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公开(公告)号：CN104843630B
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201510087121.9
申请日：2015-02-25
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Inventor： J·赖因穆特
CPC classification number: B81B7/0048 , B81B3/0048 , B81B3/0054 , B81B5/00 , B81B7/0006 , B81B7/0016 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81C1/0015 , B81C1/0019 , B81C1/00198 , B81C1/00325 , B81C1/00666
Abstract: 提出一种传感器，其具有衬底、微机电结构和脱耦合结构，其中所述脱耦合结构固定在所述衬底上，其中所述微机电结构固定在所述脱耦合结构上，其中所述微机电结构和所述脱耦合结构能够相对于所述衬底移动，其中所述脱耦合结构设置在所述微机电结构和所述衬底之间。
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公开(公告)号：CN104034324B
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201410083711.X
申请日：2014-03-07
Applicant: 恩智浦美国有限公司
Inventor： 马克·E·施拉曼 , 方德宥 , 基思·L·克拉韦尔 , 迈克·A·马尔古莱斯 , 佐原裕人
IPC: G01C19/5776 , G01D3/028
CPC classification number: G01P9/04 , B81B5/00 , B81B7/02 , B81B2201/0242 , B81B2201/0264 , B81B2207/03 , G01C19/5776
Abstract: 提供了减小多功能传感器器件中偏移变化的系统及方法。在这些实施例中，多功能感测器件（100）包括微机电（MEMS）陀螺仪（110）和至少第二传感器（112）。所述MEMS陀螺仪（110）被配置为生成第一时钟信号，以及所述第二传感器包括第二时钟信号。所述多功能感测器件还包括重置机构（114），所述重置机构（114）被配置为生成重置信号以设置在所述第二时钟信号与所述第一时钟信号的相对周期性相位对齐。始终设置其它传感器器件（112）的时钟与所述MEMS陀螺仪（110）的时钟的相对周期性相位对齐可以通过减小不同的输出偏移会在多个感测器件内发生的可能性来改进器件的性能。
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公开(公告)号：CN107539941A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201611259550.0
申请日：2016-12-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00269 , B81B3/0097 , B81B2201/0242 , B81B2201/0264 , B81B2201/042 , B81B2203/0315 , B81C3/001 , B81C2201/019 , B81C2203/0118 , B81C2203/019 , B81C2203/037
Abstract: 本公开的实施例涉及一种微机电器件，其具有半导体材料的第一衬底和半导体材料的第二衬底，第二衬底具有由与其一体的凸出部分界定的接合凹部。接合凹部与第一衬底形成封闭腔室。接合结构布置在封闭腔室内并且接合到第一和第二衬底。在第一和第二衬底之间选择的衬底中形成微机电结构。该器件通过以下步骤形成：在第一晶片中形成接合凹部；在所述接合凹部中沉积接合质量体，所述接合质量体具有比所述接合凹部更大的深度；以及接合两个晶片。
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公开(公告)号：CN103723675B
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201310484562.3
申请日：2013-10-16
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: B81C1/00531 , B81B2201/0242 , B81C1/00595 , B81C1/00619 , B81C2201/0132 , B81C2201/0133 , G01C19/5769
Abstract: 本发明涉及一种用于微机械部件的制造方法，所述制造方法具有下述步骤：在硅层（10）的现有的（110）‑表面定向的情况下，通过在所述硅层（10）的正面（12）上至少实施与晶体定向相关的蚀刻步骤从至少一个单晶的硅层（10）至少部分地结构化出至少一个结构（42、46），其中在硅层（10）的现有的（110）‑表面定向的情况下，在所述硅层（10）的正面（12）上额外地实施至少一个与晶体定向无关的蚀刻步骤以用于至少部分地结构化出至少一个结构（42、46）。此外，本发明还涉及一种微机械部件。
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公开(公告)号：CN107445134A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710244191.X
申请日：2017-04-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 林宏桦 , 刘丙寅 , 刘冠良 , 蔡嘉雄 , 亚历山大·卡利尼克斯
CPC classification number: B81C1/00269 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2207/012 , B81B2207/07 , B81B2207/092 , B81C2203/0118 , B81C2203/036 , B81C2203/0792 , B81B7/0032 , B81B2201/0228 , B81C1/00261
Abstract: 本揭露涉及半导体结构及其制造方法。其中，该半导体结构包含：第一衬底，其包含延伸到所述第一衬底中的腔、放置于所述腔内的装置、放置于所述第一衬底上方的第一电介质层及由所述第一电介质层环绕的第一导电结构；以及第二衬底，其包含放置于所述第二衬底上方的第二电介质层及由所述第二电介质层环绕的第二导电结构，其中所述第一导电结构与所述第二导电结构接合且所述第一电介质层与所述第二电介质层接合以密封所述腔。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107422146A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710369579.2
申请日：2017-05-23
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: G01P15/125
