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公开(公告)号：CN102148202B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201110035221.9
申请日：2011-02-09
Applicant: 精材科技股份有限公司
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L21/486 , H01L21/76804 , H01L21/76877 , H01L23/481 , H01L23/49827 , H01L24/05 , H01L2224/0501 , H01L2224/0557 , H01L2924/0002 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明提供一种晶片封装体及其形成方法，该晶片封装体包括：一基底，具有一上表面及一下表面；一孔洞，自该基底的该上表面朝该下表面延伸；一绝缘层，位于该孔洞的侧壁上；以及一材料层，位于该孔洞的该侧壁上，其中该材料层与该基底的该上表面之间隔有一距离，且该材料层的厚度朝该下表面的方向递减。本发明不仅节省了图案化制程，还可避免或减轻导电层发生破裂或应力过大等问题，提升了晶片封装体的可靠度。
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公开(公告)号：CN103295985A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310167369.7
申请日：2011-03-11
Applicant: 精材科技股份有限公司
IPC: H01L23/48 , H01L23/485 , H01L21/60 , H01L23/00
CPC classification number: H01L23/49827 , H01L21/561 , H01L21/76805 , H01L23/3114 , H01L23/3178 , H01L23/481 , H01L24/06 , H01L24/32 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L2224/0557 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01014 , H01L2924/01021 , H01L2924/01033 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12041 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15788 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明提供一种晶片封装体及其形成方法，该晶片封装体包括：一基底，具有一上表面及一下表面；多个导电垫，位于该基底中或该下表面之下；一介电层，位于所述导电垫之间；一孔洞，自该基底之该上表面朝该下表面延伸并露出部分的所述导电垫；以及一导电层，位于该孔洞之中且电性接触所述导电垫。本发明不仅可增进结构可靠度，还能增加穿基底导通结构所连接的导电通路。
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公开(公告)号：CN103187379A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201210589731.5
申请日：2012-12-28
Applicant: 精材科技股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/31 , H01L21/56 , H01L21/60
CPC classification number: H01L21/82 , B81B7/007 , B81B2207/096 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/76898 , H01L23/14 , H01L23/147 , H01L24/08 , H01L24/24 , H01L24/80 , H01L24/82 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L2221/68304 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68363 , H01L2221/68368 , H01L2224/08145 , H01L2224/08225 , H01L2224/24011 , H01L2224/24051 , H01L2224/24146 , H01L2224/80006 , H01L2224/92 , H01L2224/97 , H01L2924/1461 , H01L2224/82 , H01L2224/80 , H01L21/78
Abstract: 一种半导体堆栈结构及其制法，该半导体堆栈结构的制法通过将一规格的晶圆进行切割以形成多个芯片，再将各该芯片重新排设呈现另一规格的晶圆样式，以通过坝块堆栈于所需的基板上，再于芯片上进行线路重布层的制程，最后，进行切割以形成多个该半导体堆栈结构。
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公开(公告)号：CN105118819B
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201510390579.1
申请日：2010-08-13
Applicant: 精材科技股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/31
Abstract: 本发明提供一种晶片封装体，其可在实施封装层的切割制程前，先通过晶片保护层或增设的蚀刻阻挡层覆盖在导电垫上，避免导电垫被切割残余物损害及刮伤。本发明还可选择以晶片保护层、晶片保护层上增设的蚀刻阻挡层或与导电垫同一位阶高度的金属蚀刻阻挡层或其组合，来对结构蚀刻区的层间介电层和硅基板进行蚀刻，以形成开口，便于后续半导体结构的制作，同时提高晶片封装体的良率。
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公开(公告)号：CN102891120B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201110209118.1
申请日：2011-07-22
Applicant: 精材科技股份有限公司
IPC: H01L23/48 , H01L23/485 , H01L21/60 , H01L23/00
Abstract: 本发明提供一种晶片封装体及其形成方法，该晶片封装体包括：一基底，具有一上表面及一下表面；多个导电垫，位于该基底的该下表面之下；一介电层，位于所述导电垫之间；一沟槽，自该基底的该上表面朝该下表面延伸；一孔洞，自该沟槽的一底部朝该基底的该下表面延伸，其中该孔洞的一侧壁垂直于该基底的该下表面，且该孔洞的该侧壁或一底部露出部分的所述导电垫；以及一导电层，位于该孔洞之中且电性接触至少一所述导电垫。本发明不仅可增进结构可靠度，还能增加穿基底导通结构所连接的导电通路。
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公开(公告)号：CN102194777A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110059862.8
申请日：2011-03-11
Applicant: 精材科技股份有限公司
IPC: H01L23/48 , H01L23/485 , H01L21/60 , H01L23/00
