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公开(公告)号：CN117570861A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311544426.9
申请日：2023-11-20
Applicant: 云南贵金属实验室有限公司 , 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种金属薄膜厚度无损测量方法。本发明首先将光刻胶涂抹在清洗干净后的待镀膜基底上，基底表面部分被光刻胶覆盖，胶覆盖面积及厚度均无特殊要求，胶固化后覆盖膜边缘为平直线；然后在带有部分覆盖膜的基底上沉积金属薄膜；最后将镀膜后的基底置于酒精中超声清洗，除去覆盖膜及上面的金属薄膜，露出未镀膜的基底，采用原子力显微镜(AFM)测量未镀膜基底与金属薄膜高度差，这一差值即为金属膜厚度。上述金属薄膜厚度测量方法具有快速、便捷的特点，制得薄膜台阶截面光滑，对基底和薄膜均不会产生破坏，测量得到膜厚精确度高。
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公开(公告)号：CN117733168A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311669319.9
申请日：2023-12-07
Applicant: 云南贵金属实验室有限公司 , 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种从玫瑰金残靶及其镀件废料回收制备高纯金粉的方法，包括如下步骤：(1)玫瑰金残靶及其镀件废料预处理；(2)造液；(3)金选择性还原；(4)酸洗除杂；(5)煅烧。通过本发明可实现玫瑰金残靶及其镀件废料中回收制备高纯金粉，金的直收率＞99.5％，本发明的工艺流程简单，粉末形貌为球形，粉末粒径小于5μm，纯度大于99.999％，可用作电子行业用高纯金及其合金靶材原料。
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公开(公告)号：CN117568765A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311544328.5
申请日：2023-11-20
Applicant: 云南贵金属实验室有限公司 , 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种磁控溅射用镍靶材的制备方法，该方法采用真空感应熔炼法制备高纯镍锭，随后在合适工艺条件下进行热变形加工和冷变形加工处理，再对镍靶材坯料进行真空退火处理，最后进行机械加工，得到微观结构及磁学性能均符合要求的高性能镍靶材。采用上述制备方法制备得到的镍靶材纯度≥99.995％，平均晶粒尺寸≤50μm，晶粒粒径分布均匀，靶材溅射面存在(111)晶面择优取向，磁透率在30～45％范围内可控。在后续溅射镀膜过程中，镍靶材的溅射成膜效果和靶材使用寿命都有明显提升。
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公开(公告)号：CN116875952A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310839299.9
申请日：2023-07-10
Applicant: 云南贵金属实验室有限公司 , 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种低氧高密度Ru溅射靶材、制备方法及其用途，该溅射靶材氧含量小于50ppm，表面粗晶层厚度小于50um，平均晶粒尺寸2‑8微米，晶界处孔洞呈近球形，直径小于1um，靶材相对密度大于理论密度的99％。制备方法以具有形貌和粒径分布可控的高纯钌粉为原料，通过真空热压烧结法制备钌靶材；通过对真空度控制、加压烧结获得靶材坯料，最终获得具有低氧高密度且具有良好机加工性能的溅射靶材。本发明通对粉末形貌和粒径分布以及真空热压烧结工艺的控制，改善了钌靶氧含量高、表面粗晶层厚、致密度低、机加工性能差等缺点，获得低氧含量和高致密度且加工性能好的溅射靶材，避免常规热压烧结工艺制备的靶材加工困难的缺点。
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公开(公告)号：CN118543948A
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410685178.8
申请日：2024-05-30
Applicant: 贵研先进新材料(上海)有限公司 , 昆明贵金属研究所 , 云南贵金属实验室有限公司
Abstract: 本发明公开了一种镍钒合金靶材的绑定方法，属于溅射靶材技术领域。本发明通过对镍钒合金的焊接端面依次进行机械加工、表面纳米化和电解抛光处理，然后将处理后的镍钒合金与铜或铜背板进行扩散焊连接。本发明所述方法能有效提高靶材的绑定性能，提升靶材的成品率。同时，在扩散焊接时，焊接温度比现有技术的温度大大降低，从而能在几乎不改变镍钒合金结构的条件下实现靶材与背板的有效连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118425268A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410668047.9
申请日：2024-05-28
