公开(公告)号：DE112012003514T5

公开(公告)日：2014-06-26

申请号：DE112012003514

申请日：2012-09-26

Applicant: IBM

Inventor： LI NING ,  CHENG CHENG-WEI ,  SHIU KUEN-TING

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/8238

Abstract: Es wird ein Verfahren zum Entfernen einer Vielzahl von Halbleitereinheits-Schichten von einem darunter liegenden Basissubstrat bereitgestellt. Auf dem Basissubstrat wird ein mehrschichtiger Stapel gebildet, welcher abwechselnde Schichten von Opfermaterialschichten und Halbleitereinheits-Schichten umfasst. Jede folgende Opfermaterialschicht, die gebildet wird, ist dicker als die zuvor gebildete Opfermaterialschicht. Wegen des Unterschieds in den Dicken der Opfermaterialschichten wird jede Opfermaterialschicht in einer anderen Geschwindigkeit geätzt, wobei dickere Opfermaterialschichten schneller geätzt werden als dünnere Opfermaterialschichten. Anschließend wird eine Ätzbehandlung durchgeführt, mit welcher zuerst die dickste Opfermaterialschicht des mehrschichtigen Stapels geätzt wird. Die oberste Halbleitereinheits-Schicht innerhalb des mehrschichtigen Stapels wird dementsprechend als erste abgelöst. Wenn die Ätzbehandlung fortgesetzt wird, werden nacheinander die anderen Opfermaterialschichten in der Reihenfolge abnehmender Dicke entfernt, und die anderen Halbleitereinheits-Schichten werden nacheinander entfernt.

公开(公告)号：DE102016205000A1

公开(公告)日：2016-09-29

申请号：DE102016205000

申请日：2016-03-24

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN ,  CHENG CHENG-WEI ,  LI NING ,  SADANA DEVENDRA ,  SAENGER KATHERINE

IPC: H01L21/304

Abstract: Verfahren zum Durchführen von Spalling eines Halbleitersubstrats, bei dem eine Ablöse-Schicht zwischen einem Handhabungssubstrat und einer Stressor-Schicht verwendet wird. Die Ablöse-Schicht wird unter Verwendung einer Flüssigkeit entfernt, die das durch ein Spalling erhaltene Halbleitersubstrat nicht schädigt.

公开(公告)号：DE102012213849A1

公开(公告)日：2013-02-28

申请号：DE102012213849

申请日：2012-08-06

Applicant: IBM

Inventor： CHENG CHENG-WEI ,  CHU JACK O ,  KIM JEEHWAN ,  SADANA DEVENDRA K ,  SHIU KUEN-TING

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0687

Abstract: Eine Einheit und ein Verfahren zur Herstellung einer Photovoltaikeinheit mit mehreren Grenzschichten beinhalten das Bereitstellen eines Trägersubstrats, das ein einkristallines Gruppe-III/V-Material enthält. Das Trägersubstrat bildet eine Gruppe-III/V-Zelle der Photovoltaikeinheit mit mehreren Grenzschichten. Auf dem Gruppe-III/V-Material wird eine Germaniumschicht mit passenden Gitterkonstanten epitaxial abgeschieden, um eine fertige Zelle der Photovoltaikeinheit mit mehreren Grenzschichten zu bilden. Die Germaniumschicht wird mit einem Fremdsubstrat verbunden.

公开(公告)号：GB2509854B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：GB201406328

申请日：2012-09-26

Applicant: IBM

Inventor： CHENG CHENG-WEI ,  LI NING ,  SHIU KUEN-TING

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/78

公开(公告)号：GB2491930B

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：GB201206430

申请日：2012-04-12

Applicant: IBM

Inventor： CHENG CHENG-WEI ,  BEDELL STEPHEN ,  SHIU KUEN-TING ,  SADANA DEVENDRA ,  CORTES NORMA EDITH SOSA

IPC: H01L21/762 ,  H01L31/18

公开(公告)号：GB2491930A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：GB201206430

申请日：2012-04-12

Applicant: IBM

Inventor： CHENG CHENG-WEI ,  BEDELL STEPHEN ,  SHIU KUEN-TING ,  SADANA DEVENDRA ,  CORTES NORMA EDITH SOSA

IPC: H01L21/762 ,  H01L31/18

Abstract: A method of removing a semiconductor device layer from a base substrate comprising providing a crack propagation layer 12 on an upper surface of a base substrate 10; a semiconductor device layer 14 including at least one semiconductor device is formed on the crack propagation layer 12; etching the end portions of the crack propagation layer 12 to initiate a crack in the crack propagation layer 12; the etched crack propagation layer 15 is then cleaved to provide a cleaved crack propagation layer portion to a surface of the semiconductor device layer 14 and another cleaved crack propagation layer portion to the upper surface of the base substrate 10; the cleaved crack propagation layer portion is removed from the surface of the semiconductor device layer 14 and the another cleaved crack propagation layer portion is removed from the upper surface of the base substrate 10. Prior to etching the crack propagation layer 12, a stressor 16 may be applied to the device layer; the stressor 16 may further be bonded to a polymer support 18. The present method allows for cleaving of a semiconductor device layer 14 from a substrate 10 at a controlled location.

