성막 장치
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:KR102202347B1

    公开(公告)日:2021-01-12

    申请号:KR1020190069236

    申请日:2019-06-12

    Abstract: (과제) 동일한성막장치에있어서성막되는박막의막질을다양하게제어할수 있는기술을제공한다. (해결수단) 본개시의성막장치는, 진공배기가능한처리용기와, 하부전극과, 상부전극과, 가스공급부와, 전압인가부와, 전환부를구비한다. 하부전극에는, 처리용기내에서피처리기판이탑재된다. 상부전극은, 처리용기내에서하부전극에대향하여배치된다. 가스공급부는, 상부전극과하부전극의사이의처리공간에서플라즈마화하는성막원료가스를처리공간에공급한다. 전압인가부는, 고주파전원및 직류전원을갖고, 고주파전원및 직류전원중 적어도한쪽으로부터출력되는전압을상부전극에인가한다. 전환부는, 상부전극에인가되는전압을, 고주파전원으로부터출력되는고주파전압과, 직류전원으로부터출력되는직류전압과, 고주파전압에직류전압이중첩된중첩전압에서전환한다.

    성막 방법
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:KR1020200144531A

    公开(公告)日:2020-12-29

    申请号:KR1020200178706

    申请日:2020-12-18

    Abstract: (과제) 동일한성막장치에있어서성막되는박막의막질을다양하게제어할수 있는기술을제공한다. (해결수단) 본개시의성막장치는, 진공배기가능한처리용기와, 하부전극과, 상부전극과, 가스공급부와, 전압인가부와, 전환부를구비한다. 하부전극에는, 처리용기내에서피처리기판이탑재된다. 상부전극은, 처리용기내에서하부전극에대향하여배치된다. 가스공급부는, 상부전극과하부전극의사이의처리공간에서플라즈마화하는성막원료가스를처리공간에공급한다. 전압인가부는, 고주파전원및 직류전원을갖고, 고주파전원및 직류전원중 적어도한쪽으로부터출력되는전압을상부전극에인가한다. 전환부는, 상부전극에인가되는전압을, 고주파전원으로부터출력되는고주파전압과, 직류전원으로부터출력되는직류전압과, 고주파전압에직류전압이중첩된중첩전압에서전환한다.

    성막 방법
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:KR102244353B1

    公开(公告)日:2021-04-23

    申请号:KR1020200178706

    申请日:2020-12-18

    Abstract: (과제) 동일한성막장치에있어서성막되는박막의막질을다양하게제어할수 있는기술을제공한다. (해결수단) 본개시의성막장치는, 진공배기가능한처리용기와, 하부전극과, 상부전극과, 가스공급부와, 전압인가부와, 전환부를구비한다. 하부전극에는, 처리용기내에서피처리기판이탑재된다. 상부전극은, 처리용기내에서하부전극에대향하여배치된다. 가스공급부는, 상부전극과하부전극의사이의처리공간에서플라즈마화하는성막원료가스를처리공간에공급한다. 전압인가부는, 고주파전원및 직류전원을갖고, 고주파전원및 직류전원중 적어도한쪽으로부터출력되는전압을상부전극에인가한다. 전환부는, 상부전극에인가되는전압을, 고주파전원으로부터출력되는고주파전압과, 직류전원으로부터출력되는직류전압과, 고주파전압에직류전압이중첩된중첩전압에서전환한다.

    성막 장치
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:KR102225930B1

    公开(公告)日:2021-03-09

    申请号:KR1020180051439

    申请日:2018-05-03

    Inventor: 뎀포가즈키

    Abstract: 본발명의과제는막의면내균일성을높이는것이가능한성막장치를제공하는것이다. 해결수단으로서, 일실시형태의성막장치는, 기판을탑재하는탑재대와, 상기탑재대와대향하고, 상기탑재대와의사이에처리공간을형성하는천장판과, 상기기판에대하여수평방향으로부터상기처리공간에원료가스를공급하는가스공급부를구비하며, 상기탑재대와상기천장판의대향면의간격이, 상기원료가스의흐름방향의상류측보다하류측쪽이넓어지도록, 상기천장판측또는상기탑재대측의대향면이경사져있다.

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