公开(公告)号：KR1020120067090A

公开(公告)日：2012-06-25

申请号：KR1020100128518

申请日：2010-12-15

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  동국대학교 산학협력단

Inventor： 주정진 ,  남은수 ,  박형무 ,  이애영

IPC: A61N5/06 ,  A47K3/022

CPC classification number: A61N5/0613 ,  A47K3/022 ,  A61N5/0616 ,  A61N2005/063 ,  A61N2005/0651 ,  A61N2005/0666

Abstract: PURPOSE: A bed type optical treatment apparatus is provided to irradiate light to the skin of a user taking a bath in a bath tub. CONSTITUTION: A bed type optical treatment apparatus comprises a light source(20), a light combining unit(50), and a light output unit(60). The light source generates light. The light combining unit receives light generated from the light source and condenses the light. The light output unit uniformly distributes the light from the light output unit in the form of plane light, is attached to the upper end of a bath tub, and irradiates light from the light output unit to the inside of the bath tub. The light source is an LED. The light combining unit is a aspherical lens. The light output unit is a light guide plate.

Abstract translation: 目的：提供一种床型光学治疗装置，用于将光照射到在浴缸中洗浴的使用者的皮肤。 构成：床型光学处理装置包括光源（20），光合成单元（50）和光输出单元（60）。 光源产生光。 光合成单元接收从光源产生的光并使光凝结。 光输出单元以平面光的形式均匀地分布来自光输出单元的光，附着到浴缸的上端，并将来自光输出单元的光照射到浴缸的内部。 光源是LED。 光组合单元是非球面透镜。 光输出单元是导光板。

公开(公告)号：KR1020120066362A

公开(公告)日：2012-06-22

申请号：KR1020100127661

申请日：2010-12-14

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 임종원 ,  안호균 ,  강동민 ,  장우진 ,  김해천 ,  남은수

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/42376 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/40 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/812

Abstract: PURPOSE: A semiconductor device and a manufacturing method thereof are provided to improve a high voltage property of the semiconductor device by increasing a breakdown voltage. CONSTITUTION: A source electrode(210) is separated from a drain electrode(220) on a substrate(200). An insulation layer(230) is formed on the substrate, the source electrode, and the drain electrode. A field plate electrode(240) is formed on the insulation layer. A gate electrode(250) is contacted with the field plate electrode. The gate electrode includes a first support unit(251), a second support unit(252), and a head unit(253).

Abstract translation: 目的：提供半导体器件及其制造方法，以通过增加击穿电压来提高半导体器件的高电压特性。 构成：源电极（210）与衬底（200）上的漏电极（220）分离。 在基板，源电极和漏电极上形成绝缘层（230）。 在绝缘层上形成场板电极（240）。 栅电极（250）与场板电极接触。 栅电极包括第一支撑单元（251），第二支撑单元（252）和头单元（253）。

公开(公告)号：KR1020120061155A

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：KR1020100107883

申请日：2010-11-01

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이상흥 ,  김해천 ,  남은수

IPC: H03F1/34

CPC classification number: H03F3/08 ,  H03F1/34 ,  H03F3/3432 ,  H03F2200/121 ,  H03F2200/141 ,  H03F2200/18

Abstract: PURPOSE: A feedback amplifier is provided to have a wider dynamic range than before by providing a feedback amplifier which automatically controls a gain according to input current increase. CONSTITUTION: A feedback amplifier(200) is connected between an input terminal and an output terminal. The input terminal is electrically connected to power. A photo diode is connected between the input terminal and the power. A cathode current of the photo diode is used as an input current of the feedback amplifier. The feedback amplifier includes an amplification circuit part(210), an output circuit part(220), a feedback circuit part(230), and a bias circuit part(240). The feedback amplifier further includes a phase compensation circuit part(250). The amplification circuit part amplifies an input voltage inputted through the input terminal. The output circuit part outputs an output voltage through the output terminal. The bias circuit part applies a bias voltage to the feedback circuit part.

