Abstract:
PURPOSE: An electrode structure, a manufacturing method thereof, a transistor including the same, a display device, a touch screen panel, and a solar cell are provided to constantly maintain the thickness of a transparent electrode layer by inserting a reinforcement pattern into the transparent electrode layer. CONSTITUTION: A transparent electrode layer(120) includes transparent conductive materials. A reinforcement pattern(130) is arranged in the transparent electrode layer. The reinforcement pattern reinforces the transparent electrode layer. The reinforcement pattern includes one of a lattice type, a linear type, or a dot type. A flexible substrate(110) supports the transparent electrode layer and the reinforcement pattern.
Abstract:
본 발명은 AZO막을 포함하는 태양전지의 제조방법에 관한 것으로, 태양광이 입사하는 반대 측에 형성된 투명전도막층을 포함하는 태양전지의 제조방법에 있어서, 알루미늄이 첨가된 산화아연 타겟을 이용한 스퍼터링에 의하여 상기 투명전도막층을 형성하는 공정을 포함하며, 상기 스퍼터링이 150℃~200℃의 온도범위에서 진행되는 것을 특징으로 한다. 본 발명은, 최적화된 조건에서 AZO막을 형성함으로써, 후면전극 또는 후면반사막으로 AZO막을 사용한 태양전지를 제공하는 효과가 있다. 또한, 후면전극 또는 후면반사막으로 AZO막을 사용하여 태양전지의 효율이 향상되는 효과가 있다.
Abstract:
본 발명은 전하저장 소자 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 기판, 상기 기판 상에 형성된 터널링 절연막, 상기 터널링 절연막 상에 형성되어 제1밴드갭 에너지를 구비하는 전하 저장막, 상기 전하 저장막 상에 상기 전하 저장막의 증착에 이용된 혼합가스와 동일한 혼합가스로 형성되어 제2밴드갭 에너지를 구비하는 블로킹 절연막 및 상기 블로킹 절연막 상에 형성된 컨트롤 게이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 전하저장 소자를 포함하는 구성을 마련한다. 상기와 같은 전하저장 소자 및 그의 제조방법을 이용하는 것에 의해, 동일한 혼합가스를 이용하여 전하 저장막 및 블로킹 절연막을 형성함으로써 제조공정을 단순화시켜 메모리 소자의 제조단가를 낮출 수 있고, 밴드갭 에너지 차이에 의해 전하를 저장하는 방법과 트랩에 의하여 전하를 저장하는 방법을 모두 사용함으로써 전하저장 특성을 향상시킬 수 있다. 전하저장, 소자, 터널링, 밴드갭, 트랩
Abstract:
본 발명은 플라즈마 건식 식각으로 인해 태양전지에 생긴 표면 손상을 제거하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 태양전지 표면손상 제거방법은, 플라즈마 건식 식각 공정으로 인한 태양전지의 표면손상을 제거하는 방법으로서, 플라즈마 건식 식각 공정을 마친 태양전지 기판의 표면에 산화막을 형성하는 것을 특징으로 한다. 산화막을 형성하는 방법은 질산용액에 상기 태양전지 기판을 침지하여 이루어지는 것이 바람직하며, 질산용액이 50%농도의 질산용액이고 침지하는 시간이 10~20분일 수 있다. 본 발명에 따르면, 태양전지의 표면에 얇은 두께의 산화막을 형성하는 것만으로도 플라즈마 건식 식각으로 인한 표면 손상을 해소함으로써, 태양전지의 표면을 추가적으로 식각하여 발생하는 여러 가지 문제점들을 미연에 방지할 수 있다. 또한 본 발명은 질산용액에 태양전지 기판을 침지하는 간단한 공정으로 태양전지의 표면 손상을 해소함으로써, 공정효율이 크게 향상되는 효과가 있다. 태양전지, 플라즈마, 건식 식각, 건식에칭, 표면 손상, 표면 손상
Abstract:
A hierarchical service discovery system and a method thereof are provided to enable a discovery agent to collect services existing in each domain by mutually interworking with heterogeneous service discovery protocols, so that a user of an agent platform can use the collected services. An LSD(Lightweight Service Discovery)(103) is designed as a lightweight service discovery protocol appropriate for an ad hoc environment having limited resources. The LSD(103) generates a discovery agent on an agent platform suited to the ad hoc environment. The discovery agent receives a service registration message sent from a UPnP(Universal Plug and Play) protocol to store the received message within the agent platform, so that another agent can use the message. A user agent of the agent platform is able to search an ad hoc network, a home network, and even an Internet range through a one-time searching function.
