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公开(公告)号：WO2022260331A1
公开(公告)日：2022-12-15
申请号：PCT/KR2022/007671
申请日：2022-05-30
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L31/103 , H01L31/18 , H01L31/0224
Abstract: 본 발명의 일 실시에에 따른 포토다이오드는 원호 섹션을 포함하고, 상기 원호 섹션은, 제1 곡률을 가진 내측 곡선부; 제1 방향으로 이격되고 상기 내측 곡선부와 동일한 구조를 가진 외측 곡선부; 상기 내측 곡선부의 일단에서 상기 외측 곡선부의 중심으로부터 반경 방향으로 연장되는 제1 반경부; 상기 내측 곡선부의 타단에서 상기 외측 곡선부의 중심으로부터 반경 방향으로 연장되는 제2 반경부; 상기 제1 반경부와 상기 외측 곡선부의 일단을 연결하는 제1 직선부; 및 상기 제1 반경부와 상기 외측 곡선부의 타탄을 연결하는 제2 직선부를 포함한다.
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公开(公告)号：WO2022065586A1
公开(公告)日：2022-03-31
申请号：PCT/KR2020/016586
申请日：2020-11-23
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L31/0236 , H01L31/103 , H01L31/18
Abstract: 본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘 포토다이오드는, 제1 도전 영역 및 상기 제1 도전 영역과 수평으로 이격되어 배치된 제2 도전 영역을 구비한 실리콘 기판; 상기 실리콘 기판 상에 형성된 랜덤하게 배치된 복수의 금속 나노 입자들; 상기 금속 나노 입자들을 덮는 무반사층; 상기 무반사층을 관통하여 상기 제1 도전 영역에 연결되는 제1 콘택; 및 상기 무반사층을 관통하여 상기 제2 도전 영역에 연결되는 제2 콘택을 포함한다.
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公开(公告)号：WO2020242236A1
公开(公告)日：2020-12-03
申请号：PCT/KR2020/006955
申请日：2020-05-29
Abstract: 본 발명의 일 실시예에 따른 광학 필터는, 투명 기판; 상기 투명 기판의 일면에 배치되고 다층 박막을 포함하는 적외선 차단 필터; 서로 나란히 연장되고 상기 투명 기판의 타면에 배치된 무반사 코팅 패턴; 서로 나란히 연장되고 상기 무반사 코팅 패턴에 정렬된 와이어 그리드 형태로 패터닝된 폴리머 패턴들; 및 상기 폴리머 패턴들 각각의 적어도 일 측면 및 상부면을 덮는 도전 패턴들을 포함한다.
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公开(公告)号：KR101799080B1
公开(公告)日：2017-11-20
申请号：KR1020150169052
申请日：2015-11-30
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본발명은나노재료를연성물질로매립하거나유연기판에전사하는방법을제공하기위한나로재료의제조방법으로서, 웨이퍼상에희생층을형성하는제 1 단계; 상기희생층상에나노재료와상기나노재료의상부및/또는측면에접하는지지패턴을형성하는제 2 단계; 상기나노재료의하부에언더컷을형성하도록상기희생층의적어도일부를제거하는제 3 단계; 상기나노재료의하부를충전하고상기지지패턴의상부면이노출되도록 1차연성물질패턴을형성하는제 4 단계; 상기지지패턴및 상기희생층의나머지를제거하는제 5 단계; 및제거된상기지지패턴및 상기희생층의나머지가점유하던공간을충전하도록 2차연성물질패턴을형성하는제 6 단계;를포함한다.
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公开(公告)号：KR101722460B1
公开(公告)日：2017-04-04
申请号：KR1020140194802
申请日：2014-12-31
Applicant: 한국과학기술원
IPC: G01N27/414 , G01N27/12 , H01L41/39
Abstract: 본발명은가스를검출하는가스센서에관한것으로, 더욱상세하게는센서소자에흡착된가스를표면탄성파소자를이용하여탈착시키는표면탄성파를이용한그래핀가스센서에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种气体传感器，其用于使用与SAW器件除去表面声波在石墨烯中的气体传感器检测气体，更特别地，涉及一种吸入气体传感器元件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101700240B1
公开(公告)日：2017-02-13
申请号：KR1020150067578
申请日：2015-05-14
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본발명의일 실시예는양극산화를이용한광 포획전극구조체의제조방법에대한것으로서, 알루미늄층을적층하고열처리하는단계(S10)와, 상기열처리된알루미늄층 상에전해연마공정을수행하는단계(S20)와, 상기전해연마된상기알루미늄층의표면에제1차양극산화공정을수행하는단계(S40)와, 상기양극산화공정을통해형성된산화물을선택적에칭하는단계(S50)와, 상기선택적에칭된알루미늄층 상에제2차양극산화공정을수행하는단계(S60) 및상기제2차양극산화공정이수행된상기알루미늄층의표면을등방성식각을수행하는단계(S70);를포함하는양극산화공정을이용한광 포획전극구조체의제조방법을제공한다.