Abstract translation: 目的：通过提供反馈放大器，提供反馈放大器以具有比以前更宽的动态范围，该反馈放大器根据输入电流增加自动控制增益。 构成：反馈放大器（200）连接在输入端子和输出端子之间。 输入端子与电源电连接。 输入端子和电源之间连接一个光电二极管。 光电二极管的阴极电流用作反馈放大器的输入电流。 反馈放大器包括放大电路部分（210），输出电路部分（220），反馈电路部分（230）和偏置电路部分（240）。 反馈放大器还包括相位补偿电路部分（250）。 放大电路部分放大通过输入端输入的输入电压。 输出电路部分通过输出端子输出输出电压。 偏置电路部分向反馈电路部分施加偏置电压。

公开(公告)号：KR101066604B1

公开(公告)日：2011-09-22

申请号：KR1020080130496

申请日：2008-12-19

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 심재식 ,  권용환 ,  박미란 ,  민봉기 ,  오대곤 ,  남은수

IPC: H01L31/107

Abstract: 고속 광 통신에 적합한 아발란치 포토 다이오드의 제조 방법은 다음과 같다. 우선, 제1 도전형 기판의 전면(全面)에 차례로 제1 도전형 버퍼층, 광 흡수층, 그레이딩층, 제1 도전형 전기장 조절층 및 제1 도전형 증폭층을 형성한다. 다음, 제1 도전형 증폭층을 식각하여 제2 폭을 갖는 제2 리세스부와, 제2 리세스부로부터 연장되고 제2 폭보다 작은 제1 폭을 갖는 제1 리세스부를 포함하는 리세스 영역을 형성한다. 다음, 리세스 영역에 제2 도전형 확산 물질을 제공하고 제2 도전형 증폭층으로 확산시켜 제2 도전형 확산층을 형성한다. 다음, 제1 도전형 증폭층 상에 제2 도전형 확산층과 연결되는 제2 도전형 전극을 형성한 후, 제1 도전형 기판의 후면에 제1 도전형 전극을 형성하여 아발란치 포토 다이오드를 제조한다.

公开(公告)号：KR1020110068041A

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：KR1020090124863

申请日：2009-12-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 심재식 ,  민봉기 ,  오명숙 ,  권용환 ,  남은수

IPC: H01L31/107

CPC classification number: H01L31/02327 ,  H01L31/1075

Abstract: PURPOSE: An c is provided to increase the light receiving efficiency of an optical detector by forming a micro lens in the lower part and upper part of the optical detector. CONSTITUTION: In a light receiving efficiency, a light absorption layer is formed on a semiconductor substrate. An amplification layer(140) is formed on the light absorption layer. A diffusion layer(150) is formed inside the amplification layer. A micro lens(180) is formed to be corresponded to the diffusion layer. The micro lens comprises a first refraction layer and a second refraction layer having lower refractive index than that of the first refraction layer The first refraction layer is adjacent to the diffusion layer. The second refraction layer is formed on the first refraction layer.

Abstract translation: 目的：提供一种通过在光学检测器的下部和上部形成微透镜来提高光学检测器的光接收效率的c。 构成：在光接收效率下，在半导体衬底上形成光吸收层。 在光吸收层上形成放大层（140）。 扩散层（150）形成在放大层的内部。 形成与扩散层对应的微透镜（180）。 微透镜包括具有比第一折射层低的折射率的第一折射层和第二折射层。第一折射层邻近扩散层。 第二折射层形成在第一折射层上。

公开(公告)号：KR1020110063151A

公开(公告)日：2011-06-10

申请号：KR1020090120101

申请日：2009-12-04

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김성일 ,  이종민 ,  민병규 ,  윤형섭 ,  김해천 ,  남은수

IPC: H03F1/52 ,  H03F3/20

CPC classification number: H03F3/245 ,  H03F1/0261 ,  H03F1/52 ,  H03F3/19 ,  H03F3/211 ,  H03F2200/18 ,  H03F2200/451

