公开(公告)号：CN105829478B

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201580002147.7

申请日：2015-11-17

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 金熹正 ,  S·R·金 ,  金丁鹤 ,  李光珠

IPC: C09J133/08 ,  C09J163/04 ,  C09J161/06

CPC classification number: H01L24/29 ,  C08L61/12 ,  C08L63/04 ,  C08L2201/08 ,  C08L2201/52 ,  C08L2203/16 ,  C08L2203/20 ,  C08L2205/03 ,  C09J5/00 ,  C09J7/21 ,  C09J7/22 ,  C09J7/35 ,  C09J7/38 ,  C09J133/068 ,  C09J133/14 ,  C09J2201/36 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/302 ,  C09J2205/31 ,  C09J2433/00 ,  C09J2463/00 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2924/0635 ,  H01L2924/066 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0675

Abstract: 本发明涉及一种用于粘结半导体的粘合剂树脂组合物，其包含：(甲基)丙烯酸酯基树脂，其包含大于17重量％的(甲基)丙烯酸酯基重复单元，所述(甲基)丙烯酸酯基重复单元含有环氧基官能团；环氧树脂，其具有大于70℃的软化点；和酚醛树脂，其具有大于105℃的软化点，其中(甲基)丙烯酸酯基树脂的重量比例为0.48至0.65，相对于(甲基)丙烯酸酯基树脂、环氧树脂和酚醛树脂的总重量计；还涉及一种由树脂组合物获得的用于半导体的粘合剂膜；一种包括粘合剂层的切割模片粘结膜，所述粘合剂层包含用于半导体的粘合剂膜；一种包括切割模片粘结膜的半导体晶片；以及，一种使用切割模片粘结膜切割半导体晶片的方法。

公开(公告)号：CN106062118A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201580013038.5

申请日：2015-02-03

Applicant: 迪睿合株式会社

Inventor： 稻濑圭亮

IPC: C09J201/00 ,  C09J4/00 ,  C09J5/00 ,  C09J7/00 ,  C09J9/02 ,  C09J11/06 ,  C09J163/00 ,  H01B1/20

CPC classification number: C09J11/06 ,  C08K5/005 ,  C09J5/00 ,  C09J9/02 ,  C09J163/00 ,  C09J201/00 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/31 ,  G02F1/13452 ,  G02F2202/28 ,  H01B1/22 ,  H01L23/544 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29316 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29357 ,  H01L2224/2936 ,  H01L2224/29371 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/29393 ,  H01L2224/294 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75301 ,  H01L2224/8113 ,  H01L2224/81132 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/8313 ,  H01L2224/83132 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83488 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/83874 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0549 ,  H01L2924/0543 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0544 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/066 ,  H01L2924/069 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/0635 ,  H01L2924/0615 ,  H01L2924/07001 ,  H01L2924/06 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/07802

Abstract: 通过使用光固化型粘接剂，可在低温下进行电子部件的连接，同时改善电子部件的连接不良。具有在剥离基体材料上支撑的粘合剂树脂层，粘合剂树脂层含有光聚合性化合物、光聚合引发剂、光吸收剂和导电性粒子，光吸收剂的光吸收峰值波长比光聚合引发剂的光吸收峰值波长长，且相隔20nm以上。

公开(公告)号：CN105829478A

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201580002147.7

申请日：2015-11-17

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 金熹正 ,  S·R·金 ,  金丁鹤 ,  李光珠

IPC: C09J133/08 ,  C09J163/04 ,  C09J161/06 ,  C09J7/02

CPC classification number: H01L24/29 ,  C08L61/12 ,  C08L63/04 ,  C08L2201/08 ,  C08L2201/52 ,  C08L2203/16 ,  C08L2203/20 ,  C08L2205/03 ,  C09J5/00 ,  C09J7/21 ,  C09J7/22 ,  C09J7/35 ,  C09J7/38 ,  C09J133/068 ,  C09J133/14 ,  C09J2201/36 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/302 ,  C09J2205/31 ,  C09J2433/00 ,  C09J2463/00 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2924/0635 ,  H01L2924/066 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0675 ,  C09J133/08 ,  C09J7/255 ,  C08L61/06

Abstract: 本发明涉及一种用于粘结半导体的粘合剂树脂组合物，其包含：(甲基)丙烯酸酯基树脂，其包含大于17重量％的(甲基)丙烯酸酯基重复单元，所述(甲基)丙烯酸酯基重复单元含有环氧基官能团；环氧树脂，其具有大于70℃的软化点；和酚醛树脂，其具有大于105℃的软化点，其中(甲基)丙烯酸酯基树脂的重量比例为0.48至0.65，相对于(甲基)丙烯酸酯基树脂、环氧树脂和酚醛树脂的总重量计；还涉及一种由树脂组合物获得的用于半导体的粘合剂膜；一种包括粘合剂层的切割模片粘结膜，所述粘合剂层包含用于半导体的粘合剂膜；一种包括切割模片粘结膜的半导体晶片；以及，一种使用切割模片粘结膜切割半导体晶片的方法。

