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公开(公告)号：CN103492433B
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201280018252.6
申请日：2012-02-14
Applicant: 株式会社LG化学
CPC classification number: C09D133/08 , C08F20/10 , C08F20/18 , C08F220/18 , C08F2220/325 , C09D4/00 , C09D4/06 , C09J7/24 , C09J7/385 , C09J133/08 , C09J133/10 , C09J2201/606 , C09J2433/006 , Y10T428/2809 , C08F265/06
Abstract: 本发明涉及一种无溶剂组合物及该无溶剂组合物的制备方法。本发明提供无溶剂组合物，该组合物可有效制备在薄膜制备过程中具有优良加工效能的薄膜，该薄膜厚度无实质偏差，甚至在具有大的厚度下仍如此，或具有优异的耐热性等物理性能的薄膜。此外，本发明的组合物在薄膜制备过程中不会产生污染。而且，本发明防止组合物组分的凝胶化或相分离，从而提供了一种能够制备具有优异的光学透明性等物理性能、优异的耐热性和尺寸稳定性的基材薄膜的组合物。
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公开(公告)号：CN105324454B
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201480021827.9
申请日：2014-12-12
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: C09J11/00 , C09J133/04 , C09J7/30 , H01L21/301
CPC classification number: C09J11/08 , C09J5/00 , C09J7/20 , C09J133/00 , C09J2201/128 , C09J2201/606 , C09J2203/326 , C09J2205/302 , C09J2205/31 , C09J2433/00 , C09J2463/00 , C09J2475/00 , C09J2483/00 , H01L21/26 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L2221/68336 , H01L2221/68377 , H01L2221/68381 , H01L2224/27003 , H01L2224/271 , H01L2224/27436 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83203 , H01L2224/83204 , H01L2224/83862 , H01L2224/92 , H01L2224/92247 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/3512 , H01L2924/0665 , H01L2224/27 , H01L2924/00012 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明涉及一种用于形成切割膜的粘着层的组合物，其包含：含有一个以上反应性官能团的硅化合物油；粘着粘合剂；和光引发剂，其中含有一个以上反应性官能团的硅化合物油与粘着粘合剂的重量比为0.01％至4.5％；涉及一种包括含有所述组合物的粘着层的切割膜、和包括所述切割膜的切割晶片接合膜、及使用所述切割晶片接合膜的半导体晶圆的切割方法。
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公开(公告)号：CN105264033A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201480031647.9
申请日：2014-12-29
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: C09J7/02 , C09J133/04 , C09J163/00 , H01L21/301
CPC classification number: H01L21/6836 , C08L63/00 , C09D133/04 , C09J7/29 , C09J133/04 , C09J2203/326 , C09J2400/22 , C09J2433/006 , C09J2463/00 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/94 , H01L2221/68327 , H01L2221/68381 , H01L2224/27003 , H01L2224/271 , H01L2224/2919 , H01L2224/32245 , H01L2224/83885 , H01L2224/92 , H01L2224/94 , H01L2924/00012 , H01L2924/0665 , H01L2224/83862 , H01L2224/8388 , H01L2224/27 , H01L2221/68304 , H01L21/78
Abstract: 本发明涉及一种切割膜，其包括:基底膜；和粘合层，其中所述粘合层的储能模量在30℃下为3.0*105至4.0*106Pa，所述粘合层的交联度为80％至99％，还涉及一种包括所述切割膜的切割晶片粘合膜、及使用所述切割晶片粘合膜的半导体晶圆的切割方法。
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公开(公告)号：CN105143382A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201480022020.7
申请日：2014-12-12
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: C09J11/08 , C09J11/06 , C09J133/04 , C09J7/02 , H01L21/58
