多栅极谐振沟道晶体管
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105026309A

    公开(公告)日:2015-11-04

    申请号:CN201380074000.X

    申请日:2013-03-28

    Abstract: 实施例包含一种振荡器,所述振荡器包括:放大器,其形成在衬底上;多栅极谐振沟道阵列,其形成在所述衬底上,所述多栅极谐振沟道阵列包含:(a)包含鳍状物的晶体管,所述鳍状物中的每一个鳍状物具有位于源极节点与漏极节点之间的沟道,并耦合到共用的源极触点和共用的漏极触点;以及(b)共用的第一三栅极和共用的第二三栅极,其耦合到所述鳍状物中的每一个鳍状物并且位于所述源极和所述漏极触点之间;其中当所述第一三栅极和第二三栅极的其中之一被周期性地激活以对所述鳍状物产生周期性向下的力时,所述鳍状物以第一频率机械地谐振。其它实施例包含一种非平面晶体管,在鳍状物上具有位于所述源极节点和漏极节点之间的沟道和三栅极;其中当所述第一三栅极被周期性地激活以对所述鳍状物产生周期性向下的力时,所述鳍状物以机械方式谐振。在本文中描述了其它实施例。

    局部层转移的系统和方法

    公开(公告)号:CN105874571B

    公开(公告)日:2019-12-17

    申请号:CN201380081028.6

    申请日:2013-12-18

    Abstract: 实施例包括一种装置,所述装置包括:第一层,所述第一层包括第一半导体开关元件,所述第一层耦合到第一接合材料的第一部分;以及第二层,所述第二层包括第二半导体开关元件,所述第二层耦合到第二接合材料的第二部分;其中,(a)第一层位于第二层之上,(b)第一部分直接连接到第二部分,并且(c)第一部分的第一侧壁是不均匀锯齿状的。本文中描述了其它实施例。

    多栅极谐振沟道晶体管
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105026309B

    公开(公告)日:2017-04-12

    申请号:CN201380074000.X

    申请日:2013-03-28

    Abstract: 实施例包含一种振荡器,所述振荡器包括:放大器,其形成在衬底上;多栅极谐振沟道阵列,其形成在所述衬底上,所述多栅极谐振沟道阵列包含:(a)包含鳍状物的晶体管,所述鳍状物中的每一个鳍状物具有位于源极节点与漏极节点之间的沟道,并耦合到共用的源极触点和共用的漏极触点;以及(b)共用的第一三栅极和共用的第二三栅极,其耦合到所述鳍状物中的每一个鳍状物并且位于所述源极和所述漏极触点之间;其中当所述第一三栅极和第二三栅极的其中之一被周期性地激活以对所述鳍状物产生周期性向下的力时,所述鳍状物以第一频率机械地谐振。其它实施例包含一种非平面晶体管,在鳍状物上具有位于所述源极节点和漏极节点之间的沟道和三栅极;其中当所述第一三栅极被周期性地激活以对所述鳍状物产生周期性向下的力时,所述鳍状物以机械方式谐振。在本文中描述了其它实施例。

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