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1.发明公开차등 두께를 가지는 캡핑 부재를 포함하는 멤스 패키지, 멤스 웨이퍼 레벨 패키지 및 캡핑 부재를 포함하는 멤스 패키지의 제조 방법 有权具有具有不同厚度的封装构件的MEMS封装，具有该封装的MEMS封装，具有该MEMS封装的MEMS包覆层及其制造方法
公开(公告)号：KR1020140101597A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：KR1020130014957
申请日：2013-02-12
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: H01L2924/16153
Abstract: Provided in the present invention is a MEMS package including a capping member which has a thin portion to provide a cavity having light transmittance and a deep depth useful to vacuum form and maintain, which has a thick portion useful to provide easy handling. According to an embodiment of the present invention, the MEMS package includes: a capping member including a basal portion, a window portion recessed from the top surface of the basal portion and a protrusion portion protruded from the top surface of the basal portion while surrounding the window portion; and a MEMS element member including a MEMS substrate attached with the capping member, and a MEMS element covered by the window portion while being surrounded by the protrusion portion.
Abstract translation: 在本发明中提供了一种MEMS封装，其包括封盖构件，该封盖构件具有薄的部分，以提供具有透光率的空腔和对真空形式和维护有用的深度深度，其具有用于提供容易处理的厚部。 根据本发明的实施例，MEMS封装包括：封盖构件，其包括基部，从基部的顶表面凹陷的窗口部分和从基部的顶表面突出的突出部分， 窗口部分 以及包括附接有封盖构件的MEMS基板的MEMS元件构件，以及被所述突起部包围的由所述窗口部分覆盖的MEMS元件。
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公开(公告)号：KR1020100062502A
公开(公告)日：2010-06-10
申请号：KR1020080121159
申请日：2008-12-02
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/8242 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L27/108
CPC classification number: H01L27/108 , H01L27/10826 , H01L29/1033
Abstract: PURPOSE: A capacitor-less DRAM and a method for manufacturing the same are provided to improve the hole-storage capacity due to a hole-barrier by forming a continuous germanium layers or a non-continuous dots through an ion implantation method and a heat treatment process. CONSTITUTION: A source(105), a channel, and a drain(106) are successively formed on a substrate(100). A gate insulating layer(103) is formed on the channel. A gate is formed on the gate insulating layer. A germanium layer or a germanium dot is formed in the channel. The gate insulating layer is made of a silicon oxide, a nitride film, an aluminum oxide, a hafnium oxide, or a zinc oxide.
Abstract translation: 目的：提供一种无电容器DRAM及其制造方法，以通过离子注入法和热处理形成连续锗层或非连续点来改善由于空穴阻挡引起的空穴存储能力 处理。 构成：源（105），沟道和漏极（106）依次形成在衬底（100）上。 在沟道上形成栅极绝缘层（103）。 栅极形成在栅极绝缘层上。 在通道中形成锗层或锗点。 栅极绝缘层由氧化硅，氮化物膜，氧化铝，氧化铪或氧化锌制成。
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公开(公告)号：KR101749920B1
公开(公告)日：2017-06-22
申请号：KR1020160024859
申请日：2016-03-02
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본발명에따른실시예들은특성 X 선이입사되는 SDD에서불필요하게발생되는암전류성분을스키밍(skimming)할수 있을뿐만아니라특성 X 선이입사되는 SDD의애노드전압을안정화시킬수 있는구성을가짐으로써, 기존에제시된 X 선검출기들에비하여보다향상된 X선검출성능을제공할수 있다.
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4.发明授权차등 두께를 가지는 캡핑 부재를 포함하는 멤스 패키지, 멤스 웨이퍼 레벨 패키지 및 캡핑 부재를 포함하는 멤스 패키지의 제조 방법 有权具有不同厚度的封盖构件的MEMS封装，具有相同厚度的MEMS封装，具有该MEMS封装的MEMS晶片级封装及其制造方法
公开(公告)号：KR101450012B1
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：KR1020130014957
申请日：2013-02-12
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: H01L2924/16153
Abstract: 본 발명은, 광투과성과 진공 형성 및 유지에 유리한 깊은 깊이를 가지는 캐비티를 제공하는 얇은 두께 영역과 취급용이성을 제공하는 두꺼운 두께 영역의 차등 두께를 가지는 캡핑 부재를 포함하는 멤스 패키지를 제공한다. 본 발명의 일실시예에 따른 멤스 패키지는, 기저부; 상기 기저부의 상면으로부터 리세스된 윈도우부; 및 상기 기저부의 상면으로부터 돌출되고 상기 윈도우부를 둘러싸는 돌출부;를 포함하는, 캡핑 부재; 및 상기 캡핑 부재와 부착되는 멤스 기판; 및 상기 윈도우부에 의하여 덮이고 상기 돌출부에 의하여 둘러싸여 밀봉되는 멤스 소자;를 포함하는 멤스 소자 부재;를 포함한다.