公开(公告)号：CN105074894A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201480018205.0

申请日：2014-03-19

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 盛田浩介 ,  高本尚英

IPC: H01L21/60 ,  B32B7/04 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L24/83 ,  B32B5/02 ,  B32B5/24 ,  B32B7/06 ,  B32B7/12 ,  B32B9/005 ,  B32B9/04 ,  B32B9/045 ,  B32B15/04 ,  B32B15/08 ,  B32B23/08 ,  B32B27/08 ,  B32B27/10 ,  B32B27/12 ,  B32B27/16 ,  B32B27/18 ,  B32B27/20 ,  B32B27/281 ,  B32B27/283 ,  B32B27/286 ,  B32B27/304 ,  B32B27/306 ,  B32B27/308 ,  B32B27/32 ,  B32B27/322 ,  B32B27/34 ,  B32B27/36 ,  B32B27/365 ,  B32B27/38 ,  B32B27/40 ,  B32B29/002 ,  B32B29/005 ,  B32B29/02 ,  B32B29/06 ,  B32B2255/02 ,  B32B2255/06 ,  B32B2255/10 ,  B32B2255/12 ,  B32B2255/205 ,  B32B2262/101 ,  B32B2307/50 ,  B32B2307/514 ,  B32B2307/748 ,  B32B2405/00 ,  B32B2457/00 ,  B32B2457/08 ,  H01L21/563 ,  H01L23/295 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/271 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/2744 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29316 ,  H01L2224/29318 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29364 ,  H01L2224/29371 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/29393 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81204 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8185 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83204 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/8388 ,  H01L2224/83885 ,  H01L2224/83948 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/0635 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/066 ,  H01L2924/095

Abstract: 本发明提供可通过对半导体元件或被粘物的凹凸的良好的埋入性而抑制空隙的产生并且在粘贴于被粘物的前后作业性良好的密封片材及使用其的半导体装置的制造方法、以及贴合有该密封片材的基板。本发明的密封片材具备基材、及设置于该基材上的具有以下特性的底部填充材料。自上述基材的90°剥离力：1mN/20mm以上且50mN/20mm以下25℃下的断裂延伸率：10％以上40℃以上且低于100℃的最低粘度：20000Pa·s以下100℃以上且200℃以下的最低粘度：100Pa·s以上。

公开(公告)号：CN104465418A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410818160.7

申请日：2014-12-24

Applicant: 南通富士通微电子股份有限公司

Inventor： 石磊

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/561 ,  H01L21/4821 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49861 ,  H01L24/08 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73251 ,  H01L2224/80904 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/85005 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/9222 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/08 ,  H01L2224/48 ,  H01L2224/80 ,  H01L2224/85 ,  H01L21/56 ,  H01L2924/066 ,  H01L2224/8319

Abstract: 本发明提供一种扇出晶圆级封装方法，包括以下工艺步骤：提供载板；在载板上贴上一层可剥离保护膜，并在特定区域形成图形开口；在所述的图形开口上形成金属层；将带有金属层的保护膜从载板上剥离；将芯片安装在所述的在金属层上，并进行打线或植球；对芯片和金属布线进行塑封。本发明的技术方案，工艺简单，封装精度高，成本低，能够适用于高密集的I/O端封装结构中，特别适用于薄型封装工艺中。

公开(公告)号：CN101186792B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200710194011.8

申请日：2007-11-26

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 天野康弘 ,  近藤广行 ,  桶结卓司 ,  寺田好夫

IPC: C09J7/02 ,  C09J133/02 ,  H01L21/58 ,  H01L21/52

CPC classification number: H01L21/568 ,  C08K3/34 ,  C09J7/385 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/102 ,  H01L21/561 ,  H01L21/6835 ,  H01L24/29 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/78251 ,  H01L2224/83001 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/85001 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20305 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/066 ,  H01L2224/78 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/3512

Abstract: 本发明提供一种可以制造半导体装置的耐热性胶粘带，其通过耐热性胶粘带很好地防止密封工序中的树脂泄漏，并且粘贴的胶带不易在一系列的工序或胶带的剥离工序中带来障碍。该半导体装置制造用耐热性胶粘带是在半导体装置的制造方法中使用的耐热性胶粘带，所述半导体装置的制造方法至少具有如下工序：在金属制引线框的管芯焊盘上键合半导体芯片的载置工序，所述金属制引线框在外焊盘一侧贴合了耐热性胶粘带、用密封树脂将半导体芯片侧单面密封的密封工序、和将密封的结构物切断成单个的半导体装置的切断工序，其中上述耐热性胶粘带具有基材层、和包含亲水性层状硅酸盐和胶粘剂的胶粘层。

