公开(公告)号：CN105118819A

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201510390579.1

申请日：2010-08-13

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 蔡佳伦 ,  郑家明 ,  尤龙生

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明提供一种晶片封装体，其可在实施封装层的切割制程前，先通过晶片保护层或增设的蚀刻阻挡层覆盖在导电垫上，避免导电垫被切割残余物损害及刮伤。本发明还可选择以晶片保护层、晶片保护层上增设的蚀刻阻挡层或与导电垫同一位阶高度的金属蚀刻阻挡层或其组合，来对结构蚀刻区的层间介电层和硅基板进行蚀刻，以形成开口，便于后续半导体结构的制作，同时提高晶片封装体的良率。

公开(公告)号：CN101969053B

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN201010273338.6

申请日：2008-09-23

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 蔡佳伦 ,  倪庆羽 ,  陈志杰 ,  钱文正

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/013

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包含：半导体晶片，具有第一表面；导电电极，曝露于该第一表面；保护层，覆盖该半导体晶片，该保护层具有在该导电电极上的贯穿的保护层开口；重布线路层，在该保护层上，该重布线路层经由该保护层开口电连接该导电电极，该重布线路层具有铝层；镍/金层，在该重布线路层的该铝层的上表面；以及防焊层，在该保护层与该重布线路层上，曝露出该重布线路层的端子及其上方的该镍/金层。

公开(公告)号：CN101887915B

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201010154381.0

申请日：2010-04-21

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 彭宝庆 ,  温英男 ,  张恕铭 ,  倪庆羽 ,  谢昀叡 ,  陈伟铭 ,  蔡佳伦 ,  郑家明

IPC: H01L29/78 ,  H01L23/52 ,  H01L23/482

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L23/492 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7809 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099

Abstract: 本发明提供一种功率金属氧化物半导体场效应晶体管封装体，包括：半导体基底，具有第一表面及相反的第二表面，导电型为第一导电型，且半导体基底形成漏极区；掺杂区，自第一表面向下延伸，导电型为第二导电型；源极区，位于掺杂区中，导电型为第一导电型；栅极，形成于第一表面上或埋于该第一表面内，且与半导体基底之间隔有栅极介电层；第一导电结构，位于半导体基底之上，具有第一端点，且与漏极区电性连接；第二导电结构，位于半导体基底之上，具有第二端点，且与源极区电性连接；第三导电结构，位于半导体基底之上，具有第三端点，且与栅极电性连接，其中第一端点、第二端点及第三端点大抵共平面。

公开(公告)号：CN101582397B

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN200810165777.8

申请日：2008-09-23

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 蔡佳伦 ,  倪庆羽 ,  陈志杰 ,  钱文正

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/013

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包含：半导体晶片，具有第一表面；导电电极，曝露于该第一表面；保护层，覆盖该半导体晶片，该保护层具有在该导电电极上的贯穿的保护层开口；重布线路层，在该保护层上，该重布线路层经由该保护层开口电连接该导电电极，该重布线路层具有铝层；镍/金层，在该重布线路层的该铝层的上表面；以及防焊层，在该保护层与该重布线路层上，曝露出该重布线路层的端子及其上方的该镍/金层。

公开(公告)号：CN101681848A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200880000375.0

申请日：2008-06-13

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 蔡佳伦 ,  钱文正 ,  李柏汉 ,  陈伟铭 ,  刘建宏 ,  温英男

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/485 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L21/76898 ,  H01L24/12 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14683 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05099

Abstract: 一种电子元件封装体，包括：一晶片，具有第一表面及相对的第二表面；及一沟槽，自第二表面向第一表面的方向延伸进入晶片本体中，其中沟槽底部包括两个以上的接触孔。

公开(公告)号：CN105118819B

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201510390579.1

申请日：2010-08-13

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 蔡佳伦 ,  郑家明 ,  尤龙生

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明提供一种晶片封装体，其可在实施封装层的切割制程前，先通过晶片保护层或增设的蚀刻阻挡层覆盖在导电垫上，避免导电垫被切割残余物损害及刮伤。本发明还可选择以晶片保护层、晶片保护层上增设的蚀刻阻挡层或与导电垫同一位阶高度的金属蚀刻阻挡层或其组合，来对结构蚀刻区的层间介电层和硅基板进行蚀刻，以形成开口，便于后续半导体结构的制作，同时提高晶片封装体的良率。

公开(公告)号：CN101853842B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN200910253237.X

申请日：2009-12-11

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 黄田昊 ,  吴上义 ,  蔡佳伦

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/12 ,  H01L25/00 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L33/62 ,  H01L25/075

CPC classification number: H01L33/486 ,  H01L33/62 ,  H01L33/642 ,  H01L33/647 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开一种芯片封装体及其制作方法，上述芯片封装体包括一承载基底，其具有一凹槽。多个彼此隔绝的导电层，设置于承载基底上。至少一芯片，设置于承载基底的凹槽中，其中上述芯片具有多个电极，上述电极电连接至该些导电层。及一导电通道，设置于承载基底中，导电通道通过该些导电层电连接至该芯片的电极，其中导电通道包括多个堆叠的孔洞。

公开(公告)号：CN102157492A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201110020991.6

申请日：2011-01-13

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 林佳升 ,  蔡佳伦 ,  徐长生 ,  李柏汉

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/48 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L21/481 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/3178 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/19 ,  H01L24/94 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14636 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种晶片封装体，晶片封装体包括半导体基底，具有第一表面和相对的第二表面。间隔层设置在半导体基底的第二表面下方，并且盖板设置在间隔层下方。形成凹陷部邻接半导体基底的侧壁，由半导体基底的第一表面至少延伸至间隔层。然后，保护层设置在半导体基底的第一表面之上以及凹陷部内。本发明可提升晶片封装体的信赖性，并避免导线层产生脱层现象。

公开(公告)号：CN102088012A

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200910225781.3

申请日：2009-12-07

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 倪庆羽 ,  蔡佳伦 ,  林南君 ,  楼百尧 ,  黄耀德 ,  陈伟铭

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/11 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明公开一种电子元件封装体及其制造方法，电子元件封装体包括含有多个电子元件芯片的半导体基底，保护层设置于半导体基底之上，具有一开口，导电凸块设置于保护层的开口内，以及应力释放结构设置于保护层内，且围绕导电凸块。电子元件封装体的制造方法包括形成保护层在半导体基底之上，图案化保护层，形成该第一开口及多个第二开口围绕第一开口；以及形成导电凸块在第一开口内，其中该些第二开口形成应力释放结构围绕导电凸块。

公开(公告)号：CN101969053A

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN201010273338.6

申请日：2008-09-23

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 蔡佳伦 ,  倪庆羽 ,  陈志杰 ,  钱文正

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/11 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/013

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包含：半导体晶片，具有第一表面；导电电极，暴露于该第一表面；保护层，覆盖该半导体晶片，该保护层具有在该导电电极上的贯穿的保护层开口；重布线路层，在该保护层上，该重布线路层经由该保护层开口电连接该导电电极，该重布线路层具有铝层；镍/金层，在该重布线路层的该铝层的上表面；以及防焊层，在该保护层与该重布线路层上，暴露出该重布线路层的端子及其上方的该镍/金层。