Abstract:
본 발명은 표면 텍스처가 형성된 유리기판의 상면에 박막형 태양전지를 제조함으로써 종래의 박막형 태양전지에 비해 단면적을 증가시키며, 표면 텍스처가 형성된 3차원 형태의 유리기판에 입사된 빛이 표면에서 반사되는 것을 감소시키고 동시에 태양전지 구조 내에서 다중 반사가 일어나게 되어 단락전류 특성을 향상시켜, 초고효율을 나타낼 수 있는 박막형 태양전지 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
Abstract:
PURPOSE: A nano crystal silicon layer structure using plasma deposition technology, a nonvolatile memory device including the same, and forming methods thereof are provided to reduce manufacturing processes of the nonvolatile memory device by directly depositing the nano crystal silicon layer on the glass substrate. CONSTITUTION: A gate electrode(55) is formed on a substrate(51). A multilayer insulation layer(63) is formed on a gate electrode. A first nano crystal silicon layer(65) is formed on the multilayer insulation layer using plasma deposition technology using gas containing hydrogen and silicon on the multilayer insulation layer. A metal electrode layer is formed on the first nano crystal silicon layer. A source electrode(69) and a drain electrode(71) are formed by patterning a metal electrode layer.
Abstract:
본 발명은 플라즈마 증착 기술을 이용한 나노결정 실리콘막 구조체, 그의 형성방법, 나노결정 실리콘막 구조체를 구비하는 비휘발성 메모리 소자 및 그의 형성방법에 관한 것으로, 나노결정 실리콘막 구조체의 형성방법에 있어서, 기판 상에 버퍼막을 형성하는 단계 및 상기 버퍼막 상에 실리콘과 수소의 각각을 함유하는 가스를 이용한 플라즈마 증착 기술로 나노결정 실리콘막을 형성하는 단계를 포함한다. 상기와 같은 플라즈마 증착 기술을 이용한 나노결정 실리콘막 구조체, 그의 형성방법, 나노결정 실리콘막 구조체를 구비하는 비휘발성 메모리 소자 및 그의 형성방법에 의해, 종래기술에서와 같은 후처리 공정을 수행하지 않고 플라즈마 기상 증착법으로 유리기판 상에 나노결정 실리콘막을 직접 증착함으로써 비휘발성 메모리 소자의 제조공정을 줄여 제조단가를 낮출 수 있다. 비휘발성 메모리 소자, 나노결정, 실리콘, 플라즈마, 평판형 디스플레이
Abstract:
PURPOSE: A solar cell surface damage removing method and a solar cell manufacturing method using the same are provided to improve the process efficiency remarkably by preventing the surface damage of the solar cell with simple method of dipping a solar cell substrate in the nitride solution. CONSTITUTION: An emitter layer(110) is formed by injecting the impurity material of second conductive type into a substrate(100). A front side reflection barrier layer(120) is formed on the emitter layer in order to lower the reflectivity of sunlight. A front electrode is formed to pass through the front side reflection barrier layer and contact the emitter layer.
Abstract:
PURPOSE: A thin film transistor, a method for forming the same, and a flat panel display device with the same are provided to prevent loss of a drain area, thereby improving lifetime and performance. CONSTITUTION: A buffer layer(13), a preliminary channel area, an insulating layer, and a gate electrode layer are successively formed on a substrate(11). The gate electrode layer and the insulating layer are patterned successively so that a gate pattern(22) is formed. Impurity is doped in the exposed preliminary channel area to define a channel area(15). A protection layer(27) is formed on the front side of the substrate with source and drain areas. The first contact hole(29) and the second contact hole(31) exposing the buffer layer are formed.