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公开(公告)号：CN103998634B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201280060611.4
申请日：2012-12-21
CPC classification number: H01J1/144 , B22F5/12 , C22C1/045 , C22C1/1078 , C22C27/04 , C22C32/0052 , H01J23/05 , H01J61/0735 , H01J2201/30449
Abstract: 本发明的目的是得到一种不使用作为放射性物质的钍也具有与含钍的钨合金相同或在其以上的发射特性的钨合金，以及提供使用该钨合金的放电灯、发射管和磁控管。本发明的钨合金中，在0.1wt％以上5wt％以下的范围内含有以ZrC换算计的Zr成分。
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公开(公告)号：CN103998634A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201280060611.4
申请日：2012-12-21
CPC classification number: H01J1/144 , B22F5/12 , C22C1/045 , C22C1/1078 , C22C27/04 , C22C32/0052 , H01J23/05 , H01J61/0735 , H01J2201/30449
Abstract: 本发明的目的是得到一种不使用作为放射性物质的钍也具有与含钍的钨合金相同或在其以上的发射特性的钨合金，以及提供使用该钨合金的放电灯、发射管和磁控管。本发明的钨合金中，在0.1wt％以上5wt％以下的范围内含有以ZrC换算计的Zr成分。
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公开(公告)号：CN103924213A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410176131.5
申请日：2014-04-29
Applicant: 清华大学
CPC classification number: H01J1/304 , C23C16/305 , C23C16/4488 , C23C16/45523 , H01J9/025 , H01J2201/30449
Abstract: 本发明公开了一种用于场发射器件的二硫化钼薄膜的制备方法，包括：提供硫蒸气；将硫蒸气吹入置有衬底和MoO3粉末的反应腔，以使MoO3粉末与硫蒸气反应生成气态的MoOx并沉积到衬底上，其中2≤x＜3；向所述反应腔中继续通入硫蒸气，先将反应腔加热到预设反应温度持续预设反应时间，然后将反应腔降温至室温并持续第二反应时间，以使硫蒸气与MoOx在衬底表面形成先平面生长后垂直生长的二硫化钼薄膜。本发明的二硫化钼薄膜的制备方法简单易行，得到的MoS2薄膜场发射性能好。
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公开(公告)号：CN1949449B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200510100365.2
申请日：2005-10-14
Applicant: 北京富纳特创新科技有限公司 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J1/14 , H01J1/15 , H01J1/20 , H01J1/304 , H01J2201/19 , H01J2201/196 , H01J2201/30449 , H01J2201/30469 , H01J2201/30496
Abstract: 本发明涉及一种电子发射器件，其包括：一电子发射体，其包括一维纳米结构；一相对于该电子发射体设置的阳极；一第一电源，用于在该电子发射体与阳极之间施加一电压以在该电子发射体与阳极之间形成一电场；及一第二电源，用于向该电子发射体施加一加热电压。本发明通过设置一第二电源向电子发射体施加一加热电压，可产生一加热电流对该电子发射体加热以产生一发射电流；此加热电压一方面可去除电子发射体表面的吸附物质，可获取稳定性较佳的发射电流；另一方面，该加热电压较低，发射电流大小可通过调节该加热电压方便调节。
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公开(公告)号：CN1949449A
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200510100365.2
申请日：2005-10-14
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J1/14 , H01J1/15 , H01J1/20 , H01J1/304 , H01J2201/19 , H01J2201/196 , H01J2201/30449 , H01J2201/30469 , H01J2201/30496
Abstract: 本发明涉及一种电子发射器件，其包括：一电子发射体，其包括一维纳米结构；一相对于该电子发射体设置的阳极；一第一电源，用于在该电子发射体与阳极之间施加一电压以在该电子发射体与阳极之间形成一电场；及一第二电源，用于向该电子发射体施加一加热电压。本发明通过设置一第二电源向电子发射体施加一加热电压，可产生一加热电流对该电子发射体加热以产生一发射电流；此加热电压一方面可去除电子发射体表面的吸附物质，可获取稳定性较佳的发射电流；另一方面，该加热电压较低，发射电流大小可通过调节该加热电压方便调节。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109314026A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201780034257.0
申请日：2017-06-20
Applicant: 科磊股份有限公司
Inventor： W·G·舒尔茨 , G·德尔加多 , F·希尔 , E·加西亚(贝里奥斯) , R·加西亚
CPC classification number: H01J1/3044 , H01J1/34 , H01J9/025 , H01J19/24 , H01J19/82 , H01J2201/30411 , H01J2201/30449 , H01J2201/30492 , H01J2209/0223
Abstract: 本发明涉及一种发射器，其含有金属硼化物材料，所述发射器具有拥有1μm或更小的半径的至少部分圆形尖端。可施加电场到所述发射器，且从所述发射器产生电子束。为形成所述发射器，从单晶棒移除材料以形成含有金属硼化物材料的发射器，其具有拥有1μm或更小的半径的圆形尖端。
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公开(公告)号：CN106783459A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710044256.6
申请日：2012-12-21
CPC classification number: H01J1/144 , B22F5/12 , C22C1/045 , C22C1/1078 , C22C27/04 , C22C32/0052 , H01J23/05 , H01J61/0735 , H01J2201/30449