CPC classification number: B81B3/0008 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/025 , B81B2203/0181 , B81B2203/0338 , B81C1/00174 , B81C1/00476 , B81C2201/0132 , G01C19/56 , G01C19/5656 , G01C19/5712 , G01P1/003 , G01P15/0802 , G01P15/125 , G01P2015/0814 , G01P2015/0831 , G01P2015/0834 , G01P2015/0837
Abstract: 一种微机械的传感器（100），其中，表面微机械地能够制造所述微机械的传感器（100），具有至少一个构造在第三功能层（60）中的质量元件，该质量元件至少以区段的方式未被穿孔地构造；其中，在所述质量元件下方的缝隙（S）通过去除第二功能层（30）和至少一个氧化层（20）来制造；其中，所述至少一个氧化层（20）的去除借助于把气态的蚀刻介质引入到经限定数量的基本上彼此平行布置的蚀刻通道中来进行；其中，所述蚀刻通道与在第三功能层（60）中的竖直的进入通道能够连接。
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公开(公告)号：CN106946217A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201611107858.3
申请日：2016-12-06
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: B81B7/0038 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2203/0127 , B81C1/00285 , B81C1/00293 , B81C2203/0109 , B81C2203/0145 , B81C2203/0172 , B81C1/00 , G01P3/00 , G01P15/00
Abstract: 本发明提出一种用于制造微机械构件的方法，具有衬底和与衬底连接并且与衬底包围第一空穴的罩，其中，在第一空穴中存在第一压力并且包含具有第一化学组分的第一气体混合物，其中，‑在第一方法步骤中，在衬底或在罩中构造连接第一空穴与微机械构件周围环境的进入开口，其中，‑在第二方法步骤中，调节在第一空穴中的第一压力和/或第一化学组分，其中，‑在第三方法步骤中，通过借助于激光将能量或热量引入到衬底或罩的吸收部分中来封闭进入开口，其中，在基本上平行于衬底的主延伸平面走向并且布置在进入开口的基本上垂直于主延伸平面构造的区域的背离第一空穴的一侧上的第一平面和基本上平行于衬底的主延伸平面走向并且布置在进入开口的基本上垂直于主延伸平面构造的区域的面向第一空穴的一侧上的第二平面之间，进入开口通过衬底或罩的在第三方法步骤中过渡到液态聚集态的材料区域基本上完全被填充。
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公开(公告)号：CN105917193B
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201480073695.4
申请日：2014-10-21
Applicant: 萨甘安全防护公司
IPC: G01C19/574 , B81B3/00
CPC classification number: G01C19/574 , B81B3/0021 , B81B2201/0242 , B81B2201/0271 , B81B2203/0109 , B81C1/00547 , B81C2201/013 , G01C19/5733 , G01C19/5769
Abstract: 本发明涉及一种惯性传感器，包括框架和换能器，至少两个激振体通过弹性装置被连接到该框架以便在悬挂平面中是可移动的，所述换能器保持激振体振动并确定激振体相对于彼此的相对移动，其特征在于，所述激振体具有单一形状和单一质量，并且所述激振体包括互锁部件，这样激振体在彼此内部嵌套，同时在悬挂平面中相对于其他激振体是可移动的，同时激振体具有彼此重合的重心。本发明还涉及一种用于制造这种传感器的方法。
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公开(公告)号：CN104925735B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201510116966.6
申请日：2015-03-17
Applicant: 精工爱普生株式会社
Inventor： 古畑诚
CPC classification number: B81B7/0041 , B81B7/007 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/025 , B81B2207/092 , B81B2207/097 , G01P15/125 , H01L2224/48091 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种电子装置、电子模块、电子设备以及移动体。电子装置具备对第一基材和第二基材之间进行密封而形成的收纳空间和被收纳于收纳空间内的第一功能元件和第二功能元件，收纳空间在俯视观察时被配置在第一基材和所述第二基材被接合的框状的接合部的内部区域内，接合部包含设置于一方的第一接合区域和设置于另一方的第二接合区域，所述电子装置还具备第一布线部和第二布线部，第一布线部与第一功能元件连接，并具有从内部区域经由第一接合区域而朝向收纳空间的外部的第一方向，第二布线部与第二功能元件电连接，并具有从内部区域经由第二接合区域而朝向收纳空间的外部的第二方向。
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公开(公告)号：CN103663344B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201310415336.X
申请日：2013-09-12
Applicant: 快捷半导体(苏州)有限公司 , 快捷半导体公司
IPC: H01L23/48
CPC classification number: B81B7/007 , B81B7/0041 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0264 , B81B2203/0136 , B81B2203/0315 , B81B2207/096 , G01P15/125 , G01P15/18 , H01L23/481 , H01L28/40 , H01L28/60 , H01L28/82 , H01L29/84 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本申请涉及一种包括多材料填充物的改进型硅通孔。一种装置包括：衬底，其具有设置在所述衬底内的至少一个孔，其中，所述衬底包括：沟槽，其具有大体上成梯形的横截面，所述沟槽贯穿所述衬底在所述衬底的下表面和所述衬底的上表面之间延伸，其中，所述沟槽的顶部通向顶部开口，并且所述沟槽的底部通向底部开口，所述顶部开口比所述底部开口要大。所述装置可以包括：口状体，其围绕所述顶部开口并且在所述上表面和所述顶部开口之间延伸，其中，所述上表面的口状体开口比所述沟槽的所述顶部开口要大，其中，所述孔包括：电介质层，其设置在沟槽的内表面上。所述装置包括：填充物，其设置在所述沟槽内，所述电介质层夹在所述填充物和所述衬底之间。
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