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公开(公告)号：KR1020120086938A
公开(公告)日：2012-08-06
申请号：KR1020110008303
申请日：2011-01-27
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: G11C11/15 , H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: G11C11/161 , G11C11/15 , H01L27/228 , H01L43/08 , H01L43/12
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a magnetic random access memory is provided to improve the reliability of a device by removing the metal residue in a sidewall of an MTJ structure. CONSTITUTION: A laminate structure(40) with an MTJ structure is formed on a substrate. Laminate patterns with the MTJ structure are formed by patterning the laminate structure. Metal residue accumulated in the sidewalls of the laminate patterns are etched by using neutral beams(NB1,NB2).
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造磁性随机存取存储器的方法，通过去除MTJ结构的侧壁中的金属残渣来提高器件的可靠性。 构成：在基板上形成具有MTJ结构的层叠结构（40）。 通过图案化层压结构形成具有MTJ结构的层压图案。 通过使用中性光束（NB1，NB2）蚀刻积聚在层叠图案的侧壁中的金属残留物。
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公开(公告)号：KR101151277B1
公开(公告)日：2012-06-14
申请号：KR1020090117590
申请日：2009-12-01
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/3065 , C23C16/04
Abstract: 대기압 플라즈마를 이용한 기판의 이중 패터닝 방법이 개시(disclose)된다. 보다 구체적으로 본 개시는 기판을 제1 전극 및 제2 전극을 구비하는 대기압 플라즈마 장치에 제공하는 과정, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에서 대기압 플라즈마를 방전하여 상기 기판이 소수성 패턴을 가지도록 대기압 플라즈마 표면처리를 하는 과정, 상기 기판을 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에서 소정거리만큼 이송하여 위치하게 하는 과정 및 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에서 대기압 플라즈마를 방전하여 상기 기판이 친수성 패턴을 가지도록 대기압 플라즈마 친수성 표면처리를 하는 과정을 포함하여 상기 기판이 소수성 패턴과 친수성 패턴을 동시에 가지도록 하는 대기압 플라즈마를 이용한 기판의 이중 패터닝 방법을 제공한다.
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公开(公告)号：KR101080604B1
公开(公告)日：2011-11-04
申请号：KR1020100011929
申请日：2010-02-09
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/32137 , H01J37/32009 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01L21/3065
Abstract: 본발명은반응성라디칼및 중성빔을이용하는원자층식각장치및 이를이용한식각방법에관한것으로, 본발명의원자층식각장치는내부에피식각기판을안착할수 있는스테이지를구비하는반응챔버; 상기반응챔버로반응성라디칼및 중성빔을공급하며, 소스가스를공급받아플라즈마를발생시키는플라즈마챔버와, 상기플라즈마챔버외부를감싸면전기장을발생시키는유도코일과, 상기플라즈마챔버하부에위치하여이온빔을추출하는제 1, 제 2, 제 3 그리드로이루어지는그리드어셈블리와, 상기그리드어셈블리하부에서이온빔에전자를공급하여중성빔으로전환시키는반사체를포함하는플라즈마발생부; 상기플라즈마발생부와반응챔버의사이에설치되며, 상기반응챔버내로의중성빔의공급을조절하는셔터; 상기반응챔버내에퍼지가스를공급하는퍼지가스공급부; 및상기소스가스, 식각가스및 퍼지가스의공급을제어하며, 상기셔터의개폐를제어하는제어부를포함한다.
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公开(公告)号：KR1020110098694A
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：KR1020110018142
申请日：2011-02-28
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31116 , H01L21/31122
Abstract: 본 발명은 식각 방법에 관한 것이다. 상기 식각 방법은 2 이상의 박막의 적층구조를 포함하는 피식각물의 식각 방법에 있어서, 플라즈마 식각을 이용하는 건식 식각 단계; 중성빔 식각을 이용하는 중성빔 식각 단계; 및 중성빔 원자층 식각을 이용하는 중성빔 원자층 식각 단계 중에서 선택되는 2 이상의 식각 단계의 조합에 의해 수행할 수 있다. 본 발명에 따르면, 피식각물에 전기적 및 물리적 손상을 최소화할 수 있다.
