公开(公告)号：CN108726471A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201810325459.7

申请日：2018-04-12

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： M.库尔齐克 ,  O.维勒斯 ,  S.齐诺贝尔 ,  U.孔茨

IPC: B81B7/02

CPC classification number: B81B7/02 ,  B81B7/0012 ,  B81B2201/0292 ,  B81B2201/047 ,  B81C1/00698 ,  G02B5/02 ,  G02B5/208 ,  G02B5/22 ,  G02B26/0833

Abstract: 提出一种用于保护MEMS单元、尤其是MEMS传感器免遭红外线检查的方法，其中所述MEMS单元的至少一个区域被掺杂，并且其中至少一个经掺杂的所述区域将多于50%的、尤其是多于90%的入射到所述区域上的红外线光吸收、反射或漫散射。

公开(公告)号：CN108529549A

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201810154900.X

申请日：2018-02-23

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 四谷真一 ,  竹内淳一 ,  田中信幸 ,  衣川拓也 ,  松沢勇介

IPC: B81B3/00 ,  G01L9/00

CPC classification number: G01L9/0054 ,  B81B3/0086 ,  B81B7/0038 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0292 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2207/07 ,  B81C1/00182 ,  B81C1/00666 ,  B81C2203/019 ,  G01L9/0042 ,  G01L9/0055 ,  G01L19/04 ,  G01L19/0654 ,  B81B3/0027

Abstract: 本发明提供一种能够降低对于环境湿度的影响并能够发挥优异的压力检测精度的压力传感器、压力传感器的制造方法、压力传感器模块、电子设备以及移动体。压力传感器具有：基板，其具有通过受压而发生挠曲变形的隔膜；侧壁部，其被配置于所述基板的一面侧，并在俯视观察时包围所述隔膜；密封层，其以隔着被所述侧壁部包围的空间而与所述隔膜对置的方式被配置，并对所述空间进行密封，所述密封层具有：第一硅层；第二硅层，其相对于所述第一硅层而位于与所述基板相反的一侧；氧化硅层，其位于所述第一硅层与所述第二硅层之间，所述氧化硅层被所述第二硅层覆盖并相对于外部而被密封。

公开(公告)号：CN108275649A

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：CN201810220145.0

申请日：2018-03-16

Applicant: 苏州钽氪电子科技有限公司

Inventor： 沈方平

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B7/02 ,  B81B2201/02 ,  B81B2201/0292 ,  B81C1/00349

Abstract: 本发明提供一种MEMS可燃气体传感器及其加工方法，包括硅基底，硅基底的下表面设有2个绝热槽，上表面设有绝热层，绝热层表面设有对称分布且为多孔结构的第一贵金属催化层和第二贵金属催化层，第一贵金属催化层和第二贵金属催化层分别位于2个绝热槽的正上方，第一贵金属催化层表面设有气体隔绝层，第二贵金属催化层表面开有透气孔，气体隔绝层表面设有一组参比电阻，且与第一贵金属催化层和第二贵金属催化层串联，气体隔绝层边缘设有若干引线窗口。本发明提供的MEMS可燃气体传感器体积小，功耗低，性能稳定，加工方法简单，生产效率高。

公开(公告)号：CN103226024B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310028223.4

申请日：2013-01-25

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： K.埃利安 ,  F-P.卡尔茨 ,  H.托伊斯

IPC: G01D5/12

CPC classification number: H01L29/84 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/025 ,  B81B2201/0292 ,  B81B2203/0361 ,  B81C1/00246 ,  G01L1/20 ,  G01P15/124

Abstract: 本发明公开了传感器器件和方法。一种传感器器件包括半导体芯片。所述半导体芯片具有对于机械载荷敏感的感测区域。柱被机械地耦合到所述感测区域。

公开(公告)号：CN106082108A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201510736299.1

申请日：2015-11-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周仲彥 ,  詹志仁 ,  蔡嘉雄 ,  李汝谅 ,  谢元智

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00595 ,  B81B7/007 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2201/0292 ,  B81B2203/0109 ,  B81C1/00357 ,  B81C1/00801 ,  B81C2201/0132

Abstract: 本发明提供了一种形成IC(集成电路)器件的方法。方法包括：接收第一晶圆，第一晶圆包括第一衬底并且包括设置在其上表面上的等离子体反射层。等离子体反射层配置为从其反射等离子体。在第二晶圆的下表面上形成介电保护层，其中，第二晶圆包括第二衬底。将第二晶圆接合至第一晶圆，从而在等离子体反射层和介电保护层之间形成腔体。利用等离子体实施蚀刻工艺以形成从第二晶圆的上表面延伸并且穿过介电保护层进入腔体内的开口。也提供了通过上述方法形成的结构。本发明实施例涉及用于减少背侧硅损坏的结构。

公开(公告)号：CN103717526B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201280034778.3

申请日：2012-07-12

Applicant: 国家科研中心 ,  里尔中央理工学校

Inventor： 罗曼·维亚德 ,  阿波德尔克里姆·泰勒比 ,  菲利浦·雅克·潘诺德 ,  阿兰·默伦 ,  弗拉基米尔·普雷奥布拉日恩斯基

IPC: G01F1/688

CPC classification number: G01F1/688 ,  B81B3/0081 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0292 ,  B81B2203/0109 ,  G01F1/6845 ,  G01F1/6882 ,  G01L21/12 ,  H01L41/316 ,  H01L41/332