CPC classification number: C09J11/08 , C09J5/00 , C09J7/20 , C09J133/00 , C09J2203/326 , C09J2205/302 , C09J2205/31 , C09J2433/00 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L2221/68336 , H01L2221/68377 , H01L2221/68381 , H01L2224/27003 , H01L2224/271 , H01L2224/27436 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/83203 , H01L2224/83204 , H01L2224/83862 , H01L2224/92 , H01L2224/94 , H01L2924/3512 , H01L2924/0665 , H01L2224/27 , H01L2924/00012 , H01L21/78 , H01L2224/83
Abstract: 本发明涉及一种用于形成切割膜粘合层的组合物、一种包括含有所述组合物的粘合层的切割膜、一种包括切割膜的切割晶片键合膜以及一种使用切割晶片键合膜切割半导体晶片的方法，所述组合物包含：聚合物添加剂、粘结粘合剂和光引发剂，所述聚合物添加剂包括一种或多种选自如下的聚合物：含有(甲基)丙烯酸酯基官能团和非极性官能团的聚合物、含有至少一个氟的(甲基)丙烯酸酯基聚合物和含有反应性官能团的硅改性的(甲基)丙烯酸酯基聚合物，其中聚合物添加剂与粘结粘合剂的重量比为0.01％至4.5％。
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公开(公告)号：CN105143382B
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201480022020.7
申请日：2014-12-12
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: C09J11/08 , C09J11/06 , C09J133/04 , C09J7/30 , H01L21/58
CPC classification number: C09J11/08 , C09J5/00 , C09J7/20 , C09J133/00 , C09J2203/326 , C09J2205/302 , C09J2205/31 , C09J2433/00 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L2221/68336 , H01L2221/68377 , H01L2221/68381 , H01L2224/27003 , H01L2224/271 , H01L2224/27436 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/83203 , H01L2224/83204 , H01L2224/83862 , H01L2224/92 , H01L2224/94 , H01L2924/3512 , H01L2924/0665 , H01L2224/27 , H01L2924/00012 , H01L21/78 , H01L2224/83
Abstract: 本发明涉及一种用于形成切割膜粘合层的组合物、一种包括含有所述组合物的粘合层的切割膜、一种包括切割膜的切割晶片键合膜以及一种使用切割晶片键合膜切割半导体晶片的方法，所述组合物包含：聚合物添加剂、粘结粘合剂和光引发剂，所述聚合物添加剂包括一种或多种选自如下的聚合物：含有(甲基)丙烯酸酯基官能团和非极性官能团的聚合物、含有至少一个氟的(甲基)丙烯酸酯基聚合物和含有反应性官能团的硅改性的(甲基)丙烯酸酯基聚合物，其中聚合物添加剂与粘结粘合剂的重量比为0.01％至4.5％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105264033B
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201480031647.9
申请日：2014-12-29
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: C09J7/20 , C09J133/04 , C09J163/00 , H01L21/301
CPC classification number: H01L21/6836 , C08L63/00 , C09D133/04 , C09J7/29 , C09J133/04 , C09J2203/326 , C09J2400/22 , C09J2433/006 , C09J2463/00 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/94 , H01L2221/68327 , H01L2221/68381 , H01L2224/27003 , H01L2224/271 , H01L2224/2919 , H01L2224/32245 , H01L2224/83885 , H01L2224/92 , H01L2224/94 , H01L2924/00012 , H01L2924/0665 , H01L2224/83862 , H01L2224/8388 , H01L2224/27 , H01L2221/68304 , H01L21/78
Abstract: 本发明涉及一种切割膜，其包括:基底膜；和粘合层，其中所述粘合层的储能模量在30℃下为3.0*105至4.0*106Pa，所述粘合层的交联度为80％至99％，还涉及一种包括所述切割膜的切割晶片粘合膜、及使用所述切割晶片粘合膜的半导体晶圆的切割方法。
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公开(公告)号：CN103492466B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201280018385.3
申请日：2012-02-14
Applicant: 株式会社LG化学
CPC classification number: H01L21/78 , B29C39/006 , C08F8/10 , C08F20/18 , C08G18/6229 , C08G18/8116 , C09J7/24 , C09J133/066 , C09J175/16 , C09J2201/606 , C09J2203/326 , C09J2433/006 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , Y10T428/2809 , C08F2220/1858 , C08F2220/1875 , C08F220/20 , C08F220/36
