公开(公告)号：CN102347301B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201110264934.2

申请日：2011-07-26

Applicant: 通用电气公司

Inventor： P·A·麦康内利 ,  K·M·迪罗歇 ,  S·史密斯 ,  L·A·普林西普

IPC: H01L23/488

CPC classification number: H01L23/562 ,  H01L23/5226 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/82047 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83194 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15151 ,  H01L2924/17151 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及芯片封装件积层的系统和方法。公开了一种制造芯片封装件的系统和方法。该芯片封装件包括：具有在其中形成的开口的基底再分布层(16)；粘合剂层(24)，其具有在其中形成的没有粘合剂材料的窗口(26)；以及裸芯(12)，其通过该粘合剂层(24)粘附到该基底再分布层(16)，该裸芯(12)与该窗口(26)对准使得只有该裸芯(12)的周边与该粘合剂层(24)接触。遮蔽元件(20)安置在该基底再分布层(16)和该粘合剂层(24)之间，其一般与形成在该基底再分布层(16)中的开口和该粘合剂层(24)的该窗口(26)对准，使得只有该遮蔽元件(20)的周边贴附到该粘合剂层(24)。该遮蔽元件(20)通过气隙(36)与该裸芯(12)隔离，并且配置成选择性地能从该粘合剂层(24)移除，以便暴露裸芯(12)的正面(52)。

公开(公告)号：CN102315190A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201110192482.1

申请日：2011-06-29

Applicant: 通用电气公司

Inventor： P·A·麦克康奈利 ,  K·M·迪罗歇 ,  S·史密斯 ,  D·P·坎宁安

IPC: H01L23/488

CPC classification number: H01L23/49838 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L23/49805 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/82 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明名称是“用于集成电路封装的电互连及其制造方法”。用于嵌入式芯片封装的互连部件(38)包括：介电层(42)、包括上接触焊盘(52，54)的第一金属层、包括下接触焊盘(56，58)的第二金属层、以及通过介电层(42)形成并且与上和下接触焊盘(52-58)接触以形成其间的电连接的金属化连接(62)。上接触焊盘(52，54)的第一表面固定到介电层(42)的顶面，并且下接触焊盘(56，58)的第一表面固定到介电层(42)的底面。互连部件(38)的第一侧的输入/输出(I/O)在与下接触焊盘(56，58)的第一表面相对的下接触焊盘(56，58)的表面上形成，并且互连部件(38)的第二侧的I/O在与上接触焊盘(52，54)的第一表面相对的上接触焊盘(52，54)的表面上形成。

公开(公告)号：CN101877348A

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：CN201010139544.8

申请日：2010-03-08

Applicant: 通用电气公司

Inventor： P·A·麦康奈利 ,  K·M·迪罗歇 ,  D·P·坎宁安

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

CPC classification number: H05K1/185 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L23/3672 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/642 ,  H01L23/645 ,  H01L23/647 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/2402 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/82047 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/1627 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3511 ,  H05K1/186 ,  H05K3/386 ,  H05K3/4644 ,  H05K2201/0195 ,  H05K2201/10515 ,  H05K2201/10674 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明名称为“用于堆叠的管芯嵌入式芯片堆积的系统和方法”。一种嵌入式芯片封装(ECP)包括沿垂直方向结合在一起以形成层压堆叠的多个重分布层，每个重分布层具有其中形成的通路。嵌入式芯片封装还包括嵌入在层压堆叠中的第一芯片和附连到层压堆叠并相对于第一芯片沿垂直方向堆叠的第二芯片，每个芯片具有多个芯片焊盘。嵌入式芯片封装还包括：置于层压堆叠的最外面的重分布层上的输入/输出(I/O)系统(86)；以及电耦合到I/O系统以将第一芯片和第二芯片电连接到I/O系统的多个金属互连。所述多个金属互连的每个延伸穿过相应的通路以与相邻重分布层上的金属互连、或第一芯片或第二芯片上的芯片焊盘形成直接金属连接。

公开(公告)号：CN102389320B

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201110190671.5

申请日：2011-06-28

Applicant: 通用电气公司

Inventor： J·J·肖 ,  K·M·迪罗歇

IPC: A61B6/06

CPC classification number: G21K1/025

Abstract: 一种制造防散射X‑射线滤线栅器件(10)的方法以及由该方法制造的X‑射线滤线栅器件(10)包括：提供由基本上不吸收X‑射线的材料(16)制成的衬底(14)，在衬底(14)中包括通道(18)；在通道(18)的侧壁(20)上施加(32)同样基本上不吸收X‑射线的材料(34)的层，其中该层包含第二材料(34)；然后在通道(18)的一部分中施加(44)显著吸收X‑射线的材料(42)，以便定义多个X‑射线吸收元件(12)。就具体实施例描述了本发明，并且意识到，除了那些明确叙述的内容之外，等效物、备选和修改都是可能的并且在随附权利要求的范围内。

