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公开(公告)号：KR1019960037742A
公开(公告)日：1996-11-19
申请号：KR1019960011994
申请日：1996-04-19
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 진공 상태하에, 반응성 가스를 고분자, 세라믹, ITO 또는 유리 표면에 직접 불어 넣어주면서, 에너지를 가진 이온 입자를 고분자, 세라믹, ITO 또는 유리 표면에 조사하여 그 표면의 접촉각을 감소시켜 고분자, 세라믹, ITO 또는 유리 표면을 개질하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 표면 개질 방법은 재료 표면의 접촉각을 크게 감소시킴으로서 수성 물감의 번집 증가, 다른 물질과의 접착력 증가 및 빛의 산란 방지 등을 가져올 수 있어 고분자, 세라믹, ITO 또는 유리의 응용 분야에서 널리 이용될 수 있다.
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公开(公告)号：KR101976411B1
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：KR1020170149344
申请日：2017-11-10
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G02F1/1334 , G02F1/1343 , G02F1/1333
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公开(公告)号：KR101781836B1
公开(公告)日：2017-09-28
申请号：KR1020150163896
申请日：2015-11-23
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C01B31/02 , C01B13/14 , C01G9/02 , H01B1/24 , C08L27/16 , C08L39/06 , C08L101/00 , C08L101/12
Abstract: 본발명은 PVDF 등의고분자물질을이용하여유전체를제조함에있어서, 고분자물질에분산성이우수한나노링구조의탄소나노튜브를분산시킴으로써분산된나노링구조의탄소나노튜브가전도성필러(conductive pillar) 역할을수행하도록하여유전체의정전용량을증대시킬수 있는나노링구조의탄소나노튜브와고분자물질기반의유전체및 그제조방법에관한것으로서, 본발명에따른나노링구조의탄소나노튜브와고분자물질기반의유전체제조방법은분산용액에고분자물질및 나노링구조의탄소나노튜브를분산시키는단계; 고분자물질및 나노링구조의탄소나노튜브가분산된분산용액을성형하는단계; 및분산용액을증발시켜고분자물질및 나노링구조의탄소나노튜브로이루어진유전체를제조하는단계를포함하여이루어지며, 상기나노링구조의탄소나노튜브는, 탄소나노튜브가결합용고분자와비공유결합을이루며, 상기결합용고분자는π-공액상고분자, 방향족고분자, 비방향족고분자중 어느하나또는이들의조합인것을특징으로한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170059671A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：KR1020150163896
申请日：2015-11-23
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: C01B31/02 , C01B13/14 , C01G9/02 , H01B1/24 , C08L27/16 , C08L39/06 , C08L101/00 , C08L101/12
Abstract: 본발명은 PVDF 등의고분자물질을이용하여유전체를제조함에있어서, 고분자물질에분산성이우수한나노링구조의탄소나노튜브를분산시킴으로써분산된나노링구조의탄소나노튜브가전도성필러(conductive pillar) 역할을수행하도록하여유전체의정전용량을증대시킬수 있는나노링구조의탄소나노튜브와고분자물질기반의유전체및 그제조방법에관한것으로서, 본발명에따른나노링구조의탄소나노튜브와고분자물질기반의유전체제조방법은분산용액에고분자물질및 나노링구조의탄소나노튜브를분산시키는단계; 고분자물질및 나노링구조의탄소나노튜브가분산된분산용액을성형하는단계; 및분산용액을증발시켜고분자물질및 나노링구조의탄소나노튜브로이루어진유전체를제조하는단계를포함하여이루어지며, 상기나노링구조의탄소나노튜브는, 탄소나노튜브가결합용고분자와비공유결합을이루며, 상기결합용고분자는π-공액상고분자, 방향족고분자, 비방향족고분자중 어느하나또는이들의조합인것을특징으로한다.
Abstract translation: 本发明通过在纳米环结构的碳纳米管分散涉及，纳米环结构分散的碳纳米管导电填料（导电柱）具有优异的分散性的聚合物材料的制造电介质的使用的聚合物材料如聚偏氟乙烯 以用作所述纳米环结构的碳纳米管sikilsu增加系电介质和聚合物材料的电介质的电容，并且，因为它涉及一种用于根据本发明的基于制备碳纳米管的纳米环结构的与聚合物材料 制造电介质的方法包括将聚合物材料和纳米环碳纳米管分散在分散溶液中; 将分散有聚合物材料和纳米环结构的碳纳米管的分散溶液成型; 并蒸发，得到分散溶液制成，包括生产由聚合物材料和碳纳米管的纳米环结构的电介质的步骤，所述纳米环结构的碳纳米管是用于粘合的碳纳米管的聚合物侘共价键 并且偶联聚合物是π-共轭液体聚合物，芳族聚合物和非芳族聚合物中的任何一种，或其组合。
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公开(公告)号：KR101638501B1
公开(公告)日：2016-07-11
申请号：KR1020150040939
申请日：2015-03-24
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G01N27/414
CPC classification number: G01N27/4146
Abstract: 본발명은탑게이트(top gate) 구조의전계효과트랜지스터(FET, field effect transistor)를 pH센서로응용함에있어서, 게이트전극을은 나노선(Ag nanowire) 박막형태로구성하여게이트전극의비표면적을최대화하고이를통해수소이온농도측정의정확성및 신뢰도를향상시킬수 있는수소이온농도센서및 그제조방법에관한것으로서, 본발명에따른수소이온농도센서는기판; 상기기판상에구비된반도체활성층; 상기기판상에구비되며, 상기반도체활성층의양측부에각각접촉하는소스전극, 드레인전극; 상기반도체활성층, 소스전극및 드레인전극을포함한기판전면상에구비된게이트절연막; 상기게이트절연막에구비되는게이트전극; 및상기게이트절연막상에구비되어, 분석대상시료과게이트전극의접촉공간을제공하는시료유출입구조물을포함하여이루어지며, 상기게이트전극은은 나노선(Ag nanowire)이적층된구조인것을특징으로한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种氢离子浓度（pH）传感器及其制造方法，其使用顶栅结构的场效应晶体管（FET）构成银（Ag）纳米线薄膜形式的栅电极， pH传感器，以使栅电极的比表面积最大化，以提高pH测量的准确性和可靠性。 根据本发明，pH传感器包括：基底; 设置在所述基板上的半导体激活层; 源电极和漏电极，其设置在基板上并与半导体激活层的两侧接触; 栅极绝缘膜，设置在包括半导体激活层，源电极和漏电极的基板的整个表面上; 设置在所述栅极绝缘膜上的栅电极; 以及设置在栅极绝缘膜上以提供待分析样品和栅电极的接触空间的样品入口/出口结构。 栅电极具有沉积Ag纳米线的结构。