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公开(公告)号：KR1020160134112A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：KR1020150067578
申请日：2015-05-14
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본발명의일 실시예는양극산화를이용한광 포획전극구조체의제조방법에대한것으로서, 알루미늄층을적층하고열처리하는단계(S10)와, 상기열처리된알루미늄층 상에전해연마공정을수행하는단계(S20)와, 상기전해연마된상기알루미늄층의표면에제1차양극산화공정을수행하는단계(S40)와, 상기양극산화공정을통해형성된산화물을선택적에칭하는단계(S50)와, 상기선택적에칭된알루미늄층 상에제2차양극산화공정을수행하는단계(S60) 및상기제2차양극산화공정이수행된상기알루미늄층의표면을등방성식각을수행하는단계(S70);를포함하는양극산화공정을이용한광 포획전극구조체의제조방법을제공한다.
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公开(公告)号：KR1020160116237A
公开(公告)日：2016-10-07
申请号：KR1020150043243
申请日：2015-03-27
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본발명에의하면, 알반사방지홈이형성된반사방지필름을제조하는방법으로서, 알루미늄필름을준비하는단계; 상기알루미늄필름에양극산화하여제1 단위홈을형성하는단계; 상기단계보다낮은온도분위기상에서양극산화를수행하여상기제1 단위홈상에상기제1 단위홈보다깊이가연장되는제2 단위홈을형성하는단계; 상기제1 단위홈과상기제2 단위홈의직경을확장하는단계; 상기제2 단위홈형성단계보다높은온도분위기상에서양극산화액을공급하고상기제1 단위홈과상기제2 단위홈에대하여전압을단속하며공급하여, 상기제2 단위홈의내측종단부에제3 단위홈을형성하는단계; 및알루미늄층을제거하는단계; 를포함하고, 상기제3 단위홈을형성단계에서전압공급의단속시간간격을변경하여상기제3 단위홈의내주면의경사각도를조정하는반사방지필름제조방법을제공한다. 본발명은, 양극산화공정에의해알루미늄필름의표면에내주면이경사진반사방지홈을형성할수 있고, 반사방지홈형성시, 전압공급의단속시간간격을변화시켜반사반지홈의내주면이볼록하거나오목하게형성되도록할 수있다.
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公开(公告)号：KR101819214B1
公开(公告)日：2018-01-17
申请号：KR1020150189263
申请日：2015-12-30
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L27/12 , H01L51/52 , H01L29/786 , H01L27/32
Abstract: 본발명은수소가채널내로확산되는정도를최소화하기위하여, 배리어층이코팅된기판; 상기기판상의활성층; 상기활성층상의게이트절연막패턴; 상기게이트절연막패턴상의게이트전극; 상기게이트패턴, 상기활성층상에형성된수소제공층; 상기수소제공층을모두덮도록형성된수소유입방지막; 및상기수소유입방지막상의층간절연막, 소스/드레인전극그리고소자패시베이션막을구비하는, 반도체소자를제공한다.
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公开(公告)号：KR1020170079082A
公开(公告)日：2017-07-10
申请号：KR1020150189263
申请日：2015-12-30
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L27/12 , H01L51/52 , H01L29/786 , H01L27/32
Abstract: 본발명은수소가채널내로확산되는정도를최소화하기위하여, 배리어층이코팅된기판; 상기기판상의활성층; 상기활성층상의게이트절연막패턴; 상기게이트절연막패턴상의게이트전극; 상기게이트패턴, 상기활성층상에형성된수소제공층; 상기수소제공층을모두덮도록형성된수소유입방지막; 및상기수소유입방지막상의층간절연막, 소스/드레인전극그리고소자패시베이션막을구비하는, 반도체소자를제공한다.
Abstract translation: 本发明涉及涂覆有阻挡层的基底，以便使氢扩散到通道中的程度最小化。 衬底上的有源层; 有源层上的栅极绝缘膜图案; 栅绝缘膜图案上的栅电极; 栅极图案，形成在有源层上的供氢层， 形成为覆盖全部供氢层的氢流入抑制膜; 以及氢气流入防止膜上的层间绝缘膜，源极/漏极电极和元件钝化膜。
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