公开(公告)号：CN105728304A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201610088359.8

申请日：2012-04-06

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 虎岛和敏 ,  秋山贵弘 ,  冨吉俊夫

IPC: B06B1/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: H04R1/00 ,  B06B1/0292 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/00626 ,  H04R2201/003

Abstract: 本发明涉及机电变换器及其制作方法。该机电变换器包括：衬底；布置在所述衬底上的第一电极；以及振动膜，包括布置在所述第一电极上的薄膜以及布置在所述薄膜上以便与所述第一电极相对的第二电极，在所述第一电极与所述薄膜之间具有间隙。所述第一电极具有6nm RMS或更小的表面粗糙度值。

公开(公告)号：CN105026905A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201480010876.2

申请日：2014-02-27

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： I·O·伍感特 ,  P·B·约翰逊

IPC: G01L9/04

CPC classification number: G01P15/125 ,  B81B7/007 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/00301 ,  B81C2201/013 ,  B81C2203/0109 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/036 ,  H02N1/006 ,  H03H3/0072 ,  H03H9/1057 ,  H03H9/2468 ,  H03H9/2489 ,  H04R19/005 ,  Y10T29/49165

Abstract: 一种封装的容性MEMS传感器装置100包括具有至少一个容性MEMS传感器单元100a的至少一个容性MEMS传感器元件，所述容性MEMS传感器单元100a包括具有厚电介质区域106和薄电介质区域107的第一衬底101。具有膜层120的第二衬底键合到厚电介质区域并在薄电介质区域上方以提供MEMS空腔114。膜层在MEMS空腔上方提供固定电极120a和释放的MEMS电极120b。第一穿透衬底通孔(TSV)111延伸通过MEME电极的顶侧并且第二TSV 112通过固定电极的顶侧。金属盖件132在第一TSV和第二TSV的顶部上。包括内部空腔144和给内部空腔加框的外部突出部分146的第三衬底140键合到厚电介质区域。第三衬底与第一衬底一起密封MEMS电极。

公开(公告)号：CN104944356A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201510129061.2

申请日：2015-03-23

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 吉泽隆彦

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00246 ,  B81B2201/0271 ,  B81C2203/0136 ,  B81C2203/0163 ,  B81C2203/0764

Abstract: 本发明提供一种MEMS装置。该MEMS装置具备：半导体基板，其在主面的第一区域中形成有沟槽，并且在主面的第二区域中形成有半导体电路元件的杂质扩散区；功能元件，其直接或经由绝缘膜而被设置于半导体基板的沟槽的底面上；壁部，其被设置于半导体基板的沟槽内，并在功能元件的周围形成空腔；盖部，其对空腔进行覆盖；支柱，其被设置于空腔内，并与半导体基板的沟槽的底面或绝缘膜、和盖部的背面接触。

公开(公告)号：CN104603945A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201380033342.7

申请日：2013-06-28

Applicant: 英特尔IP公司

Inventor： G·奥夫纳 ,  T·迈尔 ,  R·马恩科波夫 ,  C·盖斯勒 ,  A·奥古斯丁

IPC: H01L25/18 ,  H01L25/00

CPC classification number: B81C1/00238 ,  B81B7/008 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/025 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2201/10 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/053 ,  B81B2207/07 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/0023 ,  B81C2203/0792 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00014

Abstract: 在各实施例中，封装组件可以包括专用集成电路(ASIC)和具有活动端和不活动端的微机电系统(MEMS)。在各实施例中，MEMS可以通过一个或多个互连直接耦合到ASIC。MEMS、ASIC以及一个或多个互连可以定义或构成空腔，以便MEMS的活动部分在空腔内。在某些实施例中，封装组件可以包括通过一个或多个互连中的多个直接耦合到ASIC的多个MEMS。可描述和/或要求保护其它的实施例。

公开(公告)号：CN104066520A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201380006571.X

申请日：2013-01-23

Applicant: 皇家飞利浦有限公司

Inventor： P·迪克森 ,  R·毛奇斯措克 ,  K·卡拉卡亚 ,  J·H·克鲁特威克 ,  B·马赛利斯 ,  M·米尔德

IPC: B06B1/02

CPC classification number: B81B3/0086 ,  B06B1/0292 ,  B81B3/0027 ,  B81B2201/0271 ,  B81C1/00523 ,  H04R19/005 ,  H04R31/00 ,  H04R31/003

Abstract: 本发明涉及一种制造电容式微机械换能器(100)，尤其制造CMUT的方法，所述方法包括：在衬底(1)上沉积第一电极层(10)；在所述第一电极层(10)上沉积第一介电膜(20)；在所述第一介电膜(20)上沉积牺牲层(30)，所述牺牲层(30)是可去除的，以形成所述换能器的腔(35)；在所述牺牲层(30)上沉积第二介电膜(40)；在所述第二介电膜(40)上沉积第二电极层(50)；以及将所沉积的层和膜(10、20、30、40、50)中的至少一个模式化，其中，所述的沉积步骤是通过原子层沉积执行的。本发明还涉及一种通过这样的方法制造的电容式微机械换能器(100)，尤其是CMUT。

公开(公告)号：CN104052430A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410087868.X

