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公开(公告)号：KR1020160130994A
公开(公告)日：2016-11-15
申请号：KR1020167022025
申请日：2015-02-23
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01J37/32 , H01L21/02 , H01L43/12 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/345 , C23C16/4412 , C23C16/45523 , C23C16/45529 , C23C16/45536 , C23C16/45548 , C23C16/45561 , C23C16/511 , H01J37/32119 , H01J37/32192 , H01J37/32238 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J2237/3321 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L43/12
Abstract: 전자파방전방식의플라즈마처리장치에있어서, 유전체창가스유로내의이상방전을방지하면서, 유전체창가스유로내의가스의전환을단시간에행하여, 상이한종류의플라즈마처리공정을교대로일정한사이클로반복하는프로세스의고속화를실현한다. 이플라즈마처리장치는처리가스공급부(80)로부터제공되는처리가스를챔버(12) 내에도입하기위한가스도입기구로서, 3계통의가스라인, 즉유전체창(18)에가스유로(96) 및가스분출구(94)를마련하는천장가스라인(82)과, 상이한높이위치로챔버(12)의측벽(12a)에가스유로(100, 108) 및가스분출구(102, 110)를각각마련하는하부측벽가스라인(84) 및상부측벽가스라인(86)을구비하고있다. 그리고, 천장가스라인(82)의제1 가스공급관(90)과배기부(55, 56)를잇는바이패스배기라인(116)을구비하고있다.
Abstract translation: 一种用于交替地执行使用第一和第二处理气体的第一等离子体处理步骤的等离子体处理装置和使用第三和第四处理气体的第二等离子体处理步骤 该装置包括：处理容器，其在天花板中具有介电窗口并可移除地容纳工件; 排气单元，其排出处理容器; 处理气体供应单元，其将第一，第二，第三和第四处理气体供应到处理容器中; 第一气体导入单元，包括顶板气体注入口，电介质窗口气体流路和第一外部气体流路; 第二气体引入单元，包括侧壁气体注入口，侧壁气体流路和第二外部气体流路; 向所述等离子体产生空间供给电磁波的电磁波供给部; 旁路排气通道; 和开闭阀。
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公开(公告)号：KR1020140106417A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：KR1020140020308
申请日：2014-02-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32192 , H01J37/32229 , H01J37/3244
Abstract: The present invention is to reduce the electric intensity of a path to supply processing gas to be plasmatized. A plasma processing apparatus comprises a processing container, a microwave generator, a dielectric member, an injector, and a dielectric waveguide plate. The processing container is divided for a processing room, and the microwave generator generates microwave for plasma excitation. The dielectric member introduces the microwave generated by the microwave generator into the processing room, as installed in the processing container to seal the processing room. The injector supplies a processing gas plasmatized by the microwave to the processing room through a penetrating hole formed on the dielectric member, as installed inside the dielectric member. And the dielectric waveguide plate guides the microwave diffused inside the dielectric member through the penetrating hole to the inner side of the injector, as arranged inside the injector to cover the penetrating hole of the dielectric member.
Abstract translation: 本发明是为了降低供给等离子体化处理气体的路径的电气强度。 等离子体处理装置包括处理容器，微波发生器，电介质构件，注射器和电介质波导板。 处理容器分为处理室，微波发生器产生用于等离子体激发的微波。 介电部件将由微波发生器产生的微波引入加工室内，安装在处理容器中以密封处理室。 喷射器通过形成在电介质构件上的贯穿孔将微波等离子体的处理气体提供给处理室，安装在电介质构件的内部。 并且电介质波导板将布置在电介质构件内部的微波通过穿透孔引导到喷射器的内侧，布置在喷射器内部以覆盖电介质构件的穿透孔。
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公开(公告)号：KR101597054B1
公开(公告)日：2016-02-23
申请号：KR1020140170322
申请日：2014-12-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32513 , H01J37/32192 , H01J37/32522
Abstract: 플라즈마처리장치와반송챔버사이의단열성을손상시키는일없이, 플라즈마처리장치내부로부터의마이크로파의누설을효율적으로방지한다. 인접하는챔버와의사이에서상기피처리체를반입출시키기위한개구부를갖는처리용기와, 상기처리용기내에마이크로파를도입하는마이크로파도입기구와, 상기처리용기를진공상태로하는배기장치와, 상기개구부근방에마련되는게이트밸브에있어서, 상기게이트밸브의외면과상기처리용기에인접하는챔버사이에설치되는단열부재를구비하고, 상기단열부재에는, 적어도상기단열부재와상기게이트밸브의외면의대향면, 상기단열부재와상기처리용기에인접하는챔버의대향면, 및상기단열부재의외기에노출되는면에서도전성피막이피복되어있는, 플라즈마처리장치.
