公开(公告)号：KR1020070020254A

公开(公告)日：2007-02-20

申请号：KR1020067024792

申请日：2005-05-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노자와도시히사 ,  유아사다마키

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/203 ,  H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4401 ,  C23C16/4412 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32834 ,  H01J37/32862

Abstract: The purpose of this invention is to improve cleaning efficiency of a substrate processing apparatus. The substrate processing apparatus is provided with a process container for holding inside a substrate to be processed, a gas supplying means for supplying a gas in the process container for processing, a holding table provided in the process container for holding the substrate to be processed, and a shielding board for separating a space in the processing container into a first space and a second space. The substrate processing apparatus, which is provided with a first exhausting path for exhausting the first space, and a second exhausting path for exhausting the second space, is used. ® KIPO & WIPO 2007

Abstract translation: 本发明的目的是提高基板处理装置的清洗效率。 基板处理装置设置有用于保持在待处理基板内的处理容器，用于在处理容器中供给气体的气体供给装置，设置在处理容器中用于保持待处理基板的保持台， 以及用于将处理容器中的空间分离成第一空间和第二空间的屏蔽板。 使用具有用于排出第一空间的第一排气路径和用于排出第二空间的第二排气路径的基板处理装置。 ®KIPO＆WIPO 2007

公开(公告)号：KR1020060129318A

公开(公告)日：2006-12-15

申请号：KR1020067015082

申请日：2004-12-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노자와도시히사 ,  모리타오사무 ,  유아사다마키 ,  고타니고지

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C16/4411 ,  H01J37/32522 ,  H01L21/67069

Abstract: A substrate processing apparatus for processing a substrate used for manufacturing a semiconductor device. In the apparatus, a mist channel (5) extending through a part of a processing vessel (2) to be cooled is formed, and a mist generator (64) for generating mist and a gas supply source (62) for supplying a carrier gas to transport the generated mist. The temperature of the portion to be cooled is measured by means of a temperature sensor (49). When the measured temperature exceeds a predetermined temperature, a mist of e.g. water is made to flow through the mist channel, and the processing vessel is cooled by the heat of evaporation. Therefore, the temperature of the processing vessel quickly lowers, and a plasma processing can be conducted in a stable atmosphere.

Abstract translation: 一种用于处理用于制造半导体器件的衬底的衬底处理装置。 在该装置中，形成延伸通过待冷却的处理容器（2）的一部分的雾通道（5），以及用于产生雾的雾发生器（64）和用于供给载气的气体供给源 运送生成的雾。 通过温度传感器（49）测量被冷却部分的温度。 当测量的温度超过预定温度时， 使水流过雾气通道，并且处理容器由蒸发的热量冷却。 因此，处理容器的温度快速降低，能够在稳定的气氛中进行等离子体处理。

公开(公告)号：KR1020060108773A

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：KR1020067016347

申请日：2005-02-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 이시바시기요타카 ,  기타가와준이치 ,  후루이신고 ,  티안카이종 ,  야마시타준 ,  야마모토노부히코 ,  니시즈카데츠야 ,  노자와도시히사 ,  니시모토신야 ,  유아사다마키

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32192 ,  H01J37/32238

Abstract: [PROBLEMS] To improve a process quality of a plasma processing apparatus using microwaves, by suppressing generation of a strong magnetic field and a high-density plasma in the vicinity of a contact point of a supporting part, which supports a transmission window, and the transmission window. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] The plasma processing apparatus processes a wafer W in a process container (2) by plasma generated by supplying microwaves. The transmission window (20) has a drooping part (21) made of a same material as that of the transmission window (20) in its lower plane center area. A space d, having a gap length of 0.5-10mm, more preferably, 0.5-5mm, is formed between an outer circumference plane (21a) of the drooping part (21) and a side wall inner plane (5a) continued from the supporting part (6). Generation of the strong magnetic field and the plasma at the contact point C is suppressed, and a quantity of sputtered particles, radicals, etc. reaching the wafer W is suppressed.

Abstract translation: [问题]为了提高使用微波的等离子体处理装置的工艺质量，通过抑制支撑透射窗的支撑部的接触点附近的强磁场和高密度等离子体的产生，以及 传输窗口。 解决问题的方法等离子体处理装置通过供给微波产生的等离子体处理处理容器（2）中的晶片W. 传动窗（20）具有在其下平面中心区域由与透射窗（20）相同材料制成的下垂部分（21）。 在下垂部分（21）的外周平面（21a）和从支撑部分（21）延续的侧壁内平面（5a）之间形成有间隙长度为0.5-10mm，更优选为0.5-5mm的空间d 第（6）部分。 抑制了在接触点C处的强磁场和等离子体的产生，并且抑制了到达晶片W的溅射的粒子，自由基等的量。

公开(公告)号：KR1020050109537A

公开(公告)日：2005-11-21

申请号：KR1020057016691

申请日：2004-03-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노자와도시히사 ,  고타니고지