CPC classification number: H01L23/49827 , H01L21/561 , H01L21/76805 , H01L23/3114 , H01L23/3178 , H01L23/481 , H01L24/06 , H01L24/32 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L2224/0557 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01014 , H01L2924/01021 , H01L2924/01033 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12041 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15788 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明提供一种晶片封装体及其形成方法，该晶片封装体包括：一基底，具有一上表面及一下表面；多个导电垫，位于该基底中或该下表面之下；一介电层，位于所述导电垫之间；一孔洞，自该基底的该上表面朝该下表面延伸并露出部分的所述导电垫；以及一导电层，位于该孔洞之中且电性接触所述导电垫。本发明不仅可增进结构可靠度，还能增加穿基底导通结构所连结的导电通路。
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公开(公告)号：CN102157483A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110025975.6
申请日：2011-01-20
Applicant: 精材科技股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L21/60
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L23/147 , H01L23/481 , H01L23/49827 , H01L27/14618 , H01L2224/02372 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/06181 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2924/1461 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种晶片封装体及其形成方法，该晶片封装体包括基底，具有上表面及下表面；晶片，设置于基底中或上；接垫，设置于基底中或上，其中接垫与晶片电性连接；孔洞，自下表面朝上表面延伸，且孔洞露出接垫，其中孔洞靠近下表面的下开口的口径小于孔洞靠近上表面的上开口的口径；绝缘层，位于孔洞的侧壁上；以及导电层，位于绝缘层上，且电性连接至接垫。本发明可使品片的封装及对于光线的接收或发射更为顺利，并可使后续形成露出接垫的绝缘层开口时，不需额外的光刻制程，且可避免晶片封装体中的各材料层受到应力破坏，从而有效提升晶片封装体的良率与可靠度。
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公开(公告)号：CN103295985B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201310167369.7
申请日：2011-03-11
Applicant: 精材科技股份有限公司
IPC: H01L23/48 , H01L23/485 , H01L21/60 , H01L23/00
CPC classification number: H01L23/49827 , H01L21/561 , H01L21/76805 , H01L23/3114 , H01L23/3178 , H01L23/481 , H01L24/06 , H01L24/32 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L2224/0557 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01014 , H01L2924/01021 , H01L2924/01033 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/12041 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15788 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明提供一种晶片封装体及其形成方法，该晶片封装体包括：一基底，具有一上表面及一下表面；多个导电垫，位于该基底中或该下表面之下；一介电层，位于所述导电垫之间；一孔洞，自该基底之该上表面朝该下表面延伸并露出部分的所述导电垫；以及一导电层，位于该孔洞之中且电性接触所述导电垫。本发明不仅可增进结构可靠度，还能增加穿基底导通结构所连接的导电通路。
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公开(公告)号：CN102157483B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201110025975.6
申请日：2011-01-20
Applicant: 精材科技股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L21/60
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L23/147 , H01L23/481 , H01L23/49827 , H01L27/14618 , H01L2224/02372 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/06181 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2924/1461 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种晶片封装体及其形成方法，该晶片封装体包括基底，具有上表面及下表面；晶片，设置于基底中或上；接垫，设置于基底中或上，其中接垫与晶片电性连接；孔洞，自下表面朝上表面延伸，且孔洞露出接垫，其中孔洞靠近下表面的下开口的口径小于孔洞靠近上表面的上开口的口径；绝缘层，位于孔洞的侧壁上；以及导电层，位于绝缘层上，且电性连接至接垫。本发明可使品片的封装及对于光线的接收或发射更为顺利，并可使后续形成露出接垫的绝缘层开口时，不需额外的光刻制程，且可避免晶片封装体中的各材料层受到应力破坏，从而有效提升晶片封装体的良率与可靠度。
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公开(公告)号：CN102891133A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201110209132.1
申请日：2011-07-22
Applicant: 精材科技股份有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种晶片封装体及其形成方法，该晶片封装体包括：一基底，具有一上表面及一下表面；多个导电垫，位于该基底的该下表面之下；一介电层，位于所述导电垫之间；一沟槽，自该基底的该上表面朝该下表面延伸；一孔洞，自该沟槽的一底部朝该基底的该下表面延伸，其中该孔洞的一上侧壁倾斜于该基底的该下表面，且该孔洞的一下侧壁或一底部露出部分的所述导电垫；以及一导电层，位于该孔洞之中且电性接触至少一所述导电垫。本发明不仅可增进结构可靠度，还能增加穿基底导通结构所连接的导电通路。
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