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公开(公告)号：KR1020150064075A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：KR1020157009185
申请日：2013-09-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/314 , H05H1/46 , C23C16/455 , H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32238 , C23C16/345 , C23C16/45536 , C23C16/45544 , C23C16/45551 , C23C16/4584 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/32229 , H01J37/32357 , H01J37/32715 , H01J37/32733 , H01J2237/332 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H05H1/46 , H05H2001/4622
Abstract: 일측면에따른성막장치에서는, 배치대가축선중심으로회전함으로써, 기판배치영역에배치된기판이처리용기내의제1 영역및 제2 영역을순서대로통과한다. 제1 영역에는, 전구체가스가공급된다. 제2 영역에서는, 플라즈마생성부에의해, 반응가스의플라즈마가생성된다. 플라즈마생성부는, 플라즈마원으로서마이크로파를공급하는안테나를갖는다. 안테나는, 유전체제의창 부재및 도파관을포함하고있다. 창부재는, 제2 영역위에설치되어있다. 도파관은, 창부재상에설치되어있다. 도파관은, 축선에대하여방사방향으로연장되는도파로를획정하고있다. 도파관에는, 도파로로부터창 부재를향해마이크로파를통과시키기위한복수의슬롯구멍이형성되어있다. 창부재의하면은, 축선에대하여방사방향으로연장되는홈을획정하고있다.
Abstract translation: 在根据一个方面的成膜装置中，批料围绕轴线旋转，使得设置在基材设置区域中的基材顺序地通过处理容器中的第一区域和第二区域。 在第一区域中，提供前体气体。 在第二区域中，反应气体的等离子体由等离子体产生部分产生。 等离子体发生器具有用于供应微波作为等离子体源的天线。 天线包括由电介质材料和波导构成的窗部件。 窗部件设置在第二区域上。 波导安装在窗口部件上。 波导限定了相对于轴线在径向方向上延伸的波导。 在波导中，形成多个用于从波导向窗口部件传送微波的槽孔。 窗部件的下表面限定了相对于轴线在径向方向上延伸的凹槽。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR102217492B1
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：KR1020167022025
申请日：2015-02-23
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01J37/32 , H01L21/02 , H01L43/12 , C23C16/455
Abstract: 전자파방전방식의플라즈마처리장치에있어서, 유전체창가스유로내의이상방전을방지하면서, 유전체창가스유로내의가스의전환을단시간에행하여, 상이한종류의플라즈마처리공정을교대로일정한사이클로반복하는프로세스의고속화를실현한다. 이플라즈마처리장치는처리가스공급부(80)로부터제공되는처리가스를챔버(12) 내에도입하기위한가스도입기구로서, 3계통의가스라인, 즉유전체창(18)에가스유로(96) 및가스분출구(94)를마련하는천장가스라인(82)과, 상이한높이위치로챔버(12)의측벽(12a)에가스유로(100, 108) 및가스분출구(102, 110)를각각마련하는하부측벽가스라인(84) 및상부측벽가스라인(86)을구비하고있다. 그리고, 천장가스라인(82)의제1 가스공급관(90)과배기부(55, 56)를잇는바이패스배기라인(116)을구비하고있다.
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公开(公告)号：KR1020150073086A
公开(公告)日：2015-06-30
申请号：KR1020140177590
申请日：2014-12-10
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , H01L21/3065 , H05H1/46
CPC classification number: C23C16/345 , C23C16/45561 , C23C16/4558 , C23C16/511
Abstract: 기판처리장치의처리용기내에처리가스를도입할때에, 상기처리가스가경유하는확산실내에서의가스의흐름을최적화함으로써, 처리용기내에도입되는처리가스의균일화를행한다. 처리가스에의해피처리체를처리하는기판처리장치로서, 피처리체를수용하는처리용기와, 상기처리용기내에마련되고, 피처리체를배치하는배치부와, 상기처리용기의측면에마련되며, 상기처리용기의내부에처리가스를공급하는처리가스공급부와, 상기처리가스공급부의외방에마련되는처리가스확산기구를구비하고, 상기처리가스확산기구는다단으로마련된제1 확산실과제2 확산실로구성되며, 상기제1 확산실은상기제2 확산실의상방에위치하고, 이들제1 확산실과제2 확산실은복수의처리가스연통로를통해연통하고있는것을특징으로하는, 기판처리장치가제공된다.
