公开(公告)号：KR1020060080643A

公开(公告)日：2006-07-10

申请号：KR1020050000935

申请日：2005-01-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김성준 ,  홍창기 ,  이재동 ,  최재광

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/3212 ,  C09G1/02

Abstract: 여기에는 화학적 기계적 연마 공정에 사용되는 슬러리 조성물이 개시된다. 슬러리 조성물에는 계면활성제와 양이온성 고분자 화합물이 포함된다. 계면활성제와 양이온성 고분자 화합물은 노출된 폴리실리콘 표면에 패시베이션층을 형성한다. 따라서 폴리실리콘층과 실리콘 질화막 및 산화막과의 상대적인 제거 속도를 조절하는 것이 가능하며, 폴리실리콘층이 과도하게 제거되는 것을 방지할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020060064946A

公开(公告)日：2006-06-14

申请号：KR1020040103634

申请日：2004-12-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 임종흔 ,  이재동 ,  홍창기 ,  윤보언

IPC: C09K3/14

CPC classification number: C09K3/1463 ,  C09G1/02 ,  H01L21/31053

Abstract: 점도증가제를 함유하는 CMP용 슬러리 조성물 및 그 제조 방법과 이들을 이용한 기판 연마 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 CMP용 슬러리 조성물은 연마 입자와, 비이온성 수용성 고분자 또는 알콜류 화합물로 이루어지는 점도증가제와, 음이온성 고분자 화합물로 이루어지는 계면활성제와, 순수를 포함한다. 상기 연마 입자로서 세리아 연마 입자를 사용할 때 본 발명에 따른 CMP용 슬러리 조성물은 1.5 ∼ 5.0 cP의 점도를 가진다.
CMP, 슬러리 조성물, 점도증가제, 점도, 웨이퍼, 평탄도, 산화막

公开(公告)号：KR1020060030685A

公开(公告)日：2006-04-11

申请号：KR1020040079543

申请日：2004-10-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이종원 ,  이효종 ,  홍창기 ,  홍욱선

IPC: C09K3/14

Abstract: 구리 다마신 공정 후에 웨이퍼 상에 발생하는 부식을 효과적으로 억제할 수 있는 부식 억제 용액 및 이를 이용하는 씨엠피 공정을 제공한다. 상기 부식 억제 용액은 테트라졸(tetrazole) 화합물을 포함하는 부식억제제; 용매; 및 pH 조절제를 포함한다. 상기 부식 억제 용액은 구리를 포함하는 웨이퍼의 표면을 세정하는 세정 공정에 사용될 수 있다. 또한 구리막을 연마하는 CMP 공정 후에, 상기 부식 억제 용액을 이용하여 연마 패드를 컨디셔닝할 수 있다.
부식 억제

公开(公告)号：KR100564580B1

公开(公告)日：2006-03-29

申请号：KR1020030069143

申请日：2003-10-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김광복 ,  최재광 ,  고용선 ,  홍창기 ,  김경현 ,  이재동

IPC: H01L21/304

CPC classification number: C09G1/02 ,  B24B37/044 ,  B24B49/16 ,  B24B57/02

Abstract: 고평탄도 슬러리를 사용하는 산화막의 CMP 공정을 최적화하기 위한 산화막 평탄화 방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법에 관하여 개시한다. 표면 단차를 가지는 산화막에 대한 CMP 공정에서 연마 초기 단계에서는 실리카 계열의 슬러리를 사용함으로써 초기 단차 제거시 연마 시간 지연 현상이 발생되는 것을 방지하고, 초기 단차가 제거된 후에는 세리아 계열의 고평탄도 슬러리를 사용하여 나머지 연마 공정을 행한다. 세리아 계열의 고평탄도 슬러리에서 평탄도 선택성을 부여하기 위하여 첨가되는 음이온 계면활성제의 첨가량을 최적화함으로써 CMP 설비의 셀프스톱 기능을 이용하는 것이 가능하다.
고평탄도 슬러리, 산화막, 세리아, 실리카, 초기 단차, 셀프스톱

公开(公告)号：KR100554517B1

公开(公告)日：2006-03-03

申请号：KR1020040025651

申请日：2004-04-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 문창섭 ,  권두원 ,  고형호 ,  홍창기 ,  최상준

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02052 ,  C11D1/66 ,  C11D1/72 ,  C11D3/044 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/3081 ,  Y10S134/902

Abstract: 실리콘 게르마늄층을 포함하는 반도체 소자의 세정 공정시 상기 실리콘 게르마늄층의 손상을 방지할 수 있는 세정액 및 이를 이용한 세정 방법이 개시되어 있다. 비이온성 계면활성제 0.01 내지 2.5중량%와 염기성 화합물 0.05 내지 5.0 중량%와 여분의 순수를 포함하는 세정액은 실리콘 게르마늄층이 적층된 실리콘 기판에 소자 분리 패턴을 형성하기 위한 트랜치 형성시 트랜치에 노출된 실리콘 게르마늄층의 손상을 방지하면서 그 표면에 존재하는 불순물을 효과적으로 제거할 수 있는 효과를 갖는다.

