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公开(公告)号：KR102006387B1
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：KR1020130005210
申请日：2013-01-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04N5/3745 , H01L27/146
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公开(公告)号：KR101715141B1
公开(公告)日：2017-03-13
申请号：KR1020110118989
申请日：2011-11-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04N5/369 , H04N5/3745 , H04N13/02
CPC classification number: H01L27/14609 , H04N13/207 , H04N13/271
Abstract: 깊이센서의픽셀이개시된다. 본발명의실시예에따른깊이센서의픽셀은광량출력회로, 상기광량출력회로에연결되고, 대상물로부터반사된빛의양에따라가변되는제1 전하를생성하고, 상기제1 전하를상기광량출력회로로전송하는제1 광량추출회로및 상기광량출력회로에연결되고, 상기대상물로부터반사된빛의양에따라가변되는제2 전하를생성하고, 상기제2 전하를상기광량출력회로로전송하는제2 광량추출회로를포함하며, 상기광량출력회로는상기제1 광량추출회로또는상기제2 광량추출회로로부터전송된상기제1 전하또는상기제2 전하를수신하여입력되는제어신호에따라픽셀신호를출력한다. 즉, 제1 광량추출회로및 제2 광량추출회로는제1 플로팅디퓨젼노드를공유함으로써, 픽셀의소형화에따른공간낭비를최소화할수 있는효과가있다.
Abstract translation: 深度传感器的单位像素包括：光强度输出电路，被配置为根据控制信号输出与第一电荷和第二电荷对应的像素信号的像素信号;第一光强度提取电路，被配置为 产生第一电荷并将第一电荷传输到光强度输出电路，第一电荷根据从目标物体反射的光量而变化，第二光强度提取电路被配置为产生第二电荷 并将第二电荷传输到光强度输出电路，第二电荷根据反射光量而变化。 光强度输出电路包括第一浮动扩散节点。 因此，能够减少空间的浪费，从而制造小尺寸的像素。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101709282B1
公开(公告)日：2017-02-24
申请号：KR1020110118647
申请日：2011-11-15
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06K9/78 , G01S7/4863 , G01S17/023 , G01S17/89 , G06K9/209 , H04N5/335 , H04N5/3696
Abstract: 이미지센서의동작방법이개시된다. 상기이미지센서의동작방법은, 상기이미지센서와대상사이의거리를측정하는단계, 및측정된거리와기준거리의비교결과에따라상기이미지센서의픽셀어레이에포함된컬러픽셀, 깊이(depth) 픽셀, 및열화상픽셀중에서적어도어느하나를활성화시키는단계를포함한다.
Abstract translation: 图像传感器的操作方法包括：确定图像传感器和对象之间的距离，以及基于确定的距离来激活包括在图像传感器的像素阵列中的彩色像素，深度像素和热像素中的至少一个 和参考距离。
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公开(公告)号：KR101543664B1
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：KR1020080123762
申请日：2008-12-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/14
CPC classification number: H01L27/14812 , H01L27/14609 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H04N5/37452
Abstract: 픽셀어레이및 이를포함하는입체영상센서가개시된다. 본발명의실시예에따른입체영상센서는, 종래의 MOS 구조대신에정션게이트구조를갖는픽셀구조를사용하기때문에광 이용효율이증대될수 있다. 또한, 생성된광전하가웰에저장되기때문에노이즈가크게감소될수 있다.
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公开(公告)号：KR101478678B1
公开(公告)日：2015-01-02
申请号：KR1020080081857
申请日：2008-08-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/11578 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L27/11521 , H01L27/11551 , H01L27/11556 , H01L27/11582 , H01L29/66825 , H01L29/66833 , H01L29/7881 , H01L29/792 , H01L29/7926
Abstract: 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법이 제공된다. 적어도 하나의 제 1 반도체층 및 적어도 하나의 제 2 반도체층이 제공된다. 적어도 하나의 제어 게이트 전극은 상기 적어도 하나의 제 1 반도체층 및 상기 적어도 하나의 제 2 반도체층 사이에 제공된다. 적어도 하나의 제 1 층 선택 라인은 상기 적어도 하나의 제 1 반도체층에 용량 결합된다. 적어도 하나의 제 2 층 선택 라인은 상기 적어도 하나의 제 2 반도체층에 용량 결합된다.
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公开(公告)号：KR101448152B1
公开(公告)日：2014-10-07
申请号：KR1020080027822
申请日：2008-03-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G01C3/08 , G01C3/00 , H01L27/146
CPC classification number: G01C3/08 , G01S7/4863 , G01S17/89
Abstract: 수직 포토게이트를 구비한 거리측정 센서 및 그를 구비한 입체 컬러 이미지 센서에 관하여 개시된다. 개시된 수직 포토게이트를 구비한 거리측정 센서는: 제1불순물로 도핑된 기판에서 광을 수광하여 광전하를 생성하는 광전변환 영역; 상기 기판에서, 서로 마주보게 이격되게 형성되어 광전하가 모이며 제2불순물로 도핑된 제1 및 제2 전하저장영역; 상기 제1 및 제2 전하저장영역에 각각 대응되게 상기 기판에 소정 깊이로 형성된 제1 및 제2 트렌치; 및 상기 제1 및 제2 트렌치에 각각 형성된 제1 및 제2 수직 포토게이트;를 구비한다.
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公开(公告)号：KR101437102B1
公开(公告)日：2014-09-05
申请号：KR1020080002230
申请日：2008-01-08
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C11/5628 , G11C16/32 , G11C16/349 , G11C29/00 , G11C2211/5634
Abstract: 메모리 장치 및 멀티 비트 셀의 특성 추정 방법이 제공된다. 본 발명의 메모리 장치는 멀티 비트 셀 어레이, 상기 멀티 비트 셀 어레이에 저장되는 데이터에 대응하는 복수의 문턱 전압 상태들 중 선택된 기준 문턱 전압 상태들의 시간에 따른 문턱 전압 변화를 추출하는 모니터링부, 및 상기 추출된 문턱 전압 변화에 기초하여 상기 복수의 문턱 전압 상태들의 시간에 따른 문턱 전압 변화를 추정하는 추정부를 포함하는 것을 특징으로 하며, 이를 통해 메모리 셀의 문턱 전압의 시간에 따른 변화를 모니터할 수 있다.
멀티 비트 셀, 멀티 레벨 셀, 문턱 전압, charge loss
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