Abstract: PURPOSE: A power amplifying apparatus is provided to acquire high stability by adding resistors connected to bases of transistors. CONSTITUTION: A cutoff part(10) is connected between a signal input terminal(1b) and an amplification adjusting part(20). The cutoff part includes a plurality of capacitors(C1-Cn). The cutoff part intercepts a DC component supplied from the signal input terminal. The amplification adjusting part is connected between a bias input terminal(1a) and a circuit protecting part(30). The amplification adjusting part includes a plurality of resistors(R31-R3n). The amplification adjusting part transfers a DC bias voltage from the bias terminal to the circuit protecting part. The circuit protecting part is connected to the cutoff part, the amplification adjusting part and an amplifier(40). The amplifier amplifies the signal transferred from the circuit protecting part.

Abstract translation: 目的：提供功率放大装置，通过添加连接到晶体管基极的电阻来获得高稳定性。 构成：在信号输入端子（1b）和放大调整部件（20）之间连接有截止部分（10）。 截止部分包括多个电容器（C1-Cn）。 截止部分截取从信号输入端子提供的直流分量。 放大调整部连接在偏置输入端子（1a）和电路保护部件（30）之间。 放大调整部包括多个电阻（R31〜R3n）。 放大调整部将偏置端子的直流偏置电压传递到电路保护部。 电路保护部分连接到截止部分，放大调节部分和放大器（40）。 放大器放大从电路保护部分传送的信号。

公开(公告)号：KR1020100063632A

公开(公告)日：2010-06-11

申请号：KR1020090043174

申请日：2009-05-18

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 민봉기 ,  앨버트제이.피.티. ,  심재식 ,  박미란 ,  권용환 ,  남은수

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H04N5/3742 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14641 ,  H04N5/3741 ,  H04N5/37457

Abstract: PURPOSE: A share photo diode image sensor is provided to improve a resolution by simultaneously driving a transfer transistor more than two adjacent to the photo diode. CONSTITUTION: Diffusion areas(311,316) focus an electronics from a photo diode(300). Transfer transistors(310,315) connect the photo diode with the diffusion area. A read-out circuit reads out a signal from the diffusion area. The neighboring unit pixel forms a share photo diode. A sensing signal is created by simultaneously sanctioning a turn on signal in the share photo diode connecting with a plurality of transfer transistors.

Abstract translation: 目的：提供共享光电二极管图像传感器，通过同时驱动与光电二极管相邻的传输晶体管两个以上来提高分辨率。 构成：扩散区（311,316）聚焦光电二极管（300）的电子。 传输晶体管（310,315）将光电二极管与扩散区域连接。 读出电路从扩散区读出信号。 相邻单元像素形成共享光电二极管。 感测信号是通过同时处理与多个传输晶体管连接的共享光电二极管中的导通信号来产生的。

公开(公告)号：KR100916319B1

公开(公告)日：2009-09-11

申请号：KR1020070054875

申请日：2007-06-05

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 오명숙 ,  김호영 ,  홍선의 ,  정영준 ,  남은수

IPC: G01S13/04

Abstract: 본 발명은 마이크로 렌즈 어레이를 포함하는 레이저 레이더에 관한 것이다. 본 레이저 레이더는 일정 파장 대역의 광 신호를 발생시키는 광원부; 상기 광 신호의 경로 상에 마련되어 상기 광원부으로부터 출력된 상기 광 신호를 발산시켜 목표 물체에 제공하는 송광 광학 렌즈; 및 상기 목표 물체에서 반사된 상기 광 신호를 모아주는 수광 광학 렌즈; 상기 수광 광학 렌즈를 통과한 상기 광 신호에 포함된 상기 파장 대역 이외의 파장을 제거하는 광 대역 필터; 상기 광 대역 필터를 통과한 상기 광 신호를 집광하는 마이크로 렌즈 어레이; 및 상기 마이크로 렌즈 어레이에서 집광된 상기 광 신호를 검출하는 광 검출기를 포함한다. 이에 따라, 광 검출기에서 수광되지 않고 손실되는 광 신호를 최소화할 수 있다.
레이저 레이더, 광 검출기, 송광 광학 렌즈, 마이크로렌즈 어레이