公开(公告)号：CN101877348B

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN201010139544.8

申请日：2010-03-08

Applicant: 通用电气公司

Inventor： P·A·麦康奈利 ,  K·M·迪罗歇 ,  D·P·坎宁安

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

CPC classification number: H05K1/185 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L23/3672 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/642 ,  H01L23/645 ,  H01L23/647 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/2402 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/82047 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/1627 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3511 ,  H05K1/186 ,  H05K3/386 ,  H05K3/4644 ,  H05K2201/0195 ,  H05K2201/10515 ,  H05K2201/10674 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明名称为“用于堆叠的管芯嵌入式芯片堆积的系统和方法”。一种嵌入式芯片封装(ECP)包括沿垂直方向结合在一起以形成层压堆叠的多个重分布层，每个重分布层具有其中形成的通路。嵌入式芯片封装还包括嵌入在层压堆叠中的第一芯片和附连到层压堆叠并相对于第一芯片沿垂直方向堆叠的第二芯片，每个芯片具有多个芯片焊盘。嵌入式芯片封装还包括：置于层压堆叠的最外面的重分布层上的输入/输出(I/O)系统(86)；以及电耦合到I/O系统以将第一芯片和第二芯片电连接到I/O系统的多个金属互连。所述多个金属互连的每个延伸穿过相应的通路以与相邻重分布层上的金属互连、或第一芯片或第二芯片上的芯片焊盘形成直接金属连接。

公开(公告)号：CN102315190B

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201110192482.1

申请日：2011-06-29

Applicant: 通用电气公司

Inventor： P·A·麦克康奈利 ,  K·M·迪罗歇 ,  S·史密斯 ,  D·P·坎宁安

IPC: H01L23/488

CPC classification number: H01L23/49838 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L23/49805 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/82 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明名称是“用于集成电路封装的电互连及其制造方法”。用于嵌入式芯片封装的互连部件(38)包括：介电层(42)、包括上接触焊盘(52，54)的第一金属层、包括下接触焊盘(56，58)的第二金属层、以及通过介电层(42)形成并且与上和下接触焊盘(52-58)接触以形成其间的电连接的金属化连接(62)。上接触焊盘(52，54)的第一表面固定到介电层(42)的顶面，并且下接触焊盘(56，58)的第一表面固定到介电层(42)的底面。互连部件(38)的第一侧的输入/输出(I/O)在与下接触焊盘(56，58)的第一表面相对的下接触焊盘(56，58)的表面上形成，并且互连部件(38)的第二侧的I/O在与上接触焊盘(52，54)的第一表面相对的上接触焊盘(52，54)的表面上形成。

公开(公告)号：CN102389320A

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：CN201110190671.5

申请日：2011-06-28

Applicant: 通用电气公司

Inventor： J·J·肖 ,  K·M·迪罗歇

IPC: A61B6/06

CPC classification number: G21K1/025

Abstract: 一种制造防散射X-射线滤线栅器件(10)的方法以及由该方法制造的X-射线滤线栅器件(10)包括：提供由基本上不吸收X-射线的材料(16)制成的衬底(14)，在衬底(14)中包括通道(18)；在通道(18)的侧壁(20)上施加(32)同样基本上不吸收X-射线的材料(34)的层，其中该层包含第二材料(34)；然后在通道(18)的一部分中施加(44)显著吸收X-射线的材料(42)，以便定义多个X-射线吸收元件(12)。就具体实施例描述了本发明，并且意识到，除了那些明确叙述的内容之外，等效物、备选和修改都是可能的并且在随附权利要求的范围内。

公开(公告)号：CN102347301A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201110264934.2

申请日：2011-07-26

Applicant: 通用电气公司

Inventor： P·A·麦康内利 ,  K·M·迪罗歇 ,  S·史密斯 ,  L·A·普林西普

IPC: H01L23/488

CPC classification number: H01L23/562 ,  H01L23/5226 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/82047 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83194 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15151 ,  H01L2924/17151 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及芯片封装件积层的系统和方法。公开了一种制造芯片封装件的系统和方法。该芯片封装件包括：具有在其中形成的开口的基底再分布层(16)；粘合剂层(24)，其具有在其中形成的没有粘合剂材料的窗口(26)；以及裸芯(12)，其通过该粘合剂层(24)粘附到该基底再分布层(16)，该裸芯(12)与该窗口(26)对准使得只有该裸芯(12)的周边与该粘合剂层(24)接触。遮蔽元件(20)安置在该基底再分布层(16)和该粘合剂层(24)之间，其一般与形成在该基底再分布层(16)中的开口和该粘合剂层(24)的该窗口(26)对准，使得只有该遮蔽元件(20)的周边贴附到该粘合剂层(24)。该遮蔽元件(20)通过气隙(36)与该裸芯(12)隔离，并且配置成选择性地能从该粘合剂层(24)移除，以便暴露裸芯(12)的正面(52)。