Abstract translation: 蚀刻方法技术领域本发明涉及蚀刻方法。 所述蚀刻方法可以包括：使用等离子体蚀刻的干法蚀刻步骤，所述蚀刻方法包括：使用等离子体蚀刻的干法蚀刻步骤; 使用中性束蚀刻的中性束蚀刻步骤; 以及使用中性束原子层蚀刻的中性束原子层蚀刻步骤。 根据本发明，可以使坩埚的电和物理损坏最小化。
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公开(公告)号：KR1020110098307A
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：KR1020100017864
申请日：2010-02-26
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/32055 , C23C16/505 , H01L21/265
Abstract: 본 발명은 반도체 기판 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명은 저온에서 반도체막의 증착이 이루어져, 결정질 및 비정질이 혼재된 반도체막을 형성할 수 있는 반도체 기판 및 이의 제조 방법을 제공한다.
따라서, 전기적 특성이 우수한 결정질 비정질이 혼재된 반도체막을 형성하는 것이 가능하다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020110061062A
公开(公告)日：2011-06-09
申请号：KR1020090117590
申请日：2009-12-01
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/3065 , C23C16/04
CPC classification number: H01L21/306
Abstract: PURPOSE: A dual patterning method of a substrate using atmospheric pressure plasma is provided to simultaneously form a hydrophobic pattern and a hydrophilic pattern on the substrate below several micro meters by selectively discharging atmospheric plasma. CONSTITUTION: A substrate is provided to an atmospheric pressure plasma device including a first electrode and a second electrode(S100). A hydrophobic pattern is formed on the substrate by discharging the atmospheric pressure plasma between the first electrode and the second electrode(S110). The substrate is transferred between the first electrode and the second electrode(S120). A hydrophilic pattern is formed on the substrate by discharging atmospheric pressure plasma between the first electrode and the second electrode(S130).
Abstract translation: 目的：提供使用大气压等离子体的基板的双重图案化方法，通过选择性地排放大气等离子体，同时在几微米以下的基板上形成疏水图案和亲水图案。 构成：向包括第一电极和第二电极的大气压等离子体装置提供衬底（S100）。 通过在第一电极和第二电极之间排出大气压等离子体，在衬底上形成疏水性图案（S110）。 衬底在第一电极和第二电极之间转移（S120）。 通过在第一电极和第二电极之间排放大气压等离子体，在衬底上形成亲水图案（S130）。
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公开(公告)号：KR100959640B1
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：KR1020070135247
申请日：2007-12-21
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/265
Abstract: 중성빔 발생장치로 생성된 중성빔을 낮은 에너지로 산화막 표면을 처리해줌으로써 산화막의 전기적 손상을 최소화하면서 박막 특성을 향상시킬 수 있는 중성빔을 이용하여 기판의 특성향상을 위한 중성빔 표면 조성 혼입(incorporation)장치 및 방법에 관한 것으로, 플라즈마 발생 챔버 내에 장착되고, 이온빔을 생성하기 위한 가스를 주입하는 이온빔 발생 가스 주입구, 상기 이온빔 발생 가스 주입구를 통해 도입된 가스로부터 극성을 갖는 이온빔을 생성하는 이온소스부, 상기 이온소스부의 한쪽 단부에 마련된 그리드 어셈블리, 상기 그리드 어셈블리에 대응하여 마련되어 상기 이온빔을 중성빔으로 전환시키는 반사체 및 상기 중성빔의 진행 경로 상에 피처리 기판을 위치시키는 스테이지를 포함하고, 상기 중성빔으로 상기 피처리 기판의 표면을 개질하는 구성을 마련한다.
상기와 같은 중성빔을 이용한 기판의 표면조성 혼입 장치 및 방법을 이용하는 것에 의해, 기존의 MOSFET 뿐 아니라, SONOS, TANOS 등과 같은 차세대 반도체 소자의 산화막 특성 향상에 전반적으로 사용할 수 있는 장비 및 공정 기술을 향상시킬 수 있다.
