Abstract:
본발명은위치정보운용에관한것으로, 다양한실시예는실행중인또는실행요청된어플리케이션에지정된위치정보조건을확인하는동작, 상기확인된위치정보조건에대응하는방식으로위치정보를수집하는동작, 수집된상기위치정보를상기어플리케이션에제공하는동작을포함하는위치관련정보제공방법과이를지원하는전자장치를개시할수 있다. 여기서본 발명이상술한구성에한정되는것은아니며, 발명의상세한설명에기재된다양한실시예들로서이해되어야할 것이다.
Abstract:
본 발명은 무선통신 시스템에서 전자장치의 핸드오버 및 기지국(셀) 재선택을 제공하기 위한 방법 및 장치에 관한 것으로, 특히 무선통신 시스템에서 기지국의 부하(Load)를 고려하여 핸드오버 또는 기지국(셀) 재선택을 제공하기 위한 방법 및 장치에 관한 것이다. 본 발명의 어떤 실시예에 따른 방법은, 무선통신 시스템의 전자장치에서 핸드오버를 수행하기 위한 방법으로, 핸드오버가 필요할 시 서빙 기지국 및 인접한 기지국들로부터의 수신신호세기를 측정하고, 상기 서빙 기지국 및 상기 인접한 기지국들의 부하 정보를 획득하는 단계; 상기 측정된 수신신호세기를 이용하여 핸드오버가 가능한 제1후보 기지국들을 선택하는 단계; 상기 제1후보 기지국들의 상기 부하 정보에 근거하여 핸드오버가 가능한 제2후보 기지국들을 선택하는 단계; 및 상기 선택된 제2후보 기지국들로부터의 상기 수신신호세기 정보와 핸드오버 요청 메시지를 상기 서빙 기지국으로 송신하는 단계;를 포함할 수 있다.
Abstract:
PURPOSE: A non-volatile memory device and a manufacturing method thereof are provided to from a plurality of program areas which stores data in one memory filler by extending a memory filler to a first direction. CONSTITUTION: A conductive pillar(630) is formed by extending to a first direction from a substrates. A variable resistor(620) surrounds the conductive filler. A switching material layer(610) surrounds the variable resistor. A first conductive layer(410_1) is formed to a second direction which crosses with the first direction. A first electrode(510_1) touches with the first conductive layer and the switching material layer.
Abstract:
PURPOSE: A variable resistance memory device, a manufacturing method thereof, and a memory system including the same are provided to improve an operation property of a variable resistance material by etching the variable resistance material after etching the variable resistance material. CONSTITUTION: An interlayer insulation layer including trenches is formed on lower electrodes(227). A variable resistance material(235) is formed on the interlayer insulation layer and the trenches. A planarization process is performed on the variable resistance material to expose the upper side of the interlayer insulation layer. A contamination material(237) is removed on the variable resistance material inside the trenches by etching the variable resistance material inside the trenches. An upper electrode is formed on the variable resistance pattern.
Abstract:
저온 증착용 금속 전구체, 그를 사용한 금속 박막 형성 방법 및 상변화 메모리 소자 제조 방법을 제공한다. 상기 금속 전구체는 고리를 구성하는 원소들 중 적어도 하나가 금속인 금속 고리화합물이다. 이로써, 금속 박막의 증착 온도를 감소시킬 수 있다. 나아가, 상기 금속 고리화합물을 금속 전구체로 사용함으로써 미세한 비아홀 내에 금속 박막을 보이드 없이 채울 수 있다.
Abstract:
A power supply apparatus and a power supply control method thereof are provided to offer power to a load stably by controlling power flow of primary and secondary batteries. A power supply apparatus(100) includes a primary power supply unit(10), a secondary battery unit(40), and a control unit(60). The primary power supply unit supplies a first power level of primary power to an electronic apparatus(200). The secondary battery unit supplies a second power level of secondary power to the electronic apparatus. The control unit controls the secondary battery unit so that a sum of the first and second power levels reaches a required power level of the electronic apparatus when the first power level is lower than the required power level of the electronic apparatus.