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67248 ,  C23C16/463 ,  H01L21/67109

Abstract: A first flow passage (16) for cooling, by circulating first cooling water (15), an object of which temperature is to be regulated and a second flow passage (19) that is different from the first flow passage are provided. Heat exchange is performed between second cooling water (18) flowing in the second flow passage (19) and the first cooling water (15). There is no need to store the first cooling water (15) in a tank with fixed capacity. Further, substantially the entire heat of the first cooling water (15) flowing in a chiller- equivalent portion of the first flow passage (16) is absorbed by the second cooling water (18). The structure above quickens response to load variation of an object of which temperature is to be regulated and can reduce the waste of energy while improving temperature control accuracy.

Abstract translation: 第一流路（16），其通过使第一冷却水（15）循环，要调节温度的物体和与第一流路不同的第二流路（19）进行冷却。 在第二流路（19）中流动的第二冷却水（18）和第一冷却水（15）之间进行热交换。 不需要将第一个冷却水（15）储存在一个容量不变的罐中。 此外，在第一流路（16）的与冷冻机等效部分流通的第一冷却水（15）的基本上整体的热量被第二冷却水（18）吸收。 上述结构加快了对温度对其进行调节的物体的负荷变化的响应，并可以在提高温度控制精度的同时减少能量的浪费。

公开(公告)号：KR100155568B1

公开(公告)日：1998-11-16

申请号：KR1019910012352

申请日：1991-07-19

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  가부시끼가이샤 도시바

Inventor： 아라미쥰이찌 ,  노자와도시히사 ,  호리오까게이지 ,  오꾸무라가쯔야

IPC: H05H1/00

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01L21/6831

Abstract: 본 발명 플라즈마 처리장치는 서셉터에 공급된 RF전류가 정전척의 도전체층에 유입되어 상기 도전체층과 접속되는 전압인가용 케이블에서 누설되는 것을 저감하여, 상기 도전체층에 RF전류의 유입을 저감시키므로서, 상기 정전척의 절연층의 파괴를 방지하는 것이다. 상기 플라즈마 처리장치는 저부에 개구부를 가진 접지전위가 되는 챔버와 상기 챔버내에 배치되어 고주파전력의 인가에 의하여 상기 챔버와의 사이에서 플라즈마를 발생시키기 위한 서셉터와, 상기 서셉터와 상기 챔버와를 절연하기 위한 절연부재와, 상기 서셉터상에 배치되고, 절연층의 사이에 도전체층을 개재시킨 구조를 가진 정전척과, 상기 챔버저부의 상기 개구부 주연에 일체적으로 착설되고, 단부가 하방을 향하여 연출된 통형체와, 상기 통형체내에 삽입되고, 선단이 상기 서셉터에 접촉된 통형 고주파 전력급전체와, 상기 급전체 접속된 고주파 전원과, 상기 급전체내에 동축적으로 삽입되고, 선단이 상기 정전척의 상기 도전체에 접속된 전압인가용 케이블과, 상기 케이블에 접속된 직류전원으로 구성되어 있다.

公开(公告)号：KR1019930003271A

公开(公告)日：1993-02-24

申请号：KR1019920013069

申请日：1992-07-22

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  가부시끼가이샤 도시바

Inventor： 하세가와마고또 ,  마쓰시다다까야 ,  호리오까게이지 ,  하세가와이사히로 ,  노자와도시히사 ,  이시가와요시오 ,  히라스까마사히또 ,  가네꼬사또시

IPC: H01L21/302

Abstract: 내용 없음.

公开(公告)号：KR1019920010714A

公开(公告)日：1992-06-27

申请号：KR1019910020383

申请日：1991-11-15

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  가부시끼가이샤 도시바

Inventor： 노자와도시히사 ,  아라미쥰이찌 ,  구보따신지 ,  하세가와이사히로 ,  오꾸무라가쯔야

IPC: H01L21/00

Abstract: 내용 없음

公开(公告)号：KR1019920003431A

公开(公告)日：1992-02-29

申请号：KR1019910012430

申请日：1991-07-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  가부시끼가이샤 도시바

Inventor： 가네꼬사또시 ,  후지다다이찌 ,  노자와도시히사 ,  우에다요이찌 ,  요시다유끼마사 ,  하세가와이사히로 ,  오까노하루오

IPC: H01L21/304

Abstract: 내용 없음

公开(公告)号：KR1019920003035A

公开(公告)日：1992-02-29

申请号：KR1019910012350

申请日：1991-07-19

Applicant: 티디케이가부시기가이샤 ,  도쿄엘렉트론가부시키가이샤 ,  가부시끼가이샤 도시바

Inventor： 노자와도시히사 ,  아라미쥰이찌 ,  요시다유끼마사 ,  호리오까게이지

IPC: G01F23/00

Abstract: 내용 없음