公开(公告)号：JP2000200877A

公开(公告)日：2000-07-18

申请号：JP36451099

申请日：1999-12-22

Applicant: IBM

Inventor： PETER RICHARD DANKUUMU ,  EDELSTEIN DANIEL CHARLES ,  LAIBOWITZ ROBERT BENJAMIN ,  DEBORAH ANNE NEWMEYER ,  NING TAK H ,  ROSENBERG ROBERT ,  THOMAS MAKAROORU SHOW

IPC: H01G4/33 ,  H01L21/02 ,  H01L21/316 ,  H01L21/822 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L23/64 ,  H01L27/04 ,  H01L27/105

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To ensure effective filtering action while reducing noise by employing an amorphous thin film material as a dielectric material having permittivity of a specified value or above being arranged between two electrodes. SOLUTION: A decoupling capacitor 10 is formed as a laminate where an amorphous dielectric thin film 12 is sandwiched between two electrodes 14, 16 of conductive layer containing TaN, Pt, Ir, ruthenium oxide, Al, Au, Cu, Ta, TaSiN and mixtures or a multiplayer thereof. The amorphous dielectric thin film 12 is composed of a perovskite-type oxide containing a titanate based dielectric, a manganate based material, a cuprite based material, a tungsten bronze type niobate, and tantalite wherein the perovskite-type oxide has permittivity higher than 10. Thus, effective filtering action can be ensured while reducing noise.

公开(公告)号：JP2004207733A

公开(公告)日：2004-07-22

申请号：JP2003423794

申请日：2003-12-19

Applicant: Internatl Business Mach Corp ,  インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Maschines Corporation

Inventor： CAI JIN ,  NING TAK H ,  OUYANG QIQING

IPC: H01L27/082 ,  H01L21/331 ,  H01L29/08 ,  H01L29/73 ,  H01L29/737

CPC classification number: H01L29/66265 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/7317

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high speed bipolar transistor having a reach-through structure formed by a low resistance collector. SOLUTION: An electronic circuit provides a conductive back surface electrode, insulator layers on the conductive back surface electrode, and a bipolar transistor comprising semiconductor layers of an n-type or a p-type material on the insulator layers. The semiconductor layers comprises a doped region used for a collector and a heavily-doped region which is adjacent to the doped region and used as a reach-through structure, between the insulator layers and a collector contacts electrode. Majority carrier layers are induced adjacent to the insulator in the doped region of the collector, by applying a bias voltage to the back surface electrode. COPYRIGHT: (C)2004,JPO&NCIPI

公开(公告)号：DE102016218690A1

公开(公告)日：2017-04-20

申请号：DE102016218690

申请日：2016-09-28

Applicant: IBM

Inventor： GORDON MICHAEL S ,  NING TAK H ,  RODBELL KENNETH P ,  YAU JENG-BANG

IPC: H01L27/14 ,  G01T1/24 ,  H01L21/331 ,  H01L27/102 ,  H01L29/735

Abstract: Ein integrierter Strahlungssensor für ein Erfassen des Vorhandenseins eines Umgebungsmaterials und/oder einer Umgebungsbedingung beinhaltet eine Messstruktur sowie einen ersten und einen zweiten lateralen Bipolartransistor (BJT), die entgegengesetzte Polaritäten aufweisen. Der erste laterale BJT weist eine Basis auf, die mit der Messstruktur elektrisch gekoppelt ist, und ist so konfiguriert, dass er ein Ausgangssignal erzeugt, das indikativ für eine Änderung einer gespeicherten Ladung in der Messstruktur ist. Der zweite laterale BJT ist so konfiguriert, dass er das Ausgangssignal des ersten Bipolartransistors verstärkt. Der erste und der zweite laterale BJT, die Messstruktur sowie das Substrat, auf dem diese ausgebildet sind, weisen eine monolithische Struktur auf.