Abstract: 本发明涉及一种衬底膜及其制造方法。本发明可以提供一种展现优异的耐热性和尺寸稳定性的衬底膜，所述衬底膜具有优异的应力松弛，由此防止由残余应力所导致的晶片破裂，可以抑制由在晶片加工过程中的非均匀压力施加而导致的晶片损坏或飞溅等，并且具有优异的切割性。因此，本发明的衬底膜可以有效地用作各种晶片的加工过程（如切割、背面研磨或拾取）中的加工片。
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公开(公告)号：CN105324454A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201480021827.9
申请日：2014-12-12
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: C09J11/00 , C09J133/04 , C09J7/00 , C09J7/02 , H01L21/301
CPC classification number: C09J11/08 , C09J5/00 , C09J7/20 , C09J133/00 , C09J2201/128 , C09J2201/606 , C09J2203/326 , C09J2205/302 , C09J2205/31 , C09J2433/00 , C09J2463/00 , C09J2475/00 , C09J2483/00 , H01L21/26 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L2221/68336 , H01L2221/68377 , H01L2221/68381 , H01L2224/27003 , H01L2224/271 , H01L2224/27436 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83203 , H01L2224/83204 , H01L2224/83862 , H01L2224/92 , H01L2224/92247 , H01L2224/94 , H01L2924/00014 , H01L2924/3512 , H01L2924/0665 , H01L2224/27 , H01L2924/00012 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明涉及一种用于形成切割膜的粘着层的组合物，其包含：含有一个以上反应性官能团的硅化合物油；粘着粘合剂；和光引发剂，其中含有一个以上反应性官能团的硅化合物油与粘着粘合剂的重量比为0.01％至4.5％；涉及一种包括含有所述组合物的粘着层的切割膜、和包括所述切割膜的切割晶片接合膜、及使用所述切割晶片接合膜的半导体晶圆的切割方法。
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公开(公告)号：CN103492466A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201280018385.3
申请日：2012-02-14
Applicant: 株式会社LG化学
CPC classification number: H01L21/78 , B29C39/006 , C08F8/10 , C08F20/18 , C08G18/6229 , C08G18/8116 , C09J7/24 , C09J133/066 , C09J175/16 , C09J2201/606 , C09J2203/326 , C09J2433/006 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , Y10T428/2809 , C08F2220/1858 , C08F2220/1875 , C08F220/20 , C08F220/36
Abstract: 本发明涉及一种衬底膜及其制造方法。本发明可以提供一种展现优异的耐热性和尺寸稳定性的衬底膜，所述衬底膜具有优异的应力松弛，由此防止由残余应力所导致的晶片破裂，可以抑制由在晶片加工过程中的非均匀压力施加而导致的晶片损坏或飞溅等，并且具有优异的切割性。因此，本发明的衬底膜可以有效地用作各种晶片的加工过程（如切割、背面研磨或拾取）中的加工片。
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公开(公告)号：CN105829478B
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201580002147.7
申请日：2015-11-17
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: C09J133/08 , C09J163/04 , C09J161/06
CPC classification number: H01L24/29 , C08L61/12 , C08L63/04 , C08L2201/08 , C08L2201/52 , C08L2203/16 , C08L2203/20 , C08L2205/03 , C09J5/00 , C09J7/21 , C09J7/22 , C09J7/35 , C09J7/38 , C09J133/068 , C09J133/14 , C09J2201/36 , C09J2203/326 , C09J2205/302 , C09J2205/31 , C09J2433/00 , C09J2463/00 , H01L2224/2919 , H01L2924/0635 , H01L2924/066 , H01L2924/0665 , H01L2924/0675
Abstract: 本发明涉及一种用于粘结半导体的粘合剂树脂组合物，其包含：(甲基)丙烯酸酯基树脂，其包含大于17重量％的(甲基)丙烯酸酯基重复单元，所述(甲基)丙烯酸酯基重复单元含有环氧基官能团；环氧树脂，其具有大于70℃的软化点；和酚醛树脂，其具有大于105℃的软化点，其中(甲基)丙烯酸酯基树脂的重量比例为0.48至0.65，相对于(甲基)丙烯酸酯基树脂、环氧树脂和酚醛树脂的总重量计；还涉及一种由树脂组合物获得的用于半导体的粘合剂膜；一种包括粘合剂层的切割模片粘结膜，所述粘合剂层包含用于半导体的粘合剂膜；一种包括切割模片粘结膜的半导体晶片；以及，一种使用切割模片粘结膜切割半导体晶片的方法。
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