applicant: 贵研铂业股份有限公司 ,  云南贵金属实验室有限公司

Inventor： 巢云秀 ,  刘子其 ,  许永刚 ,  王传军 ,  闻明 ,  周利民 ,  朱武勋 ,  沈月 ,  许彦亭 ,  卯明辉

IPC: B22F9/30 ,  B22F1/065 ,  B22F1/142 ,  B22F1/145

Abstract: 本发明公开了一种信息存储用高纯球形钌粉的制备方法，所述高纯球形钌粉先由氯钌酸或氯钌酸盐溶液、选择性沉淀剂、稀散剂制得高纯球形钌前驱体沉淀，再经热分解反应、氢氛围脱氧、酸煮纯化工艺制备获得。所述高纯钌粉形貌为球形，纯度≥99.999％，流散性及均一性好，平均粒径＜5μm，可用于信息存储用高纯钌及其合金靶材用高纯钌粉及其合金靶材原料。

公开(公告)号：CN117570861A

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202311544426.9

申请日：2023-11-20

Applicant: 云南贵金属实验室有限公司 ,  贵研铂业股份有限公司

Inventor： 李思勰 ,  闻明 ,  沈月 ,  王传军 ,  巢云秀 ,  许彦亭 ,  施晨琦 ,  赵琪 ,  刘子其

IPC: G01B11/06 ,  C23C14/35 ,  C23C14/14 ,  G01B7/06

Abstract: 本发明公开了一种金属薄膜厚度无损测量方法。本发明首先将光刻胶涂抹在清洗干净后的待镀膜基底上，基底表面部分被光刻胶覆盖，胶覆盖面积及厚度均无特殊要求，胶固化后覆盖膜边缘为平直线；然后在带有部分覆盖膜的基底上沉积金属薄膜；最后将镀膜后的基底置于酒精中超声清洗，除去覆盖膜及上面的金属薄膜，露出未镀膜的基底，采用原子力显微镜(AFM)测量未镀膜基底与金属薄膜高度差，这一差值即为金属膜厚度。上述金属薄膜厚度测量方法具有快速、便捷的特点，制得薄膜台阶截面光滑，对基底和薄膜均不会产生破坏，测量得到膜厚精确度高。

公开(公告)号：CN117921021A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202311669336.2

申请日：2023-12-07

Applicant: 贵研铂业股份有限公司 ,  云南贵金属实验室有限公司

Inventor： 普志辉 ,  巢云秀 ,  刘子其 ,  王传军 ,  闻明 ,  周利民 ,  施晨琦 ,  李治东 ,  刘牛 ,  朱武勋

IPC: B22F9/30 ,  B22F1/142 ,  B22F1/145 ,  C22B11/02 ,  C22B11/00 ,  C22B7/00

Abstract: 本发明公开了一种从铱残靶及其机加工废料中回收制备高纯铱粉的方法，包括如下步骤：(1)铱残靶及其机加工废料预处理；(2)混碱液化；(3)氧化造液；(4)选择性晶化；(5)热分解+高温氢氛围脱氧；(6)酸煮除杂。通过本发明可实现铱残靶及其机加工废料中回收提纯高纯铱粉，粉末粒径小于5μm，纯度大于99.999％，粉末均匀性较好，可用作信息存储用铱溅射靶材原料。

公开(公告)号：CN117733168A

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202311669319.9

申请日：2023-12-07

Applicant: 云南贵金属实验室有限公司 ,  贵研铂业股份有限公司

Inventor： 巢云秀 ,  陈大钊 ,  刘子其 ,  闻明 ,  周利民 ,  李思勰 ,  普志辉 ,  黄通 ,  何云帅 ,  朱武勋

IPC: B22F9/24 ,  B22F1/145 ,  B22F1/142 ,  C22B7/00 ,  C22B11/00 ,  B22F1/065

Abstract: 本发明公开了一种从玫瑰金残靶及其镀件废料回收制备高纯金粉的方法，包括如下步骤：(1)玫瑰金残靶及其镀件废料预处理；(2)造液；(3)金选择性还原；(4)酸洗除杂；(5)煅烧。通过本发明可实现玫瑰金残靶及其镀件废料中回收制备高纯金粉，金的直收率＞99.5％，本发明的工艺流程简单，粉末形貌为球形，粉末粒径小于5μm，纯度大于99.999％，可用作电子行业用高纯金及其合金靶材原料。

