公开(公告)号：CN202898525U

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201220563784.5

申请日：2012-10-30

Applicant: 株式会社新柯隆

Inventor： 宫内充祐 ,  林达也 ,  盐野一郎 ,  姜友松 ,  长江亦周

IPC: C23C14/26

Abstract: 本实用新型提供一种能够形成耐磨损性和紧贴性最佳化的防污膜的薄膜形成装置。一种在真空室内在基板的最表层形成防污性薄膜的薄膜形成装置。其具备：配设于真空容器内并保持多个基板的基板保持单元；使基板保持单元旋转的旋转单元；面对基板而设置的至少一个蒸镀单元；以及对基板照射能量的能量源。能量源配置在处于如下范围的位置：基板保持单元的旋转中心和能量源的分离部的中心之间的铅直方向的距离（H）与基板保持单元的直径（D）之比（H/D）为0.25以上且0.50以下的范围。

公开(公告)号：CN207126724U

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201720780692.5

申请日：2017-06-30

Applicant: 株式会社新柯隆

Inventor： 青山贵昭 ,  远藤光人

IPC: B05B15/52

Abstract: 本实用新型公开一种成膜装置，包括：容器，其内部能够容置基板；储藏机构，其储藏含有成膜材料的溶液；喷嘴，其与所述储藏机构连通；所述喷嘴能将所述溶液排出至所述基板上；除残机构，其能将所述喷嘴内残留的所述溶液排出所述喷嘴。

公开(公告)号：CN203080057U

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201220694213.5

申请日：2012-12-14

Applicant: 株式会社新柯隆

Inventor： 林达也 ,  姜友松 ,  佐藤望 ,  盐野一郎 ,  长江亦周

IPC: C23C14/30

Abstract: 本实用新型提供一种薄膜形成装置，其具备离子源，其中，电子枪、离子源都不会因彼此发出的电子而发生干涉，从而能够稳定地动作。对于离子源，使从电子枪的灯丝朝向坩埚的线为水平线并将其作为基准线，使所述离子源的电极部位于相对于基准线呈±45°的范围以外的位置，且所述离子源配置成，所述离子源的电极中心与使所述基体保持构件旋转的旋转构件的中心之间的水平距离（L）相对于所述基体保持构件的直径（D）的比（L/D）在0.3以上、0.5以下的范围。

公开(公告)号：CN202968674U

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201220694147.1

申请日：2012-12-14

Applicant: 株式会社新柯隆

Inventor： 林达也 ,  姜友松 ,  盐野一郎 ,  长江亦周

IPC: C23C14/24 ,  C23C14/50

Abstract: 本实用新型提供一种薄膜形成装置，在调整形成于基板的薄膜的膜厚的同时提高了蒸镀材料的利用效率。真空蒸镀装置（100）具备：真空槽（1）；基板保持器（2）和基板保持器保持部件（3），它们收纳于所述真空槽（1）内；以及蒸镀源，其在真空槽（1）中配置于基板保持器（2）的下方位置，作为蒸镀源，具备蒸镀彼此相同的蒸镀材料的第一蒸镀源（4）和第二蒸镀源（5），第一蒸镀源（4）和第二蒸镀源（5）各自的配置位置是在竖直方向和水平方向上相互不同的位置。

公开(公告)号：CN211522309U

公开(公告)日：2020-09-18

申请号：CN202020180266.X

申请日：2020-02-18

Applicant: 株式会社新柯隆

Inventor： 长江亦周 ,  菅原卓也 ,  宫内充祐 ,  山本摄也

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/35

Abstract: 本申请公开一种靶材溅射装置，包括：用于支撑靶材的支撑壳体；所述支撑壳体背对所述靶材的一侧设有两个或更多个用于输入溅射气体的气体输入部；所述支撑壳体设有所述靶材的一侧具有用于输出所述溅射气体的气体输出部；至少两个所述气体输入部位于所述支撑壳体的不同位置。本申请所提供的一种靶材溅射装置及其成膜装置能够在校正膜厚的基础上，避免降低溅射效率。