公开(公告)号：KR100546406B1

公开(公告)日：2006-01-26

申请号：KR1020040024741

申请日：2004-04-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박준상 ,  홍창기 ,  김상용

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L45/06 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1683

Abstract: 상변화 메모리 소자 제조 방법을 제시한다. 본 발명에 따른 방법은, 반도체 기판 상에 형성된 절연층을 관통하는 관통홀 측벽에 서로 다른 절연층들을 포함하는 스페이서(spacer)를 형성하고, 바람직하게 티타늄 질화물층으로 스페이서 사이의 갭(gap)을 채우는 하부 전극을 형성한 후, 황산(H
2 SO
4 ), 암모늄요오드산염(NH
4 IO
3 ) 및 물을 포함하는 식각액을 이용하는 습식 식각으로 하부 전극 표면을 선택적으로 식각하여 스페이서의 측벽이 노출되는 리세스(recess) 홈을 형성한다. 리세스 홈을 메워 스페이서로 둘러싸인 감금 부분(confined part)을 가지는 상변화 메모리층을 형성하고, 상부 전극을 형성하여 상변화 메모리 소자를 형성한다.
상변화 메모리 소자, PRAM, confined 구조, TiN 식각, 줄 히팅

公开(公告)号：KR1020050109091A

公开(公告)日：2005-11-17

申请号：KR1020040033839

申请日：2004-05-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김호영 ,  홍창기

IPC: H01L21/304

CPC classification number: B24B37/04 ,  B24B57/02

Abstract: 기판 연마 장치는 회전 가능한 플레이튼을 포함한다. 연마 패드가 플레이트의 상면에 부착된다. 기판이 고정된 연마 헤드가 연마 패드의 상부에 배치된다. 연마 헤드는 기판을 연마 패드에 회전시키면서 가압하여, 기판을 연마하게 된다. 연마액 공급 라인이 연마 패드 상으로 연마액을 공급한다. 기체 분사 모듈이 연마액이 공급된 연마 패드 상면으로 기체를 분사하여, 연마 헤드 내로 공급되는 연마액의 양을 조절한다. 연마 패드 상에 기체를 분사하여 연마 헤드 내로 공급되는 연마액을 조절함에 따라 화학 기계적 연마의 균일성을 확보할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020050100731A

公开(公告)日：2005-10-20

申请号：KR1020040025651

申请日：2004-04-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 문창섭 ,  권두원 ,  고형호 ,  홍창기 ,  최상준

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/02052 ,  C11D1/66 ,  C11D1/72 ,  C11D3/044 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/3081 ,  Y10S134/902

Abstract: 실리콘 게르마늄층을 포함하는 반도체 소자의 세정 공정시 상기 실리콘 게르마늄층의 손상을 방지할 수 있는 세정액 및 이를 이용한 세정 방법이 개시되어 있다. 비이온성 계면활성제 0.01 내지 2.5중량%와 염기성 화합물 0.05 내지 5.0 중량%와 여분의 순수를 포함하는 세정액은 실리콘 게르마늄층이 적층된 실리콘 기판에 소자 분리 패턴을 형성하기 위한 트랜치 형성시 트랜치에 노출된 실리콘 게르마늄층의 손상을 방지하면서 그 표면에 존재하는 불순물을 효과적으로 제거할 수 있는 효과를 갖는다.

公开(公告)号：KR100518536B1

公开(公告)日：2005-10-04

申请号：KR1020020046575

申请日：2002-08-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이재동 ,  한용필 ,  홍창기

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/76224

Abstract: CMP 공정을 이용한 표면 평탄화시 트랜치등의 함몰영역의 폭의 차이와 식각선택비에 따라 발생되는 디싱현상을 효과적으로 방지할 수 있는 반도체 소자의 표면 평탄화 방법 및 그에 따라 제조된 반도체 소자가 개시된다. 본 발명의 표면 평탄화 방법은, 기저물질층 상에 형성된 식각방지층 패턴을 이용하여 기저물질층에 함몰영역을 형성한 후, 상기 식각방지층 패턴 상에 매개물질층을 형성한다. 이어서, 상기 함몰영역을 매립하면서 상기 매개물질층 상으로 소정의 높이가 되도록, 화학기계적 연마공정시 상기 매개물질층에 비하여 연마 제거속도가 작은 매립물질층을 형성한 후, 상기 매개물질층의 표면이 노출될 때까지 상기 매립물질층을 화학기계적 연마공정에 의해 제거하고, 계속하여 상기 식각방지층 패턴의 표면이 노출될 때까지 상기 매개물질층 및 매립물질층을 화학기계적 연마공정에 의해 평탄화한다.

公开(公告)号：KR100504116B1

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：KR1020030022764

申请日：2003-04-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이종원 ,  홍창기 ,  김호영

IPC: H01L21/304

CPC classification number: B24B37/26 ,  B24B41/04

Abstract: 본 발명은 반도체 소자 제조를 위한 화학적 기계적 연마장치로, 상기 장치는 반도체 기판을 고정하는 플레이트, 복수의 패드조각들을 가지며 상기 반도체 기판을 가압하는 연마 패드, 상기 연마 패드를 회전시키는 회전부, 그리고 상기 패드조각들 중 적어도 일부를 직선이동시키는 이동부를 구비한다.
본 발명에 의하면 웨이퍼의 일정부분별로 연마량을 용이하게 조절할 수 있는 효과가 있다.