公开(公告)号：CN118360583A

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202410349572.4

申请日：2024-03-26

Applicant: 云南贵金属实验室有限公司 ,  昆明贵金属研究所

Inventor： 李思勰 ,  闻明 ,  沈月 ,  施晨琦 ,  巢云秀 ,  许彦亭 ,  刘子其 ,  唐可

IPC: C23C14/54 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明公开了一种溅射靶材刻蚀跑道的测量方法，包括：采用带有三维拍摄模式的共聚焦显微镜拍摄溅射后的靶材溅射表面径向图像；使用图像处理软件处理拍摄得到的三维图像，依次进行校平、填充、提取剖面等步骤，得到靶材刻蚀跑道的轮廓曲线；对轮廓曲线进行距离、高度、面积等几何测量，得到跑道最大宽度、跑道中心处圆周直径、溅射截面面积、跑道最深处高度以及靶材溅射刻蚀体积等几何尺寸参数。由于采用共聚焦显微镜进行拍摄测量，具有操作便捷、图像形态细节清晰等优点，能够得到靶材溅射刻蚀表面的三维真彩图像，测量时对靶材溅射表面不会造成任何破坏，尤其适用于4英寸及以下小尺寸靶材的溅射刻蚀跑道及几何尺寸参数的微米级测量。

公开(公告)号：CN118425268A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202410668047.9

申请日：2024-05-28

Applicant: 贵研先进新材料(上海)有限公司 ,  云南贵金属实验室有限公司 ,  昆明贵研新材料科技有限公司

Inventor： 沈月 ,  闻明 ,  李治东 ,  余娟 ,  刘伟平 ,  王传军 ,  李思勰 ,  许彦亭 ,  刘子其

IPC: G01N27/30

Abstract: 本发明公开了一种氢传感器用氧化铂电极及其制备方法，属于传感器用电极技术领域。本发明通过对铂基材预处理、测试循环伏安特性曲线活化电极、阳极氧化法以及热处理制备氧化铂电极，解决了氧化铂涂层与基材的附着力问题，同时涂层可获得高含量二氧化铂成分，不仅简单易操作，而且制备的氧化铂电极具有附着力好、电催化性能好等优点，可满足在核工业领域恶劣环境中工作，对于突破AP1000氢浓度监测传感器的技术壁垒，加快我国核工业相关技术的全面国产化进程具有重要意义。

公开(公告)号：CN119282115A

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202411352215.X

申请日：2024-09-26

Applicant: 云南贵金属实验室有限公司

Inventor： 巢云秀 ,  赵琪 ,  陈静洪 ,  施晨琦 ,  闻明 ,  唐可 ,  王传军 ,  刘子其 ,  李治东 ,  沈月 ,  许彦亭

IPC: B22F3/15 ,  B22F3/10 ,  B22F9/04 ,  B22F3/24 ,  B22F3/03 ,  C23C14/34 ,  C23C14/35 ,  C22C1/05

Abstract: 本发明公开了一种高纯超低氧含量钌钽合金靶材及其制备方法，属于磁控溅射合金靶材技术领域。本发明包括(1)混粉；(2)低压预压制；(3)高真空煅烧；(4)热等静压烧结；(5)打磨抛光。通过本发明制备方法制备得到纯度≥99.995％、氧含量≤20ppm的钌钽合金靶材，使得钌钽合金靶材作为扩散阻挡层材料使用时，具备较低电阻，同时阻挡性能较为优异，从而提高扩散阻挡层薄膜性能。

公开(公告)号：CN119216579A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202411352497.3

申请日：2024-09-26

Applicant: 云南贵金属实验室有限公司

Inventor： 巢云秀 ,  陈静洪 ,  闻明 ,  施晨琦 ,  赵琪 ,  唐可 ,  王传军 ,  刘子其 ,  许彦亭 ,  沈月

IPC: B22F3/105 ,  B22F3/14 ,  B22F3/24 ,  B22F9/04 ,  B22F3/10 ,  C23C14/35 ,  C22C1/04 ,  C22C5/04 ,  C22C27/02

Abstract: 本发明公开了一种超高致密细晶粒钌钽合金靶材及其制备方法，属于合金靶材制备技术领域。本发明包括(1)混粉；(2)低压预压制；(3)氢气还原；(4)放电等离子烧结；(5)低压烧结；(6)精密机加工。通过本发明制备得到的钌钽合金靶材致密度可以达到99.8％以上，靶材晶粒度可以达到5μm以下，具有较为优异的磁控溅射技术适应性，为后续磁控溅射技术制备集成电路用薄膜提供优异基础，使得制备得到的集成电路用薄膜具有较为优异的性能。