公开(公告)号：DE102019122888A1

公开(公告)日：2021-03-04

申请号：DE102019122888

申请日：2019-08-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FUERGUT EDWARD ,  KOCH PHILIPP SEBASTIAN ,  PINDL STEPHAN ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L23/29 ,  H01L21/31

Abstract: Eine Leistungshalbleitervorrichtung (1) umfasst Folgendes: einen Halbleiterkörpers (10), der eine Vorderseitenoberfläche (10-1) aufweist, und eine erste Passivierungsschicht (15-1), die oberhalb der Vorderseitenoberfläche (10-1) angeordnet ist, wobei die erste Passivierungsschicht (15-1) eine polykristalline Diamantschicht ist.

公开(公告)号：DE102019120692A1

公开(公告)日：2021-02-04

申请号：DE102019120692

申请日：2019-07-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PETERS DETHARD ,  PINDL STEPHAN ,  SCHAETZ JOSEF ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L29/51 ,  H01L21/285 ,  H01L21/318 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Eine Leistungshalbleitervorrichtung (1) umfasst Folgendes: einen Halbleiterkörper (10), der eine Vorderseite (10-1) und eine Rückseite (10-2) aufweist und zum Leiten eines Laststroms zwischen der Vorderseite (10-1) und der Rückseite (10-2) konfiguriert ist; und mehrere Steuerzellen (14), die zum Steuern des Laststroms konfiguriert sind, wobei jede Steuerzelle (14) wenigstens teilweise in dem Halbleiterkörper (10) auf der Vorderseite (10-1) enthalten ist und eine Gate-Elektrode (143) umfasst, die mittels einer Gate-Isolationsschicht (144) elektrisch von dem Halbleiterkörper (10) isoliert ist, wobei die Gate-Isolationsschicht (144) eine erste Bornitridschicht (1443) ist oder umfasst.

公开(公告)号：DE102018214302B4

公开(公告)日：2020-07-30

申请号：DE102018214302

申请日：2018-08-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GLACER CHRISTOPH ,  PINDL STEPHAN ,  WITTMANN SEBASTIAN ,  WEBER WERNER

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  G01L7/00 ,  H01L43/14 ,  H04R19/04

Abstract: Verfahren zum Herstellen eines graphenbasierten Sensors (1), wobei das Verfahren folgende Schritte umfasst:Bereitstellen eines Trägersubstrates (2);Ausbilden einer Trägerstruktur (3) an dem Trägersubstrat (2), derart, dass an einer Oberseite (4) der Trägerstruktur (3) eine oder mehrere Trennstrukturen (5) ausgebildet werden; undnasschemischer Transfer einer Graphenschicht (6) auf die Oberseite (4) der Trägerstruktur (3), welche die Trennstrukturen (5) aufweist;wobei die Trennstrukturen (5) und eine Reißfestigkeit der Graphenschicht (6) so aufeinander abgestimmt sind, dass die Graphenschicht (6) bei dem nasschemischen Transfer jeweils an den Trennstrukturen (5) einreißt;wobei die Trägerstruktur (3) so ausgebildet wird, dass sie eine Öffnung (12) aufweist, und wobei der nasschemische Transfer so durchgeführt wird, dass ein erster Abschnitt (13) der Graphenschicht (6) die Öffnung (12) abdeckt, und dass ein zweiter Abschnitt (14) der Graphenschicht (6) einen die Öffnung (12) umgebenden Bereich der Trägerstruktur (3) abdeckt;wobei der Sensor (1) als Hall-Sensor (1), als Mikrophon (1) oder als Drucksensor ausgebildet wird, wobei der erste Abschnitt der Graphenschicht (13) zum Wandeln einer zu detektierenden physikalischen Größe in ein elektrisches Signal ausgebildet wird.

公开(公告)号：DE102017102188A1

公开(公告)日：2017-10-05

申请号：DE102017102188

申请日：2017-02-03

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PINDL STEPHAN ,  GLACER CHRISTOPH

IPC: B81B7/02 ,  B81B1/00 ,  G01N21/17

Abstract: Ein Lichtemitterbauelement umfasst eine Emitterkomponente umfassend eine Heizerstruktur, die auf einer Membranstruktur angeordnet ist. Die Membranstruktur ist über einem ersten Hohlraum angeordnet. Zusätzlich dazu ist der erste Hohlraum zwischen der Membranstruktur und zumindest einem Abschnitt eines Stützsubstrats der Emitterkomponente angeordnet. Ferner ist die Heizerstruktur ausgebildet, um Licht zu emittieren, wenn ein vordefinierter Strom durch die Heizerstruktur fließt. Zusätzlich dazu umfasst das Lichtemitterbauelement ein Deckelsubstrat mit einer Aussparung. Das Deckelsubstrat ist an die Emitterkomponente so angebracht, dass die Aussparung einen zweiten Hohlraum zwischen der Membranstruktur und dem Deckelsubstrat bildet. Ferner ist ein Druck in dem zweiten Hohlraum kleiner als 100 mbar.