公开(公告)号：CA1160363A

公开(公告)日：1984-01-10

申请号：CA367000

申请日：1980-12-17

Applicant: IBM

Inventor： CROWDER BILLY L ,  ISAAC RANDALL D ,  NING TAK H

IPC: H01L29/73 ,  H01L21/033 ,  H01L21/331 ,  H01L23/485 ,  H01L29/10 ,  H01L21/22

Abstract: YO978-074 METHOD FOR ACHIEVING IDEAL IMPURITY BASE PROFILE IN A TRANSISTOR A method for making a transistor having base, collector, and emitter regions, where the impurity doping profile of the intrinsic and extrinsic base regions can closely approximate that which is ideal for the transistor. The extrinsic and intrinsic base regions are formed in separate steps, where the extrinsic base region is formed first, followed by formation of the intrinsic base region. The portion of the extrinsic base region located over the area where the intrinsic base region is to be formed is removed, leaving an opening through which both the emitter and the intrinsic base regions are formed. Thus, the effect of the step in which the extrinsic base region is formed is removed prior to formation of the intrinsic base region. Furthermore the extrinsic base region is protected during formation of the intrinsic base region. This technique can be applied to processes using either ion implantation or diffusion to form the emitter and base regions of the transistor.

公开(公告)号：DE112012001855T5

公开(公告)日：2014-01-30

申请号：DE112012001855

申请日：2012-04-15

Applicant: IBM

Inventor： CAI JIN ,  DENNARD ROBERT H ,  HAENSCH WILFRIED E ,  NING TAK H

IPC: H01L29/735 ,  H01L21/331 ,  H01L27/12

Abstract: Eine beispielhafte Ausführungsform ist eine komplementäre Transistor-Inverterschaltung. Die Schaltung umfasst ein Halbleiter-auf-Isolator(SOI)-Substrat, einen lateralen bipolaren PNP-Transistor, der auf dem SOI-Substrat hergestellt ist, und einen lateralen bipolaren NPN-Transistor, der auf dem SOI-Substrat hergestellt ist. Der laterale bipolare PNP-Transistor umfasst eine PNP-Basis, einen PNP-Emitter und einen PNP-Kollektor. Der laterale bipolare NPN-Transistor umfasst eine NPN-Basis, einen NPN-Emitter und einen NPN-Kollektor. Die PNP-Basis, der PNP-Emitter, der PNP-Kollektor, die NPN-Basis, der NPN-Emitter und der NPN-Kollektor stoßen an den vergrabenen Isolator des SOI-Substrats.

公开(公告)号：CA1111572A

公开(公告)日：1981-10-27

申请号：CA308848

申请日：1978-08-07

Applicant: IBM

Inventor： NING TAK H ,  OSBURN CARLTON M ,  YU HWA N

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/26 ,  H01L21/265 ,  H01L21/268 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/336

Abstract: GAS CHARGE NEUTRALIZATION FOR INSULATED GATE FIELD-EFFECT TRANSISTORS Positive charges that appear in the gate silicon oxide insulation of a silicon insulated gate field-effect transistor device may be controlled through neutralization by injecting electrons in to the gate oxide from the substrate after the device is complete and metallized by irradiating the back of the substrate with light in the presence of a voltage bias.

公开(公告)号：DE102016105066A1

公开(公告)日：2016-09-22

申请号：DE102016105066

申请日：2016-03-18

Applicant: IBM

Inventor： CAI JIN ,  LEOBANDUNG EFFENDI ,  LI NING ,  NING TAK H ,  PLOUCHART JEAN-OLIVIER ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L27/14 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/15 ,  H01L29/06

Abstract: Nach einem Bilden eines ersten Grabens, der sich durch eine obere Halbleiterschicht und eine vergrabene Isolator-Schicht hindurch und in ein Handhabungssubstrat eines Halbleiter-auf-Isolator(SOI)-Substrats hinein erstreckt, wird innerhalb des ersten Grabens ein Stapel aus Material für einen dielektrischen Wellenleiter gebildet, der eine untere dielektrische Mantelschicht, eine Kernschicht sowie eine obere dielektrische Mantelschicht beinhaltet. Als nächstes wird in einem verbliebenen Teilbereich der oberen Halbleiterschicht wenigstens ein lateraler Bipolartransistor (BJT) gebildet, der aus einem pnp-BJT, einem npn-BJT oder einem Paar von komplementären pnp-BJT und npn-BJT bestehen kann. Nach einem Bilden eines zweiten Grabens, der sich durch den Stapel aus Material für den dielektrischen Wellenleiter hindurch erstreckt, um einen Teilbereich einer Bodenfläche des ersten Grabens wieder freizulegen, wird in dem zweiten Graben eine Laserdiode gebildet.