公开(公告)号：KR1020070061175A

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：KR1020060055228

申请日：2006-06-20

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 홍선의 ,  남은수

IPC: H03F3/45

CPC classification number: H03F3/082 ,  H04B10/6931

Abstract: A trans impedance pre-amplifier with a gain control function is provided to improve the dynamic range characteristic through gain control of the pre-amplifier with a peak detector and a voltage adjusting unit. A trans impedance pre-amplifier with a gain control function includes an amplifying circuit unit(340), a first buffer circuit unit(350), a feedback circuit unit(330), a second buffer circuit unit(360), a peak detecting unit(310), and a voltage adjusting unit(320). The amplifying circuit unit amplifies an input current signal received from an optical receiver. The first buffer circuit unit receives the signal from the amplifying circuit unit. The feedback circuit unit includes a feedback resistor receiving the signal from the first buffer circuit unit and feeding back the signal to an input terminal of the amplifying circuit unit, and a transistor serially connected to the feedback resistor. The second buffer circuit unit receives the signal from the first buffer circuit unit. The peak detecting unit detects a maximum value of the signal received from the second buffer circuit unit. The voltage adjusting unit adjusts a composition resistance value of the feedback circuit unit according to an output result of the peak detecting unit.

Abstract translation: 提供具有增益控制功能的跨阻抗前置放大器，通过具有峰值检测器和电压调节单元的前置放大器的增益控制来改善动态范围特性。 具有增益控制功能的反阻抗前置放大器包括放大电路单元（340），第一缓冲电路单元（350），反馈电路单元（330），第二缓冲电路单元（360），峰值检测单元 （310）和电压调节单元（320）。 放大电路单元放大从光接收器接收的输入电流信号。 第一缓冲电路单元从放大电路单元接收信号。 反馈电路单元包括接收来自第一缓冲电路单元的信号并将信号反馈到放大电路单元的输入端的反馈电阻器和串联连接到反馈电阻器的晶体管。 第二缓冲电路单元从第一缓冲电路单元接收信号。 峰值检测单元检测从第二缓冲电路单元接收的信号的最大值。 电压调整单元根据峰值检测单元的输出结果来调整反馈电路单元的成分电阻值。

公开(公告)号：KR100641048B1

公开(公告)日：2006-11-02

申请号：KR1020040103680

申请日：2004-12-09

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 홍선의 ,  남은수

IPC: H03F3/08

Abstract: 본 발명은 트랜스임피던스 증폭기에 관한 것으로, 보다 상세하게는 제1 바이폴라 트랜지스터가 포함되어 소정의 광 전류를 전압으로 변환 및 증폭하기 위한 제1 증폭부와, 제2 바이폴라 트랜지스터가 포함되어 상기 제1 증폭부의 출력을 재차 증폭시키기 위한 제2 증폭부와, 제3 바이폴라 트랜지스터가 포함되어 상기 제2 증폭부의 출력을 상기 제1 증폭부의 입력단으로 피드백시키기 위한 피드백부와, 제4 바이폴라 트랜지스터가 포함되어 상기 피드백부의 출력 신호를 버퍼링하기 위한 버퍼부와, 상기 제1 바이폴라 트랜지스터의 베이스와 상기 제3 바이폴라 트랜지스터의 에미터 사이에 연결되어 상기 제1 및 제2 증폭부의 입력임피던스를 감소시키기 위한 전류궤환부와, 상기 제1 바이폴라 트랜지스터의 에미터와 상기 제2 바이폴라 트랜지스터의 베이스 사이에 연결되어 상기 전류궤환부에서 감소시킨 이득을 보상함과 아울러 위상지연을 조절하기 위한 전압궤환부를 포함함으로써, 이득의 손실 없이 대역폭을 향상시킬 수 있으며, 낮은 입력 잡음 특성을 개선할 수 있는 효과가 있다.
트랜스임피던스 증폭기, 광 수신기, 광 통신시스템, 전치증폭기, 이중 궤환