公开(公告)号：DE102013111163A1

公开(公告)日：2014-04-17

申请号：DE102013111163

申请日：2013-10-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： AHRENS CARSTEN ,  DEHE ALFONS ,  KNOTT BERNHARD ,  PINDL STEPHAN

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  H04R19/04

Abstract: Ein Verfahren zum Fertigen eines MEMS-Bauelements wird offenbart. Ferner werden ein MEMS-Bauelement und ein Modul, das ein MEMS-Bauelement aufweist, offenbart. Eine Ausführungsform weist ein Verfahren zum Fertigen von MEMS-Bauelementen auf, das Bilden eines MEMS-Stapels (120) auf einer ersten Hauptoberfläche (111) eines Substrats (110), Bilden einer Polymerschicht (140) auf einer zweiten Hauptoberfläche (112) des Substrats (110) und Bilden einer ersten Öffnung (118; 154) in der Polymerschicht (140) und dem Substrat (110), sodass die erste Öffnung (118; 154) an den MEMS-Stapel angrenzt, aufweist.

公开(公告)号：DE19943114A1

公开(公告)日：2001-04-05

申请号：DE19943114

申请日：1999-09-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PINDL STEPHAN

IPC: H01L21/285 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L29/417 ,  H01L29/78

Abstract: Connection areas of source/drain areas of the MOS transistor are arranged over the substrate (1) in the form of conductive structures (L), are separated from the substrate (1) by dividing layers (T) and have a larger horizontal cross section than the doped areas (G) of the source/drain areas that are located in the substrate (1).

公开(公告)号：DE102017012256B3

公开(公告)日：2021-05-20

申请号：DE102017012256

申请日：2017-03-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PINDL STEPHAN

IPC: B81B1/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  H01L23/13

Abstract: Die vorliegende Offenbarung betrifft eine Vorrichtung (10) mit einer Substratanordnung (13) mit einer ersten, sich im Betrieb erwärmenden Schaltungsanordnung (11) und einer zweiten Schaltungsanordnung (12), die in einem Substratmaterial der Substratanordnung (13) integriert ist. Ferner weist die Vorrichtung (10) eine zwischen der ersten und der zweiten Schaltungsanordnung (11, 12) angeordnete Hohlraumstruktur (14) auf, die in dem Substratmaterial ausgebildet ist, und einen gegenüber einem Umgebungsatmosphärendruck geringeren Druck aufweist. Die vorliegende Offenbarung betrifft ferner ein Verfahren zum Herstellen einer solchen Vorrichtung (10).

公开(公告)号：DE102019120017A8

公开(公告)日：2021-03-25

申请号：DE102019120017

申请日：2019-07-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： STREB FABIAN ,  MAUDER ANTON ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  PINDL STEPHAN

IPC: H01L23/482 ,  H01L21/60 ,  H01L45/00

公开(公告)号：DE102016122479B4

公开(公告)日：2020-10-22

申请号：DE102016122479

申请日：2016-11-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PINDL STEPHAN ,  STRASSER JOHANN ,  PORWOL DANIEL

IPC: B81C1/00 ,  B81B1/00 ,  G01N21/3504 ,  H01L49/00

Abstract: Verfahren zum Herstellen einer Infrarotemitteranordnung (100), das Verfahren aufweisend:• Bereitstellen eines Trägers (102), wobei der Träger (102) an einer ersten Seite (102v) des Trägers (102) mindestens eine Infrarotemitterstruktur (104) und an einer der ersten Seite (102v) des Trägers (102) gegenüberliegenden zweiten Seite (102r) des Trägers (102) mindestens eine Aussparung (106) aufweist, wobei sich die mindestens eine Aussparung von der zweiten Seite (102r) des Trägers (102) in Richtung der mindestens einen Infrarotemitterstruktur (104) erstreckt; und anschließend• Befestigen einer Infrarotfilterschichtstruktur (108) an der zweiten Seite (102r) des Trägers (102) derart, dass die mindestens eine Aussparung (106) die mindestens eine Infrarotemitterstruktur (104) von der Infrarotfilterschichtstruktur (108) separiert, wobei die Infrarotfilterschichtstruktur (108) einen Filterschichtträger (408t) und eine Infrarotfilterschicht (408f) aufweist, wobei die Infrarotfilterschicht (408f) auf und/oder in dem Filterschichtträger (408t) gebildet ist, wobei die Infrarotfilterschichtstruktur (108) derart an dem Träger (102) befestigt wird, dass die Infrarotfilterschicht (408f) dem Träger zugewandt ist, und wobei der Filterschichtträger (408t) eine der Aussparung (106) abgewandte Seite der Infrarotfilterschicht (408f) vollständig bedeckt.

公开(公告)号：DE102018209024A1

公开(公告)日：2019-12-12

申请号：DE102018209024

申请日：2018-06-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAKARAM PRASHANTH ,  TRAVAN CATERINA ,  ZOEPFL ALEXANDER ,  COOPER JOHN ,  PINDL STEPHAN ,  ORTNER JÖRG

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G01N27/04

Abstract: Eine Vorrichtung umfasst ein halbleiterbasiertes Substrat mit einer in oder an dem halbleiterbasierten Substrat ausgebildeten Funktionsstruktur. Die Vorrichtung umfasst eine Rahmenstruktur, die die Funktionsstruktur umgibt und umfasst eine Beschichtung, die die Funktionsstruktur bedeckt und der Rahmenstruktur begrenzt ist.