이온, 소스, 중성빔, 개질-
公开(公告)号：KR100860039B1
公开(公告)日：2008-09-25
申请号：KR1020070070128
申请日：2007-07-12
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32825 , H01J37/32568 , H01J37/32844
Abstract: An atmospheric pressure plasma system is provided to generate large area plasma with high density without arching or streamer by causing plasma discharge between a lower side of a power electrode and a lower ground electrode. A chamber(400) is connected to a gas supply unit and includes a gas inlet for receiving reaction gas or atmospheric gas. A power electrode(100) is connected to a power supply unit and is composed of a both-sided electrode. The power electrode is installed in a center of the chamber. A first and second lateral ground electrodes(201,202) are connected to a ground terminal of the chamber. The first and second lateral ground electrodes are installed opposite to the power electrode. A lower ground electrode(300) is connected to a ground terminal of the chamber and is installed at a lower side of the outside of the chamber. A plasma discharge process is performed in a space between the first and second lateral ground electrodes and the lower ground electrode by supplying gas into the chamber and applying the power from the power supply unit to the power electrode.
Abstract translation: 提供大气压等离子体系统，通过在电源电极的下侧和下接地电极之间引起等离子体放电，产生高密度的大面积等离子体，无拱形或流光。 室（400）连接到气体供应单元，并且包括用于接收反应气体或大气气体的气体入口。 电源电极（100）连接到电源单元并由双面电极组成。 电源电极安装在腔室的中心。 第一和第二横向接地电极（201,202）连接到腔室的接地端子。 第一和第二横向接地电极安装在与电源电极相对的位置。 下接地电极（300）连接到室的接地端子并且安装在室的外侧的下侧。 在第一和第二横向接地电极和下部接地电极之间的空间中通过向室内供应气体并将电力从电源单元施加到电力电极来进行等离子体放电过程。
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公开(公告)号：KR1020080081596A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：KR1020070021847
申请日：2007-03-06
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32422
Abstract: A neutral beam grid structure is provided to enable processing of a fine pattern by maintaining straightness of a transformed neutral beam. A plurality of slits(300) are vertically formed on the surface of a grid(200) used in a neutral beam etching apparatus for extracting an ion beam. The plurality of slits can be separated from each by a predetermined interval. A reflector can be position at a predetermined angle to the lengthwise direction of the plurality of slits.
Abstract translation: 提供了一种中性光束格栅结构，以通过保持变换的中性光束的平直度来处理精细图案。 在用于提取离子束的中性光束蚀刻装置中使用的格栅（200）的表面上垂直地形成有多个狭缝（300）。 多个狭缝可以每隔一定间隔分开。 反射器可以位于与多个狭缝的长度方向成预定角度。
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公开(公告)号：KR100755517B1
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：KR1020060097777
申请日：2006-10-09
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01J37/32559 , H01J37/32357 , H01J37/32825
Abstract: A high-density plasma generator using atmospheric remote plasma is provided to reduce environmental pollution by performing a process using a small amount of etching gas. A plasma generating unit includes a process gas supplier(211), a first electrode disposed perpendicular to a flow direction of a process gas, a second electrode spaced apart from the first electrode at predetermined interval, and a plasma outlet formed by the first and the second electrodes for discharging high-density plasma. The plasma outlet is provided with plural holes for discharging the plasma. The first electrode is connected to a power source(219), and the second electrode is connected to a ground. Protrusions(213) are formed on a surface of the first electrode.
Abstract translation: 提供使用大气远程等离子体的高密度等离子体发生器，通过使用少量蚀刻气体进行处理来减少环境污染。 等离子体发生单元包括处理气体供给器（211），垂直于处理气体的流动方向设置的第一电极，以预定间隔与第一电极隔开的第二电极和由第一和第二电极形成的等离子体出口 用于放电高密度等离子体的第二电极。 等离子体出口设置有用于排出等离子体的多个孔。 第一电极连接到电源（219），并且第二电极连接到地。 突起（213）形成在第一电极的表面上。
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