Abstract: 本发明的目的是得到一种不使用作为放射性物质的钍也具有与含钍的钨合金相同或在其以上的发射特性的钨合金，以及提供使用该钨合金的放电灯、发射管和磁控管。本发明的钨合金中，在0.1wt％以上5wt％以下的范围内含有以ZrC换算计的Zr成分。
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公开(公告)号：US07737414B2
公开(公告)日：2010-06-15
申请号：US11924692
申请日：2007-10-26
Applicant: Hong-Shi Kuo , Ing-Shouh Hwang , Tien T. Tsong , Tsu-Yi Fu
Inventor： Hong-Shi Kuo , Ing-Shouh Hwang , Tien T. Tsong , Tsu-Yi Fu
CPC classification number: G01Q60/16 , C21D9/26 , C21D2201/04 , C22F1/14 , H01J1/3044 , H01J9/025 , H01J37/28 , H01J37/285 , H01J37/3056 , H01J2201/30411 , H01J2201/30449 , H01J2209/0226 , H01J2237/06 , H01J2237/08 , H01J2237/0807 , H01J2237/3114 , Y10S977/848 , Y10S977/90 , Y10S977/949 , Y10S977/95 , Y10T428/12389
Abstract: A method for preparing an iridium tip with atomic sharpness. The method includes tapering an iridium wire to a needle shape and heating the iridium needle in an oxygen atmosphere. Also disclosed is an iridium needle having a pyramidal structure which terminates with a small number of atoms prepared by the methods.
Abstract translation: 一种制备原子锐度的铱尖的方法。 所述方法包括将铱丝丝逐渐变细为针状，并在氧气氛中加热铱针。 还公开了具有锥形结构的铱针，其以通过该方法制备的少量原子终止。
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9.发明公开TUNGSTEN ALLOY PART, AND DISCHARGE LAMP, TRANSMITTING TUBE, AND MAGNETRON USING SAME 审中-公开钨合金部件放电灯泡和传输管磁控SO
公开(公告)号：EP2857534A4
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：EP12877876
申请日：2012-12-21
Applicant: TOSHIBA KK , TOSHIBA MATERIALS CO LTD
Inventor： YAMAMOTO SHINICHI , NAKANO KAYO , HORIE HIROMICHI
CPC classification number: H01J1/144 , B22F5/12 , C22C1/045 , C22C1/1078 , C22C27/04 , C22C32/0052 , H01J23/05 , H01J61/0735 , H01J2201/30449
Abstract: The purpose of the present invention is to obtain a tungsten alloy having emission characteristics that are the same as or better than those of a thorium-containing tungsten alloy without using thorium, which is a radioactive substance, and to provide a discharge lamp, transmitting tube, and a magnetron that use the tungsten alloy. According to the present invention, the tungsten alloy comprises a Zr component within a range of 0.1 wt% to 5 wt% inclusive in terms of ZrC.
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公开(公告)号：US20190108966A1
公开(公告)日：2019-04-11
申请号：US16150675
申请日：2018-10-03
Applicant: KLA-TENCOR CORPORATION
Inventor： Gildardo R. Delgado , Rudy F. Garcia , Katerina Ioakeimidi , Frances Hill , Michael E. Romero
CPC classification number: H01J37/073 , G02B27/0927 , H01J1/3044 , H01J1/34 , H01J19/24 , H01J37/06 , H01J37/26 , H01J37/28 , H01J40/06 , H01J40/18 , H01J2201/30411 , H01J2201/30449 , H01J2201/3048 , H01J2201/308 , H01J2201/3423 , H01J2201/3425 , H01J2201/3426 , H01J2237/06333 , H01J2237/24521 , H01J2237/24592 , H01J2237/2817 , H01L21/67288
Abstract: A photocathode structure, which can include an alkali halide, has a protective film on an exterior surface of the photocathode structure. The protective film includes ruthenium. This protective film can be, for example, ruthenium or an alloy of ruthenium and platinum. The protective film can have a thickness from 1 nm to 20 nm. The photocathode structure can be used in an electron beam tool like a scanning electron microscope.
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