Applicant: 贵研先进新材料(上海)有限公司 , 云南贵金属实验室有限公司 , 昆明贵研新材料科技有限公司
IPC: G01N27/30
Abstract: 本发明公开了一种氢传感器用氧化铂电极及其制备方法，属于传感器用电极技术领域。本发明通过对铂基材预处理、测试循环伏安特性曲线活化电极、阳极氧化法以及热处理制备氧化铂电极，解决了氧化铂涂层与基材的附着力问题，同时涂层可获得高含量二氧化铂成分，不仅简单易操作，而且制备的氧化铂电极具有附着力好、电催化性能好等优点，可满足在核工业领域恶劣环境中工作，对于突破AP1000氢浓度监测传感器的技术壁垒，加快我国核工业相关技术的全面国产化进程具有重要意义。
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公开(公告)号：CN118357461A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410465239.X
申请日：2024-04-18
Applicant: 云南贵金属实验室有限公司 , 云南省贵金属新材料控股集团股份有限公司
IPC: B22F3/14 , C23C14/35 , B22F9/04 , B22F1/145 , B22F1/142 , B22F3/02 , C22C5/04 , C22C32/00 , C22C1/05 , C22C1/059
Abstract: 本发明公开了一种铁铂基靶材坯料的制备方法，包括：1)先通过纯铂粉和纯铁粉进行高能球磨增加两者表面缺陷程度，有利于提高烧结阶段铁铂之间的合金化进程；2)添加第三组分粉体与铁铂粉体进行二次均匀化球磨，作为隔离剂使烧结过程中能产生完全相互隔离的铁铂晶粒；3)对混合粉体进行通氢还原降低其表面氧含量；4)利用冷压成型与热压相结合的方式实现铁铂靶材坯料微观结构可控性制备。本发明实现了对于铁铂基靶材坯料致密度的提高、含氧量降低和微观结构的可控性制备，提高了所制备铁铂靶材的服役性能。
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公开(公告)号：CN118516627A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410555866.2
申请日：2024-05-07
Applicant: 贵研先进新材料(上海)有限公司 , 云南贵金属实验室有限公司 , 云南省贵金属新材料控股集团股份有限公司
IPC: C22F1/04 , C23C14/34 , H01L21/768 , G01N29/06 , G01N23/2251
Abstract: 本发明公开了一种高纯铝硅铜靶材及其制备方法与应用，属于集成电路互连线用溅射靶材技术领域。本发明制备方法包括：S1：均匀化退火；S2：多向锻造；S3：一次C‑scan检测；S4：固溶处理；S5：纵横交替冷轧；S6：二次C‑scan检测；S7：再结晶退火；S8：粗加工、绑定、精加工、表面处理及清洗。通过多向锻造以及纵横交替冷轧，明确锻造及轧制的方向性，通过各方向轮换反复塑性变形，使高纯铝硅铜内部组织受力更加均匀，晶粒细化效果更佳；通过固溶处理使高纯铝硅铜内部析出相呈弥散分布状态；再通过C‑scan检测，对坯料进行更加全面的检测判定，从而保障最终获得的高纯铝硅铜靶材合格率保持在较高范围内，提升最终制备的高纯铝硅铜靶材的质量。
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公开(公告)号：CN118360583A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410349572.4
申请日：2024-03-26
Applicant: 云南贵金属实验室有限公司 , 昆明贵金属研究所
Abstract: 本发明公开了一种溅射靶材刻蚀跑道的测量方法，包括：采用带有三维拍摄模式的共聚焦显微镜拍摄溅射后的靶材溅射表面径向图像；使用图像处理软件处理拍摄得到的三维图像，依次进行校平、填充、提取剖面等步骤，得到靶材刻蚀跑道的轮廓曲线；对轮廓曲线进行距离、高度、面积等几何测量，得到跑道最大宽度、跑道中心处圆周直径、溅射截面面积、跑道最深处高度以及靶材溅射刻蚀体积等几何尺寸参数。由于采用共聚焦显微镜进行拍摄测量，具有操作便捷、图像形态细节清晰等优点，能够得到靶材溅射刻蚀表面的三维真彩图像，测量时对靶材溅射表面不会造成任何破坏，尤其适用于4英寸及以下小尺寸靶材的溅射刻蚀跑道及几何尺寸参数的微米级测量。
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公开(公告)号：CN115533447B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202211044447.X
申请日：2022-08-30
Applicant: 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种磁控溅射铜靶材的制备方法以及靶材的应用，所制备的铜靶材平均晶粒尺寸≤1μm，且分布均匀、取向分布趋于一致。制备步骤包括：将纯度≥4N的铜原料依次进行1)连续铸造；2)坯料切割；3)异径异步叠轧；4)同径同步轧制；5)热处理，制得高纯铜靶材。该方法工艺简单、易于工业化生产，制备的高纯铜靶材具有晶粒尺寸均匀细小、取向较为一致、靶材尺寸较大等特点，可应用于大规模集成电路互连线的溅射镀膜。
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