申请日：2014-03-11

Applicant: 英飞凌技术德累斯顿有限责任公司

Inventor： T·考茨施 ,  H·弗雷利施 ,  M·福格特 ,  M·施特格曼 ,  T·桑塔 ,  M·布里安

IPC: H03H9/24

CPC classification number: H03H9/2452 ,  B81B3/0078 ,  B81B2201/0271 ,  B81C1/00158 ,  B81C1/00246 ,  B81C1/00301 ,  B81C1/00396 ,  B81C2203/0145 ,  H03H3/0072 ,  H03H3/0073 ,  H03H9/02259 ,  H03H9/2463 ,  H03H2009/02291 ,  H03H2009/02307 ,  H03H2009/0233 ,  H03H2009/02496

Abstract: 本发明提供了一种微机电谐振器。实施例具体涉及能够施加最大可用芯片上电压的MEMS谐振器结构和方法。在实施例中，MEMS谐振器包括在接地电势与谐振器的间隙电极之间的连接。实施例也涉及复杂度较低并且能够生产减小尺寸的MEMS谐振器的制造系统和方法。

公开(公告)号：CN103731116A

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201310459275.7

申请日：2013-09-23

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 稻叶正吾 ,  藤井正宽

IPC: H03H9/125 ,  H03H9/02 ,  H03H3/02

CPC classification number: H02N1/006 ,  B81B3/0013 ,  B81B2201/0271 ,  H03H3/0072 ,  H03H9/02338 ,  H03H9/2452 ,  H03H2009/02291 ,  H03H2009/02472 ,  Y10T29/49124

Abstract: 振子、振子的制造方法、电子设备以及移动体。本发明提供在制造工序中可动电极不会发生粘连而能够稳定制造的振子。MEMS振子（100）具备晶片基板（110）、设置在晶片基板（110）的主面上的固定下部电极（120）（第1电极）、一个端部固定到晶片基板（110）上的支撑部件（140）、以及可动上部电极（130）（第2电极），可动上部电极（130）与支撑部件（140）的另一个端部接合，并具有隔着间隙与固定下部电极（120）重叠的区域，支撑部件（140）具有加强区域（140s），在加强区域（140s）中，支撑部件（140）在晶片基板（110）的厚度方向上的厚度比可动上部电极（130）在晶片基板（110）的厚度方向上的厚度厚。

公开(公告)号：CN103569940A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310331547.5

申请日：2013-08-01

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 松泽勇介

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00 ,  H03H9/24 ,  H03H3/007

CPC classification number: H02N1/006 ,  B81B3/0086 ,  B81B7/0006 ,  B81B7/0032 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/00 ,  Y10T29/49117

Abstract: 本发明提供MEMS元件、电子设备以及MEMS元件的制造方法，抑制了MEMS结构体的尺寸精度的变动，特性偏差小。作为解决手段，MEMS元件（100）是具有MEMS振子（3）的MEMS元件，该MEMS振子（3）构成为包含在层叠于晶片基板（1）的主面上的第1基底部（氮化膜12）上层叠形成的多个MEMS结构部（13e、13h、14e、14h），其中，MEMS结构部覆盖形成在氮化膜（12）上的、使层叠有氮化膜（12）的第2基底部（第1氧化膜11）露出的开口部（50）而层叠在第1氧化膜（11）和氮化膜（12）上。

公开(公告)号：CN101902210B

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：CN200910246822.7

申请日：2009-11-12

Applicant: 微晶公司

Inventor： S·达拉皮亚扎 ,  T·赫斯勒

IPC: H03H9/10 ,  H03H3/02

CPC classification number: H03H9/1021 ,  B81B7/007 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2207/096 ,  H03H9/02818 ,  H03H9/02952 ,  H03H9/0557

Abstract: 本发明涉及一种压电谐振器的封装。本发明涉及一种包括压电谐振器(14)和外壳(10)的组件，所述外壳包括：基座部分(11)，所述谐振器被安装在该基座部分上；从所述基座部分延伸以便至少部分地围绕所述谐振器的壁(12)；以及固定于所述壁以封闭所述外壳的盖体。该基座部分包括主要部分(17)和至少两个导电通孔(16a，16b)。导电通孔通过该基座部分将所述压电谐振器和外部电路电连接，每个导电通孔被绝缘衬层(18)围绕以使得所述通孔与该主要部分(17)绝缘。该基座部分(11)的主要部分(17)被绝缘分隔物(21)分为两部分，如此设置使得该两个导电通孔位于所述分隔物的不同侧。

公开(公告)号：CN103183306A

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201210038586.1

申请日：2012-02-17

Applicant: 财团法人工业技术研究院

Inventor： 黄肇达 ,  许郁文 ,  郭秦辅

IPC: B81B5/00 ,  B81C1/00 ,  G01R33/12

CPC classification number: B81B7/0006 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2201/042 ,  B81B2203/0109 ,  B81B2203/0154 ,  B81B2203/058 ,  G01R33/0286

Abstract: 本发明公开一种具多重电性通道的微机电装置及其制作方法。该具多重电性通道的微机电装置包括支撑座与质量块。支撑座的绝缘层将其分成上、下导电层。隔绝沟槽设置于支撑座的下导电层且贯穿至绝缘层，将下导电层分成电性绝缘的内、外导电部。导电通孔设置于支撑座且贯穿绝缘层，并连接上导电层及外导电部。质量块的绝缘层将其分成上、下导电层。隔绝沟槽设置于质量块的下导电层且贯穿至绝缘层，并将下导电层分成电性绝缘的两个导电部。质量块的两个导电部分别电连接两个支撑座的内导电部。导电通孔贯穿绝缘层且连接质量块的上导电层及两个导电部之一。上述的微机电装置的制作方法也被提出。