公开(公告)号：DE10243468A1

公开(公告)日：2003-05-15

申请号：DE10243468

申请日：2002-09-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  IBM

Inventor： LIAN JINGYU ,  LIN CHENTING ,  SAENGER KATHERINE ,  WONG KWONG HON

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/8239

Abstract: A method for forming a crystalline dielectric layer deposits an amorphous metallic oxide dielectric layer on a surface. The amorphous metallic oxide dielectric layer is treated with a plasma at a temperature of less than or equal to 400 degrees Celsius to form a crystalline layer.

公开(公告)号：DE102016205000A1

公开(公告)日：2016-09-29

申请号：DE102016205000

申请日：2016-03-24

Applicant: IBM

Inventor： BEDELL STEPHEN ,  CHENG CHENG-WEI ,  LI NING ,  SADANA DEVENDRA ,  SAENGER KATHERINE

IPC: H01L21/304

Abstract: Verfahren zum Durchführen von Spalling eines Halbleitersubstrats, bei dem eine Ablöse-Schicht zwischen einem Handhabungssubstrat und einer Stressor-Schicht verwendet wird. Die Ablöse-Schicht wird unter Verwendung einer Flüssigkeit entfernt, die das durch ein Spalling erhaltene Halbleitersubstrat nicht schädigt.

公开(公告)号：DE112012004791B4

公开(公告)日：2018-01-04

申请号：DE112012004791

申请日：2012-11-16

Applicant: EGYPT NANOTECHNOLOGY CENTER (EGNC) ,  IBM

Inventor： MARTYNA GLENN J ,  AFZALI-ARDAKANI ALI ,  MAAROUF AHMED ,  SAENGER KATHERINE

IPC: B44C1/165 ,  B32B3/00 ,  B32B3/12 ,  B32B15/16 ,  H03F1/00

Abstract: Verfahren zum Bilden einer mit einem Muster versehenen Graphen-Schicht auf einem Substrat, das aufweist: Bilden von wenigstens einer mit einem Muster versehenen Struktur aus einem ein Carbid bildenden Metall oder einer ein Carbid bildenden, ein Metall enthaltenden Legierung auf einem Substrat; Anbringen einer Schicht aus Graphen auf der Oberseite der wenigstens einen mit einem Muster versehenen Struktur aus einem ein Carbid bildenden Metall oder einer ein Carbid bildenden, ein Metall enthaltenden Legierung auf dem Substrat; Erwärmen der Schicht aus Graphen auf der Oberseite der wenigstens einen mit einem Muster versehenen Struktur aus einem ein Carbid bildenden Metall oder einer ein Carbid bildenden, ein Metall enthaltenden Legierung in einer Umgebung, um Bereiche aus Graphen benachbart zu der wenigstens einen mit einem Muster versehenen Struktur aus einem ein Carbid bildenden Metall oder einer ein Carbid bildenden, ein Metall enthaltenden Legierung zu entfernen; und Entfernen der wenigstens einen mit einem Muster versehenen Struktur aus einem ein Carbid bildenden Metall oder einer ein Carbid bildenden, ein Metall enthaltenden Legierung, um eine mit einem Muster versehene Graphen-Schicht auf dem Substrat zu erzeugen, wobei die mit einem Muster versehene Graphen-Schicht auf dem Substrat eine Ladungsträgerbeweglichkeit für elektronische Einheiten bereitstellt.