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5.发明授权웨이퍼 레벨 패키지용 캡핑 웨이퍼의 제조를 위한 포토마스크 및 이를 이용한 웨이퍼 레벨 패키지용 캡핑 웨이퍼의 제조 방법 有权用于制造WAFER水平封装的滤光片的光电装置及使用其制造水平封装件的封装方法
公开(公告)号：KR101439082B1
公开(公告)日：2014-09-12
申请号：KR1020130059427
申请日：2013-05-27
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/027 , G03F1/20
CPC classification number: H01L21/0274 , G03F1/20 , G03F9/00
Abstract: The present invention provides a photomask for manufacturing a capping wafer for a wafer level package which can provide an enough bonding region for the wafer level package. A photomask for manufacturing a capping wafer for a wafer level package according to an embodiment of the present invention includes a light transmission base part; and a light shielding pattern which is located on the light transmission base. The light shielding pattern includes a fist line pattern; a second line pattern which is connected to the first line pattern at a constant angle; and a protrusion pattern which is connected to the first line pattern and the second line pattern and protrudes to the outer angle region which the first line pattern and the second line pattern form.
Abstract translation: 本发明提供了一种用于制造晶片级封装的封盖晶片的光掩模，其可为晶片级封装提供足够的结合区域。 根据本发明实施例的用于制造用于晶片级封装的封盖晶片的光掩模包括光透射基部; 以及位于光传输基座上的遮光图案。 遮光图案包括第一线图案; 以恒定角度连接到第一线图案的第二线图案; 以及突起图案，其连接到第一线图案和第二线图案，并突出到形成第一线图案和第二线图案的外角区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020130095489A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：KR1020120016964
申请日：2012-02-20
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: PURPOSE: A micro electron mechanical systems package is provided to maintain high vacuum and to improve durability. CONSTITUTION: A micro electron mechanical systems package includes a micro electro mechanical systems (MEMS) substrate (10), a capping substrate (20), and a sealing member (30). A MEMS device (11) is mounted on the MEMS substrate. The capping substrate covers the MEMS substrate. The sealing member is formed between the MEMS substrate and the capping substrate, and includes first and second bonding lines.
Abstract translation: 目的：提供微电子机械系统封装以保持高真空度并提高耐久性。 构成：微电子机械系统封装包括微电子机械系统（MEMS）衬底（10），封盖衬底（20）和密封构件（30）。 MEMS器件（11）安装在MEMS衬底上。 封盖基板覆盖MEMS基板。 密封构件形成在MEMS衬底和封盖衬底之间，并且包括第一和第二接合线。
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公开(公告)号：KR101836684B1
公开(公告)日：2018-03-08
申请号：KR1020160109027
申请日：2016-08-26
Applicant: 한국과학기술원
IPC: C03B33/037 , C03B33/03 , C03B23/00 , G02B6/10 , G02B6/12
CPC classification number: Y02P40/57
Abstract: 본발명은유리기판의에지가공을위한정렬장치및 그방법에관한것으로, 안착대의상부에구비된길이방향으로긴 안착가이드레일에유리기판이지지되는안착부재와, 상기안착대및 유리기판의사이에구비되어상기유리기판의에지라인을가공하는가공부재와, 상기가공부재에구비된센싱홀을통해정렬정보를취득하는센싱부재와, 상기취득된정렬정보를통해상기가공부재를이동시켜상기에지라인과가공기준선을정렬시키는이동부재를포함함으로써, OLED에사용되는유리기판을절단한후, 유리기판의에지부분을평탄화시킬경우정해진기준선을따라정렬시키면서가열및 평탄화시킬수 있다.
