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公开(公告)号：KR1019960001941B1
公开(公告)日：1996-02-08
申请号：KR1019920020983
申请日：1992-11-10
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02F3/00
CPC classification number: C03C17/3618 , B82Y15/00 , C03C17/36 , C03C17/3639 , C03C17/3642 , C03C17/3652 , C03C17/3671 , C03C2217/948 , G02B26/02
Abstract: The device comprises a matrix of selection lines and data lines, each micro light valve comprising a data electrode connected to a data line through a via, a selection electrode connected to a selection line, a common electrode between the selection and data electrodes, a frame and a shifting element which can be moved by drive signals to be applied to the data and selection electrodes so as to pass or shut off a light beam. Drivers are connected to the selection and data lines for supplying selection and data signals to the light valves. Micro-mechanical display device has a large area and superior performance.
Abstract translation: 该装置包括选择线和数据线的矩阵，每个微型光阀包括通过通孔连接到数据线的数据电极，连接到选择线的选择电极，选择电极与数据电极之间的公共电极， 以及可以通过要施加到数据和选择电极的驱动信号移动以便通过或切断光束的移动元件。 驱动器连接到用于向光阀提供选择和数据信号的选择和数据线。 微机械显示装置面积大，性能优越。
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公开(公告)号：KR1019950034819A
公开(公告)日：1995-12-28
申请号：KR1019940010637
申请日：1994-05-16
IPC: H01L29/72
Abstract: 본 발명은 MBE, 또는 MOCVD 방법에 의하여 성장된 에피 웨이퍼상에 T형 에이터 전극을 형성하여 에미터 전극과 자기정렬된 베이스 전극 구조를 갖는 HBT소자 제조방법에 관한 것이다.
상기 성장된 에피 웨이퍼상에 1차 감광막(9)을 도포하고 노광시킨 후 유전체 절연막(10)을 전면에 증착하고 2차 감광막(11)을 상기 유전체 절연막(10)상에 도포하는 공정과; 상기 2차 감광막(11)을 노광한 후 이를 마스크로하여 하층의 유전체 절연막(10)을 등방성식각하고 상기 1차 감광막(9)을 현상하는 공정과; 에미터 전극(12)을 증착하고 전면에 1차 플라즈마 증착 절연막(13)을 증착하는 공정과; 상기 에미터 전극(12)을 마스크로하여 상기 1차 유전박막(13)을 반응성 이온 식각을 하고 전면에 2차 플라즈마 증착 절연막(14)을 증착하는 공정과; 상기 2차 플라즈마 증착 절연막(14)의 측벽만 남도록 반응성 이온 식각을 하고 베이스층(4)표면까지 수직하게 식각하고 노출된 부분에 베이스 전극(15)을 증착하여 에미터 전극 및 베이스 전극을 자기정렬하는 공정과; 베이스 메사식각을 하고 노출된 부분에 콜렉터 전극(16)을 증착한 후 금속배선공정을 실시한다.
따라서 본 발명은 HBT 소자의 고속특성과 공정의 신뢰성을 향상시킨다.-
公开(公告)号：KR1019950021254A
公开(公告)日：1995-07-26
申请号：KR1019930027215
申请日：1993-12-10
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/336
Abstract: 본 발명은 ECR절연막의 수평성장을 이용한 게이트 금속의 형성방법에 관한 것으로서 종래에 게이트 주변의 알루미늄 갈류비소 표면에서 생기는 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명에서는 T형 금속게이트 감광막(5,6)의 형성공정(가)과, 저온절연막(70을 전면에 증착하는 공정(나)과, 건식식각에 의한 절ㅇ련막의 되식각 공정(다)과,상기공정(다)의 형상을 이용한 리쎄스 식각된 부분(8)을 형성하는 공정(라)과, 게이트금속(9)을 증착하는공정(마)과, 리프트 오프 방법에 의해서 짧은 T형 게이트(9a)를 형성하는 공정(바)을 제공함으로써 게이트 금속길이를 짧게하여 소자의 성능을 향상시키고 게이트 주변의 알루미늄 갈룸비소 표면에서 생기는 문제점을 해결하고, 소자의 신뢰도를 향상시켜 경제성을 개선시킬 수있다.
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公开(公告)号：KR1019950021146A
公开(公告)日：1995-07-26
申请号：KR1019930027214
申请日：1993-12-10
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/30
Abstract: 본 발명은 이중노광법에 의한 미세한 형상의 레지스터 패턴을 형성하여 T-형 게이트를 제조하는 방법에 관한 것으로서, 종래기술의 공정이 복잡하고 재료처리량이 좋지않은 문제점을 해결하기 위하여 본 발명에서는 기판 (1)위에 포토레지스트막(2)을 도포하고 마스크(3)를 이용하여 노광(5)시켜 게이트 영역을 형성하는 공정
(a)과, 상기 노광후 이동하여 재차 노광하여 세영역(6,7,8)을 형성하는 공정(b)과, 현상된 포토레지스트막의 미세선톡(9)으로 형성하는 공정(c)과, 그 위에 역상의 기울기를 갖는 상층 포토레지스트막(10)을 형성하는 공정(d)과, 그 위에 금속(12) 및 T-형 게이트금속(11)을 형성하는 공정(e)과, 상기 상층 포토레지스트막(10) 및 상기 포토레지스트막(2)을 제거하는 공정(f)을 제공함으로써 반도체 소자의 특성을 향상시키고, 게이트 형성공정을 간단히 하여 양산성을 크게 증대시켜 경제성을 개선시킬 수 있다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019950021024A
公开(公告)日：1995-07-26
申请号：KR1019930026788
申请日：1993-12-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/027
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公开(公告)号：KR1019940012023A
公开(公告)日：1994-06-22
申请号：KR1019920020983
申请日：1992-11-10
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02F3/00
Abstract: 본 발명은 마이크로 메커닉스를 이용한 평면 디스플레이 장치에 관한 것으로, 각 화소마다 하나의 마이크로샷터가 정전기력에 의해 개폐됨으로써 정적 또는 동적인 영상을 표시할 수 있는 새로운 디스플레이에 관한 것이다.
본 발명은 디스플레이의 한 화소에 해당하는 마이크로 광개폐기는 표면 마이크로머시닝 기법을 사용하여 제작하며, 좌우 직선운동을 할 수 있는 평판모양의 마이크로 이동자와, 이 이동자를 구동하기 위한 3개의 전극선(selection line,common전극, data line), 이동자와 전극선 사이의 절연체, 그리고 이동자의 운동 가이드 및 블랙 매트릭스(black matrix)역할을 하는 프레임으로 구성되어 있으며, 광개폐기의 이동자를 정전기력으로 구동하여 개구의 개폐를 가능하게 한 것을 특징으로 한다.
본 발명의 디스플레이는 반도체 공정만으로 제작이 가능하여 조립공정이 필요하지 않으며, 액정과 같은 매개체를 사용하지 않으므로 빛의 손실이 작은 장점이 있다.
그리고 기존 액정 디스플레이의 구동방식과 유사한 방식으로 개폐기 어레이의 구동이 가능하며, 원리상 광개폐기의 크기가 미세화 될 수록 구동이 더욱 용이해지므로 화소밀도가 높은 평면 디스플레이의 구현에 적합한 특징이 있다. -
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