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公开(公告)号：KR1020140092168A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：KR1020130004614
申请日：2013-01-15
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: The present invention relates to a method of fabricating a transparent conductive film and a method of fabricating a solar cell including the same. The present invention includes a sheet fabrication step of fabricating a carbon nanotube sheet with a carbon nanotube dispersion solution on a substrate, and a doping process step of doping the surface of the carbon nanotube with metal ions by dipping the carbon nanotube sheet in KAuBr4 solution. The fabricating method of the present invention provides a transparent conductive film which enhances conductivity without generating the deformation of the substrate although the film is formed on a substrate which includes a PET flexible substrate by an eco-friendly method.
Abstract translation: 本发明涉及一种制造透明导电膜的方法及其制造方法。 本发明包括在基板上制造具有碳纳米管分散液的碳纳米管片的片材制造步骤，以及通过将碳纳米管片材浸渍在KAuBr4溶液中而用金属离子掺杂碳纳米管的表面的掺杂工艺步骤。 本发明的制造方法提供了一种透明导电膜，其通过环保方法在包括PET柔性基板的基板上形成膜而增强导电性而不产生基板的变形。
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公开(公告)号：KR101371596B1
公开(公告)日：2014-03-07
申请号：KR1020110106765
申请日：2011-10-19
Abstract: 본 발명은 선형 증발원이 구비된 증착 장치에 관한 것으로서, 소스가 저장된 소스 저장부, 소스 저장부에 저장된 소스를 공급하는 소스 공급부 및 소스 공급부에서 공급되는 소스를 증기화시켜, 증기화소스로 변환하여 기판에 증착시키는 선형 증발원을 포함하되, 선형 증발원은 원기둥 구조로 이루어져, 길이방향을 따라 골이 형성되고, 골의 양측 내주면 상단이 단차져서 형성된 슬라이딩 홈을 구비한 전도성 앰폴, 다수의 기공이 형성되어 있고, 길이방향 양측변이 슬라이딩 홈에 삽입되는 멤브레인, 원통형 구조로 이루어져, 내주면과 전도성 앰폴의 외주면이 이격되게 전도성 앰폴을 수용한 비전도성 쉴드, 비전도성 쉴드의 길이방향을 따라 내주면에서 외주면으로 돌출되어 형성된 핫립 및 비전도성 쉴드 외주면에 권취된 유도코일을 포함하여, 핫� �을 통해 분사되는 증기화물질이 기판에 선형적이고 균일하게 증착될 수 있도록 한다.
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120.发明公开
公开(公告)号：KR1020130048056A
公开(公告)日：2013-05-09
申请号：KR1020110112972
申请日：2011-11-01
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H01L33/06 , C09K11/54 , H01L33/005 , H01L33/26 , H01L51/0003 , H01L51/0045 , H01L51/502 , H05B33/10 , H05B33/14
Abstract: PURPOSE: Graphene-conjugated metal oxide semiconductor-graphene core-shell quantum dots are provided to have excellent photoelectric efficiency, to have a low material cost, to have a simple manufacturing process, thereby providing a light-emitting diode. CONSTITUTION: Graphene-conjugated metal oxide semiconductor-graphene core-shell quantum dots contain oxide semiconductor nanoparticle as a nuclei and have a structure which surrounds the nuclei, as a shell. The oxide semiconductor is a zinc oxide. The graphene consists of a graphene sheet consisting of a single layer or a plurality of layers. The graphene is a graphene with a band gap of a bowing shape. The graphene has a chemically bonded shape through a coupling with oxygen atoms.
Abstract translation: 目的：提供石墨烯共轭金属氧化物半导体 - 石墨烯核 - 壳量子点，以具有优异的光电效率，材料成本低，制造工艺简单，从而提供发光二极管。 构成：石墨烯共轭金属氧化物半导体 - 石墨烯核 - 壳量子点含有氧化物半导体纳米颗粒作为核并且具有围绕核的结构，作为壳。 氧化物半导体是氧化锌。 石墨烯由由单层或多层构成的石墨烯片构成。 石墨烯是具有弯曲形状的带隙的石墨烯。 石墨烯通过与氧原子的偶合具有化学键合的形状。
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