公开(公告)号：DE112012004791T5

公开(公告)日：2014-07-31

申请号：DE112012004791

申请日：2012-11-16

Applicant: EGYPT NANOTECHNOLOGY CT EGNC ,  IBM

Inventor： MARTYNA GLENN J ,  AFZALI-ARDAKANI ALI ,  MAAROUF AHMED ,  SAENGER KATHERINE

IPC: B44C1/165

Abstract: Vorrichtung und Verfahren zum Bilden einer mit einem Muster versehenen Graphen-Schicht auf einem Substrat. Ein derartiges Verfahren beinhaltet ein Bilden von wenigstens einer mit einem Muster versehenen Struktur aus einem ein Carbid bildenden Metall oder einer ein Carbid bildenden, ein Metall enthaltenden Legierung auf einem Substrat, ein Anbringen einer Schicht aus Graphen auf der Oberseite der wenigstens einen mit einem Muster versehenen Struktur aus einem ein Carbid bildenden Metall oder einer ein Carbid bildenden, ein Metall enthaltenden Legierung auf dem Substrat, ein Erwärmen der Schicht aus Graphen auf der Oberseite der wenigstens einen mit einem Muster versehenen Struktur aus einem ein Carbid bildenden Metall oder einer ein Carbid bildenden, ein Metall enthaltenen Legierung in einer Umgebung, um Bereiche aus Graphen benachbart zu der wenigstens einen mit einem Muster versehenen Struktur aus einem ein Carbid bildenden Metall oder einer ein Carbid bildenden, ein Metall enthaltenden Legierung zu entfernen, sowie ein Entfernen der wenigstens einen mit einem Muster versehenen Struktur aus einem ein Carbid bildenden Metall oder einer ein Carbid bildenden, ein Metall enthaltenden Legierung, um eine mit einem Muster versehene Graphen-Schicht auf dem Substrat zu erzeugen, wobei die mit einem Muster versehene Graphen-Schicht auf dem Substrat eine Ladungsträgerbeweglichkeit für elektronische Einheiten bereitstellt.

公开(公告)号：AT460746T

公开(公告)日：2010-03-15

申请号：AT04812387

申请日：2004-11-29

Applicant: IBM

Inventor： CABRAL CYRIL ,  DETAVERNIER CHRISTOPHER ,  JAMMY RAJARAO ,  SAENGER KATHERINE

IPC: H01L21/8238 ,  C23C14/06 ,  C23C16/32 ,  H01L27/108 ,  H01L29/49

Abstract: A semiconductor device such as a complementary metal oxide semiconductor (CMOS) including at least one FET that includes a gate electrode including a metal carbide and method of fabrication are provided. The CMOS comprises dual work function metal gate electrodes whereby the dual work functions are provided by a metal and a carbide of a metal.

公开(公告)号：AT388480T

公开(公告)日：2008-03-15

申请号：AT02768707

申请日：2002-08-26

Applicant: IBM

Inventor： JAHNES CHRISTOPHER ,  LUND JENNIFER ,  SAENGER KATHERINE ,  VOLANT RICHARD

IPC: B81B3/00 ,  H01H57/00 ,  B81C1/00 ,  G02B5/00 ,  G02B26/00 ,  G02B26/08 ,  H01H59/00

Abstract: A micro-electromechanical (MEM) RF switch provided with a deflectable membrane ( 60 ) activates a switch contact or plunger ( 40 ). The membrane incorporates interdigitated metal electrodes ( 70 ) which cause a stress gradient in the membrane when activated by way of a DC electric field. The stress gradient results in a predictable bending or displacement of the membrane ( 60 ), and is used to mechanically displace the switch contact ( 30 ). An RF gap area ( 25 ) located within the cavity ( 250 ) is totally segregated from the gaps ( 71 ) between the interdigitated metal electrodes ( 70 ). The membrane is electrostatically displaced in two opposing directions, thereby aiding to activate and deactivate the switch. The micro-electromechanical switch includes: a cavity ( 250 ); at least one conductive path ( 20 ) integral to a first surface bordering the cavity; a flexible membrane ( 60 ) parallel to the first surface bordering the cavity ( 250 ), the flexible membrane ( 60 ) having a plurality of actuating electrodes ( 70 ); and a plunger ( 40 ) attached to the flexible membrane ( 60 ) in a direction away from the actuating electrodes ( 70 ), the plunger ( 40 ) having a conductive surface that makes electric contact with the conductive paths, opening and closing the switch.