公开(公告)号：GB2509854A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：GB201406328

申请日：2012-09-26

Applicant: IBM

Inventor： CHENG CHENG-WEI ,  LI NING ,  SHIU KUEN-TING

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/78

Abstract: A method of removing a plurality of semiconductor device layers from an underlying base substrate is provided. A multilayered stack including alternating layers of sacrificial material layers and semiconductor material layers is formed on the base substrate. Each successive sacrificial material layer that is formed is thicker than the previously formed sacrificial material layer. Because of the difference in thicknesses of the sacrificial material layers, each sacrificial material layer etches at different rates, with thicker sacrificial material layers etching faster than thinner sacrificial material layers. An etch is then performed that first removes the thickest sacrificial material layer of the multilayered stack. The uppermost semiconductor device layer within the multilayered stack is accordingly first released. As the etch continues, the other sacrificial material layers are removed sequentially, in the order of decreasing thickness, and the other semiconductor device layers are removed sequentially.

公开(公告)号：GB2508572A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：GB201406069

申请日：2012-09-10

Applicant: IBM

Inventor： CHENG CHENG-WEI ,  SHIU KUEN-TING

IPC: H01L21/78

Abstract: A method of removing a semiconductor device layer from an underlying base substrate is provided in which a sacrificial phosphide-containing layer is formed between a semiconductor device layer and a base substrate. In some embodiments, a semiconductor buffer layer can be formed on an upper surface of the base substrate prior to forming the sacrificial phosphide-buffer layer. The resultant structure is then etched utilizing a non-HF etchant to release the semiconductor device layer from the base semiconductor substrate. After releasing the semiconductor device layer from the base substrate, the base substrate can be re-used.

公开(公告)号：DE112012003409T5

公开(公告)日：2014-05-08

申请号：DE112012003409

申请日：2012-09-10

Applicant: IBM

Inventor： SHIU KUEN-TING ,  CHENG CHENG-WEI

IPC: H01L21/311

Abstract: Es wird ein Verfahren zum Entfernen einer Halbleitereinheit-Schicht von einem darunterliegenden Grundsubstrat bereitgestellt, wobei zwischen einer Halbleitereinheit-Schicht und einem Grundsubstrat eine phosphidhaltige Opferschicht gebildet wird. In einigen Ausführungsformen kann eine Halbleiterpufferschicht auf einer Oberseite des Grundsubstrats gebildet werden, bevor die Phosphid-Puffer-Opferschicht gebildet wird. Die resultierende Struktur wird dann mit einem Nicht-HF-Ätzmittel geätzt, um die Halbleitereinheit-Schicht vom Halbleitergrundsubstrat abzulösen. Nach dem Ablösen der Halbleitereinheit-Schicht vom Grundsubstrat kann das Grundsubstrat wiederverwendet werden.

公开(公告)号：DE102012209891A1

公开(公告)日：2012-12-20

申请号：DE102012209891

申请日：2012-06-13

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN W ,  CHENG CHENG-WEI ,  SADANA DEVENDRA K ,  SHIU KUEN-TING ,  SOSA CORTES NORMA E

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/306

Abstract: Ein Verfahren zum Entfernen einer Halbleiterelementschicht von einem Grundsubstrat wird bereitgestellt, das das Bereitstellen einer Rissausbreitungsschicht auf einer oberen Fläche eines Grundsubstrats beinhaltet. Eine Halbleiterelementschicht mit mindestens einem Halbleiterelement wird auf der Rissausbreitungsschicht gebildet. Als Nächstes werden Endabschnitte der Rissausbreitungsschicht geätzt, um einen Riss in der Rissausbreitungsschicht auszulösen. Die geätzte Rissausbreitungsschicht wird anschließend gespalten, um einer Oberfläche der Halbleiterelementschicht einen gespaltenen Abschnitt der Rissausbreitungsschicht und der oberen Fläche des Grundsubstrats einen anderen gespaltenen Abschnitt der Rissausbreitungsschicht bereitzustellen. Der gespaltene Abschnitt der Rissausbreitungsschicht wird von der Oberfläche der Halbleiterelementschicht entfernt und der andere gespaltene Abschnitt der Rissausbreitungsschicht wird von der oberen Fläche des Grundsubstrats entfernt.