公开(公告)号：CN101617395A

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200880005662.0

申请日：2008-02-04

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 高本尚英

IPC: H01L21/52 ,  H01L21/301

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/85 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/83885 ,  H01L2224/85001 ,  H01L2224/85201 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06575 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/0101 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20103 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/3025 ,  Y10T428/28 ,  H01L2924/0635 ,  H01L2924/066 ,  H01L2224/78 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供与被粘物的密合性优良、且拾取性良好的热固化型芯片接合薄膜及具备该芯片接合薄膜的切割/芯片接合薄膜。本发明的热固化型芯片接合薄膜，在制造半导体装置时使用，其特征在于，含有15～30重量％热塑性树脂成分及60～70重量％热固性树脂成分作为主成分，并且热固化前的表面自由能为37mJ/m2以上且小于40mJ/m2。

公开(公告)号：CN101445709A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200810178919.4

申请日：2008-11-27

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 崔韩任 ,  宋基态 ,  黄治皙 ,  金惠敬 ,  丁畅范

IPC: C09J11/00 ,  C09J133/00 ,  C09J175/00 ,  C09J163/00 ,  C09J7/00

CPC classification number: H01L24/27 ,  C08L2666/14 ,  C09J7/20 ,  C09J133/062 ,  C09J163/00 ,  C09J2203/326 ,  C09J2433/00 ,  C09J2461/00 ,  C09J2463/00 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/274 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/29388 ,  H01L2224/29393 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  Y10T428/2848 ,  H01L2924/0635 ,  H01L2924/066 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/0532 ,  H01L2924/05032 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/0503 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299

Abstract: 本发明提供一种半导体组装芯片粘接用粘合剂组合物，以及采用该组合物制得的粘合膜，所述组合物包括一种双组分溶剂，其包括沸点为0～100℃的低沸点溶剂和另一种沸点为140～200℃的高沸点溶剂。本发明的溶剂残留量小于2％的粘合膜可在提高固化组分含量时同时满足膜的延展性结构和增强的抗张强度，从而在防止膜被切割的同时提高了硬度。由于产生间隙的挥发性组分具有高沸点，则半导体组装中由溶剂挥发而产生的间隙可得到显著降低。其结果是所述粘合膜显示出在粘合膜表面产生的间隙或空隙的体积膨胀降低，从而保证极好的膜可靠性。

公开(公告)号：CN105984219B

公开(公告)日：2017-12-05

申请号：CN201610145036.8

申请日：2016-03-14

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 松尾刚秀 ,  吉池政史

IPC: B41J2/045

CPC classification number: H01L24/13 ,  B41J2/14233 ,  B41J2/161 ,  B41J2/1626 ,  B41J2/1631 ,  B41J2002/14241 ,  B41J2002/14491 ,  H01L24/02 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/0233 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/02351 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/1161 ,  H01L2224/11618 ,  H01L2224/11622 ,  H01L2224/13008 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/27618 ,  H01L2224/27622 ,  H01L2224/27901 ,  H01L2224/29007 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29024 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29191 ,  H01L2224/301 ,  H01L2224/30145 ,  H01L2224/32237 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/81139 ,  H01L2224/8114 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81201 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2224/83466 ,  H01L2224/83471 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/066 ,  H01L2924/0635 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/0715 ,  H01L2924/0615 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/27 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83

Abstract: 本发明提供一种能够在将金或其合金用作配线的结构中进一步提高粘合可靠性的电子装置以及电子装置的制造方法。电子装置(14)具备：驱动基板(压力室基板(29)以及振动板(31))，其形成有压电元件(32)以及该压电元件的驱动所涉及的电极配线(44、45)；密封板(33)，其被接合在该驱动基板上，电极配线以含有金(Au)的配线金属隔着作为基底层的紧贴层(50)而被形成在驱动基板上的方式被形成，并具有去除部(49)，该去除部(49)将包括与接合树脂43接合的部分在内的区域中的配线金属的一部分去除而使紧贴层露出。

公开(公告)号：CN106601715A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201611190566.0

申请日：2016-12-21

Applicant: 成都芯源系统有限公司

Inventor： 肖明 ,  姚泽强 ,  李恒 ,  银发友

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L24/13 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/11019 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/066 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/2064 ,  H01L23/49816 ,  H01L21/4803 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/49894

Abstract: 公开了一种包括再布线层和焊接凸起结构的集成电路芯片及其制作方法。所述集成电路芯片在再布线层上表面以及侧面覆盖第一介质层，以及在第一介质层上表面的部分区域、侧面以及钝化层的部分区域覆盖第二介质层。通过覆盖第一介质层和第二介质层的方法，阻止了再布线层的离子迁移，并且可以有效的防止不同焊接凸起结构由于变形或者溅落所导致的短路现象。