Abstract: 本发明涉及一种包括加热元件的微型传感器（1），并且涉及一种与该微型传感器相关联的制造方法。所述传感器（1）包括基板（2）、腔（20）以及热绝缘结构（4），所述热绝缘结构（4）通过连接至该基板（2）的区域（31、32）悬置在腔（20）的上方。本发明的特征在于，热绝缘结构（4）包括延伸越过腔（20）的至少两个桥部（33、34），加热元件通过相对于所述桥部（33、34）横向地延伸而由所述桥部（33、34）支撑。

公开(公告)号：CN104003347A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201410059957.3

申请日：2014-02-21

Applicant: 株式会社理光

Inventor： 安藤友一 ,  佐藤幸人 ,  前胜知

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00301 ,  B81B7/007 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0292 ,  B81B2201/047 ,  B81B2207/095 ,  B81C2203/031 ,  B81C2203/0707 ,  H01L24/03 ,  H01L24/09 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体器件和制造器件的方法。一种器件包括：第一衬底，功能性元件和电极在其中形成；第二衬底，贯通电极在其中形成；接合材料，其接合所述第一衬底和所述第二衬底，并在所述功能性元件和所述第二衬底之间保留预定空间；和导电材料，其将所述电极电连接到所述贯通电极。在此，所述接合材料比所述导电材料更硬，并且在电学上，所述接合材料比所述导电材料导电性更弱。

公开(公告)号：CN102016128B

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN200980116027.4

申请日：2009-03-12

Applicant: GSI重离子研究亥姆霍茨中心有限公司

Inventor： T·科尔内留斯 ,  W·恩辛格 ,  R·纽曼 ,  M·劳贝尔

IPC: C25D1/08 ,  C25D5/18 ,  B01J19/00

CPC classification number: C25D1/006 ,  B01J19/0093 ,  B01J23/42 ,  B01J23/72 ,  B01J35/0006 ,  B01J2219/00783 ,  B01J2219/00835 ,  B01J2219/00846 ,  B01J2219/00853 ,  B01J2219/0086 ,  B01J2219/00873 ,  B22F1/0025 ,  B22F3/002 ,  B81B2201/0292 ,  B81B2201/051 ,  B81C99/0085 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C25D1/00 ,  C25D1/003 ,  C25D1/04 ,  C25D1/08 ,  C25D5/18 ,  G01F1/688 ,  G01N25/00 ,  Y10S977/762 ,  Y10T29/49117 ,  Y10T428/12201 ,  Y10T428/12389 ,  Y10T428/24562 ,  Y10T428/24893 ,  Y10T428/25

Abstract: 本发明涉及制备片段化纳米线和具有该片段化纳米线的构件。为了制备纳米线结构元件，优选使用模板基法，在该方法中在纳米孔中进行电化学沉积。由此在模板膜中产生许多纳米线。在纳米线电化学沉积过程中，进行具有由阴极沉积脉冲和阳极反脉冲组成的交替次序的逆变脉冲。由此可以制备片段化的纳米线。

公开(公告)号：CN102735298A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201210209399.5

申请日：2009-12-08

Applicant: 日立汽车系统株式会社

Inventor： 佐久间宪之

IPC: G01F1/692

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B2201/0292 ,  B81B2203/0127 ,  G01F1/6845 ,  G01F1/692 ,  G01F1/699 ,  G01F5/00 ,  Y10T29/49083

Abstract: 本发明提供一种热式流体流量传感器及其制造方法。在具有由绝缘膜构成的薄膜结构部的热式流体流量传感器中，上述绝缘膜在精细加工的测温电阻体和发热电阻体的上下层叠有具有压缩应力的膜和具有拉伸应力的膜而成。对于发热电阻体(3)、发热电阻体用测温电阻体(4)、上游侧测温电阻体(5A、5B)和下游侧测温电阻体(5C、5D)的下层的绝缘膜，交替层叠了具有压缩应力的膜(第一绝缘膜(14)、第三绝缘膜(16)和第五绝缘膜(18))和具有拉伸应力的膜(第二绝缘膜(15)和第四绝缘膜(17))，且配置了2层以上的具有拉伸应力的膜。利用本发明的热式流体流量传感器，能够消除应力不均衡，提高检测灵敏度且提高可靠性。

公开(公告)号：CN101750123B

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN200910253536.3

申请日：2009-12-08

Applicant: 日立汽车系统株式会社

Inventor： 佐久间宪之

IPC: G01F1/692

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B2201/0292 ,  B81B2203/0127 ,  G01F1/6845 ,  G01F1/692 ,  G01F1/699 ,  G01F5/00 ,  Y10T29/49083

Abstract: 本发明提供一种热式流体流量传感器及其制造方法。在具有由绝缘膜构成的薄膜结构部的热式流体流量传感器中，上述绝缘膜在精细加工的测温电阻体和发热电阻体的上下层叠有具有压缩应力的膜和具有拉伸应力的膜而成。对于发热电阻体(3)、发热电阻体用测温电阻体(4)、上游侧测温电阻体(5A、5B)和下游侧测温电阻体(5C、5D)的下层的绝缘膜，交替层叠了具有压缩应力的膜(第一绝缘膜(14)、第三绝缘膜(16)和第五绝缘膜(18))和具有拉伸应力的膜(第二绝缘膜(15)和第四绝缘膜(17))，且配置了2层以上的具有拉伸应力的膜。利用本发明的热式流体流量传感器，能够消除应力不均衡，提高检测灵敏度且提高可靠性。