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公开(公告)号：KR1020180023522A
公开(公告)日：2018-03-07
申请号：KR1020160109027
申请日：2016-08-26
Applicant: 한국과학기술원
IPC: C03B33/037 , C03B33/03 , C03B23/00 , G02B6/10 , G02B6/12
CPC classification number: Y02P40/57 , C03B33/037 , B24B7/00 , C03B23/0086 , C03B33/03 , G02B6/10 , G02B2006/12038
Abstract: 본발명은유리기판의에지가공을위한정렬장치및 그방법에관한것으로, 안착대의상부에구비된길이방향으로긴 안착가이드레일에유리기판이지지되는안착부재와, 상기안착대및 유리기판의사이에구비되어상기유리기판의에지라인을가공하는가공부재와, 상기가공부재에구비된센싱홀을통해정렬정보를취득하는센싱부재와, 상기취득된정렬정보를통해상기가공부재를이동시켜상기에지라인과가공기준선을정렬시키는이동부재를포함함으로써, OLED에사용되는유리기판을절단한후, 유리기판의에지부분을평탄화시킬경우정해진기준선을따라정렬시키면서가열및 평탄화시킬수 있다.
Abstract translation: 本发明并涉及一种用于玻璃基板的边缘处理的分选装置和方法，一个安装构件是支撑在具有单个座位在其上，对与玻璃基板之间的座位的长安装所述导轨在纵向方向上的玻璃基板 通过在加工部件中提供的感测部件和用于获取经由加工部件的对准信息用于处理所述玻璃基板的边缘线所获得的排序的信息，并且所述感测孔Eguzemodo在移动到加工部件的比率 通过包括用于对准的磷处理基准线，切割在OLED中使用的玻璃基板后的移动部件，而沿给定的参考线对齐，如果平坦化玻璃基板sikilsu加热和压扁的边缘脾脏。
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公开(公告)号：KR101056060B1
公开(公告)日：2011-08-11
申请号：KR1020080111676
申请日：2008-11-11
Applicant: 한국과학기술원
Inventor： 송명호
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/66666
Abstract: 본 발명은 수직 트랜지스터의 자기 정렬 컨택 형성방법 및 컨택홀을 포함하는 수직 트랜지스터에 관한 것으로, 기판, 소스층, 채널층, 드레인층, 산화막, 및 실리콘층을 순차적으로 적층하여 필러를 형성하고, 산화막을 도포한 후 필러의 상부에 실리콘층이 드러나도록 하여, 외부로 노출된 실리콘층을 제거함으로써 컨택홀을 형성한다.
본 발명에 의하면, 추가의 포토 마스크 없이 정확하게 자기 정렬된 컨택 홀을 형성할 수 있으며, 형성된 컨택 홀에 컨택 금속을 삽입하고 금속 배선을 형성하여 수직 트랜지스터를 제작함에 따라 정렬 오류(misalign)에 따른 패턴 시프트 (patteren shift) 현상을 제거하는 효과를 가져온다.
컨택 홀, 실리콘층, 자기 정렬, 수직 트랜지스터Abstract translation: 本发明涉及一种形成包括接触孔的垂直晶体管和垂直晶体管的自对准接触的方法，其中依次层叠衬底，源极层，沟道层，漏极层，氧化物层和硅层以形成填充物， 硅层暴露在填充物的顶部，并且暴露的硅层被去除以形成接触孔。
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公开(公告)号：KR101048660B1
公开(公告)日：2011-07-14
申请号：KR1020080121159
申请日：2008-12-02
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/8242 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L27/108
Abstract: 본 발명은 커패시터리스 디램(capacitorless DRAM) 및 그 제조방법을 개시한다. 본 발명에 따른 커패시터리스 디램은 기판상에 연속하여 형성된 소스, 채널 및 드레인, 상기 채널상에 형성된 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막상에 형성된 게이트, 및 상기 채널 내부에 형성된 게르마늄층 또는 게르마늄점을 포함한다. 본 발명에 따른 커패시터리스 디램은 실리콘 기판에 형성된 게르마늄의 연속적인 층 혹은 불연속적인 점이 정공 배리어를(hole barrier) 변화 시켜서 정공(hole)을 효과적으로 모을 수 있기 때문에 정공저장능력이 향상된다.
커패시터리스 디램, 게르마늄 이온 주입, 열처리, 충돌 이온화.
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