Abstract translation: 当处理气体被引入基板处理装置的处理容器中时，工艺气体通过的扩散室中的气流被优化，从而使引入到处理容器中的处理气体相等。 提供了一种通过处理气体处理物体的基板处理装置，该处理气体包括存储该物体的处理容器; 形成在处理容器中的布置部件，并且布置该物体; 处理气体供给部，其形成在所述处理容器的侧面，并且将所述处理气体供给到所述处理容器内; 以及处理气体扩散工具，其形成在处理气体供给部分的外侧，其中处理气体扩散工具由多级形成的第一扩散室和第二扩散室组成，第一扩散室位于 第二扩散室和第一扩散室和第二扩散室通过多个处理气体连接路径连接。
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公开(公告)号：KR101661076B1
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：KR1020157009185
申请日：2013-09-30
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/02 , H01L21/314 , H05H1/46 , C23C16/455 , H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32238 , C23C16/345 , C23C16/45536 , C23C16/45544 , C23C16/45551 , C23C16/4584 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/32229 , H01J37/32357 , H01J37/32715 , H01J37/32733 , H01J2237/332 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H05H1/46 , H05H2001/4622
Abstract: 일측면에따른성막장치에서는, 배치대가축선중심으로회전함으로써, 기판배치영역에배치된기판이처리용기내의제1 영역및 제2 영역을순서대로통과한다. 제1 영역에는, 전구체가스가공급된다. 제2 영역에서는, 플라즈마생성부에의해, 반응가스의플라즈마가생성된다. 플라즈마생성부는, 플라즈마원으로서마이크로파를공급하는안테나를갖는다. 안테나는, 유전체제의창 부재및 도파관을포함하고있다. 창부재는, 제2 영역위에설치되어있다. 도파관은, 창부재상에설치되어있다. 도파관은, 축선에대하여방사방향으로연장되는도파로를획정하고있다. 도파관에는, 도파로로부터창 부재를향해마이크로파를통과시키기위한복수의슬롯구멍이형성되어있다. 창부재의하면은, 축선에대하여방사방향으로연장되는홈을획정하고있다.
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公开(公告)号：KR101541642B1
公开(公告)日：2015-08-03
申请号：KR1020140020308
申请日：2014-02-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32192 , H01J37/32229 , H01J37/3244
Abstract: 본발명은플라즈마화되는처리가스를공급하기위한경로의전계강도를저감시키는것을목적으로한다. 플라즈마처리장치는, 처리공간을구획하는처리용기와, 플라즈마여기용마이크로파를발생하는마이크로파발생기를구비한다. 또한, 플라즈마처리장치는, 처리공간을밀폐하도록처리용기에장착되어, 마이크로파발생기에의해발생되는마이크로파를처리공간으로도입하는유전체부재를구비한다. 또한, 플라즈마처리장치는, 유전체부재의내부에설치되어, 마이크로파에의해플라즈마화되는처리가스를유전체부재에형성된관통구멍을통해처리공간에공급하는인젝터를구비한다. 또한, 플라즈마처리장치는, 유전체부재의관통구멍을둘러싸도록인젝터의내부에배치되어, 관통구멍을향해유전체부재의내부를전파하는마이크로파를인젝터의내부측에도파하는유전체제(製)의도파판을구비한다.
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公开(公告)号：KR1020150064690A
公开(公告)日：2015-06-11
申请号：KR1020140170322
申请日：2014-12-02
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H05H1/46 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32513 , H01J37/32192 , H01J37/32522 , H05H1/46 , H01L21/3065 , H01L21/67126
Abstract: 플라즈마처리장치와반송챔버사이의단열성을손상시키는일없이, 플라즈마처리장치내부로부터의마이크로파의누설을효율적으로방지한다. 인접하는챔버와의사이에서상기피처리체를반입출시키기위한개구부를갖는처리용기와, 상기처리용기내에마이크로파를도입하는마이크로파도입기구와, 상기처리용기를진공상태로하는배기장치와, 상기개구부근방에마련되는게이트밸브에있어서, 상기게이트밸브의외면과상기처리용기에인접하는챔버사이에설치되는단열부재를구비하고, 상기단열부재에는, 적어도상기단열부재와상기게이트밸브의외면의대향면, 상기단열부재와상기처리용기에인접하는챔버의대향면, 및상기단열부재의외기에노출되는면에서도전성피막이피복되어있는, 플라즈마처리장치.
Abstract translation: 可以有效地防止来自等离子体处理装置的内部的微波的泄漏，而不损害等离子体处理装置与返回室之间的绝缘性能。 等离子体处理装置包括具有用于在相邻室之间取出物体的开口部的处理容器; 微波感应工具，在工艺容器中引起微波; 制造处理容器的排气装置被抽真空; 以及绝缘构件，其安装在围绕所述开口部分形成的闸阀的外表面和与所述处理容器相邻的所述室之间，其中，在绝缘构件的至少外表面的相对表面上涂覆有导电涂膜， 闸门，与绝缘构件相邻的腔室的面对表面和处理容器，以及暴露于绝缘构件的外部空气的表面。
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