公开(公告)号：CN202968675U

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201220694172.X

申请日：2012-12-14

Applicant: 株式会社新柯隆

Inventor： 盐野一郎 ,  林达也 ,  姜友松 ,  宫内充祐 ,  冈田胜久 ,  长江亦周

IPC: C23C14/24

Abstract: 本实用新型提供一种真空蒸镀装置，即使在使用防污性、疏油性、疏水性的成膜材料等的情况下，也能够降低施加于对真空容器内进行排气的泵的负载。本实用新型涉及在真空容器内使蒸镀物质蒸镀至基板的真空蒸镀装置（1）。真空蒸镀装置（1）构成为具备：拱顶型的基板保持构件（12），其用于保持多个基板（14）；旋转构件，其用于使基板保持构件(12)旋转；蒸镀构件(34)；排气构件，其用于将真空容器(10)内的气体分子排出；以及排气口(G1)，其由设于真空容器(10)的侧壁的开口构成，并能够供由排气构件排出到真空容器(10)外的气体分子通过，基板保持构件(12)的下端部配置在比排气口(G1)的上端部(G1a)靠下方的位置。

公开(公告)号：CN216528739U

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202123375764.3

申请日：2021-12-29

Applicant: 株式会社新柯隆

Inventor： 长江亦周 ,  青山贵昭 ,  宫内充祐 ,  松本繁治 ,  斋藤大嗣

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/147 ,  H01J9/14

Abstract: 本申请实施例提供一种离子引出栅极以及离子源。所述离子引出栅极的截面呈弧状，在离子引出栅极上设置有贯穿离子引出栅极且中心轴线为直线的多个孔部；其中，多个孔部中的至少一部分孔部的中心轴线与孔部周围的离子引出栅极的表面的切线不垂直，和/或，离子引出栅极的厚度根据孔部的大小和相邻孔部之间的间隔被确定。由此，离子能够高效地通过离子引出栅极的孔部，从而进一步提升离子源的效率；此外，可以在提高栅极的离子束引出效率从而加大离子束密度的同时，兼顾地提高栅极的机械强度和延长使用寿命。

公开(公告)号：CN209065995U

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201821666566.8

申请日：2018-10-15

Applicant: 株式会社新柯隆

Inventor： 长江亦周 ,  尹诗流 ,  马图腾 ,  宫内充祐

IPC: C23C14/24

Abstract: 本申请公开一种成膜装置，包括：真空容器；位于所述真空容器内的基板支架，其具有用于保持基板的基板保持面；位于所述真空容器内的成膜单元，其用于在所述基板上形成薄膜；位于所述真空容器内的照射单元，其用于向所述基板支架发射粒子；所述照射单元能使所述基板保持面的电位状态为单一电位。本申请提供的成膜装置在成膜过程中不会产生异常放电，保证薄膜形成过程的稳定，提升成膜质量。

公开(公告)号：CN205062167U

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201520843493.5

申请日：2015-10-28

Applicant: 株式会社新柯隆

Inventor： 石田将崇 ,  林达也 ,  菅原卓哉 ,  我妻伸哉 ,  宫内充祐 ,  姜友松 ,  长江亦周

IPC: C23C14/34

CPC classification number: C23C14/34

Abstract: 本实用新型提供成膜装置。成膜装置具有：具有排气系统的真空容器；成膜区域，其形成于真空容器内；反应区域，其形成于真空容器内，并与成膜区域在空间上分离；阴极电极，其搭载靶材；溅射电源，其使面对靶材的被溅射面的成膜区域内产生溅射放电；等离子体产生单元，其使反应区域内产生通过在成膜区域内发生的溅射放电而形成的溅射等离子体之外的其他等离子体；将多个基板保持在外周面上的基板保持器；和使基板保持器旋转的驱动单元，借助驱动单元使基板保持器旋转，使基板在成膜区域内的规定的位置与反应区域内的规定的位置之间反复移动，成膜装置还具备：基板电极，其从背面搭载由基板保持器保持的基板；和偏置电源，其向基板电极供给电力。

公开(公告)号：CN202968678U

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201220694165.X

申请日：2012-12-14

Applicant: 株式会社新柯隆

Inventor： 盐野一郎 ,  林达也 ,  姜友松 ,  宫内充祐 ,  冈田胜久 ,  长江亦周

IPC: C23C14/28 ,  C23C14/32

Abstract: 本实用新型提供一种真空蒸镀装置，其能够维持离子源的效率且不会使装置大型化，并且能够提高维护性。在具备照射离子或等离子体等能量粒子的能量粒子源的真空蒸镀装置中，提供能量粒子源的维护性高的真空蒸镀装置。真空蒸镀装置构成为具备：拱顶型的基板保持构件（12），其配设于真空容器（10）内，用于保持多个基板（14）；旋转构件，其用于使基板保持构件（12）旋转；蒸镀构件（34），其以与基板（14）对置的方式设置；以及能量粒子源（38），其用于对基板（14）照射能量粒子。能量粒子源（38）在能量粒子诱导部朝向基板方向的状态下，安装于在真空容器（10）配设的门（10a）的内壁面。