公开(公告)号：DE102016218690B4

公开(公告)日：2019-02-07

申请号：DE102016218690

申请日：2016-09-28

Applicant: IBM

Inventor： GORDON MICHAEL S ,  NING TAK H ,  RODBELL KENNETH P ,  YAU JENG-BANG

IPC: H01L27/14 ,  G01T1/24 ,  H01L21/331 ,  H01L27/102 ,  H01L29/735

Abstract: Integrierter Strahlungssensor (20; 60; 100; 120; 200; 260), der aufweist:eine Messstruktur;einen ersten lateralen Bipolartransistor (30; 62; 62; 122; 211; 264) mit einer Basis (33; 74; 74; 130; 213; 286), die mit der Messstruktur elektrisch gekoppelt ist, wobei der erste laterale Bipolartransistor so konfiguriert ist, dass er ein Ausgangssignal erzeugt, das indikativ für eine Änderung einer gespeicherten Ladung in der Messstruktur ist, die aus dem Vorhandensein einer Umgebungseigenschaft resultiert;einen zweiten lateralen Bipolartransistor (24; 64; 102; 124; 201; 262), der benachbart zu dem ersten lateralen Bipolartransistor und mit diesem elektrisch verbunden ist, wobei der zweite laterale Bipolartransistor so konfiguriert ist, dass er das Ausgangssignal des ersten lateralen Bipolartransistors verstärkt, wobei der erste laterale Bipolartransistor und der zweite laterale Bipolartransistor entgegengesetzte Polaritäten aufweisen, undein Substrat, wobei der erste laterale Bipolartransistor, der zweite laterale Bipolartransistor und das Substrat eine monolithische Struktur bilden.

公开(公告)号：CA1115855A

公开(公告)日：1982-01-05

申请号：CA325550

申请日：1979-04-11

Applicant: IBM

Inventor： BASSOUS ERNEST ,  NING TAK H ,  OSBURN CARLTON M

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8247 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01J17/00

Abstract: A method, including a sequence of process steps, for fabricating insulated gate field effect transistors having very short effective channel lengths. In a first version of the method, the source and drain regions of the device are opened in one process stop and self-alignment of the source and the drain to the gate is achieved in one masking step. The drain region is then masked and the source side of the channel is implanted to adjust the threshold voltage of the high threshold voltage channel region. In a second version of the method, the source region is opened and self-aligned with the gate prior to the opening of drain region. Implantation to adjust the threshold voltage of the high threshold voltage channel region takes place before the drain region is opened, and then the drain region is opened and self-aligned with the gate in a further masking step. In either version, the threshold voltage is adjustable and the channel length is controlled to be a small value. Y0977-057

公开(公告)号：DE102016105066B4

公开(公告)日：2019-09-05

申请号：DE102016105066

申请日：2016-03-18

Applicant: IBM

Inventor： CAI JIN ,  LEOBANDUNG EFFENDI ,  LI NING ,  NING TAK H ,  PLOUCHART JEAN-OLIVIER ,  SADANA DEVENDRA K

IPC: H01L27/14 ,  G02B6/12 ,  G02B6/43 ,  H01L21/8249 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/12 ,  H01L27/15 ,  H01S5/026 ,  H01S5/20 ,  H01S5/30

Abstract: Halbleiterstruktur, die aufweist:wenigstens eine elektronische Einheit, die sich auf einem Teilbereich eines Halbleiter-auf-Isolator(SOI)-Substrats (8) befindet, wobei die wenigstens eine elektronische Einheit wenigstens einen Bipolartransistor (BJT) aufweist; undphotonische Einheiten, die in einem weiteren Teilbereich des SOI-Substrats (8) eingebettet sind, wobei die photonischen Einheiten aufweisen:einen dielektrischen Wellenleiter, der einen unteren dielektrischen Mantel-Teilbereich (22), einen Kern-Teilbereich (24), der auf dem unteren dielektrischen Mantel-Teilbereich (22) vorhanden ist, sowie einen oberen dielektrischen Mantel-Teilbereich (26) aufweist, der auf dem Kern-Teilbereich (24) vorhanden ist; undeine optoelektronische Einheit, die mit dem dielektrischen Wellenleiter kantengekoppelt ist, wobei die optoelektronische Einheit eine aktive Schicht (64) aufweist, die lateral zu dem Kern-Teilbereich (24) des dielektrischen Wellenleiters ausgerichtet ist.