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    Optoelektronisches Halbleiterbauteil
    112.
    发明专利
    Optoelektronisches Halbleiterbauteil 未知

    公开(公告)号：DE102018125281A1

    公开(公告)日：2020-04-16

    申请号：DE102018125281

    申请日：2018-10-12

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： VÖLKL MICHAEL ,  HERRMANN SIEGFRIED

    IPC: H01L33/38 ,  H01L33/14

    Abstract: In einer Ausführungsform weist das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2) auf, die zur Erzeugung von rotem oder orangem Licht eingerichtet ist. Mehrere elektrische Durchkontaktierungen (3) verlaufen durch die Halbleiterschichtenfolge (2) hindurch. Eine erste Hauptseite (21) der Halbleiterschichtenfolge (2) ist elektrisch flächig von einer ersten elektrischen Kontaktstruktur (41) kontaktiert. Eine zweite elektrische Kontaktstruktur (42) befindet sich an der ersten Hauptseite (21). Die zweite Kontaktstruktur (42) verbindet die Durchkontaktierungen (3) elektrisch miteinander. Die zweite Kontaktstruktur (42) ist in die erste Kontaktstruktur (41) eingebettet.

    Optoelektronisches Bauteil
    113.
    发明专利
    Optoelektronisches Bauteil 未知

    公开(公告)号：DE102008045653B4

    公开(公告)日：2020-03-26

    申请号：DE102008045653

    申请日：2008-09-03

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： GÜNTHER EWALD KARL MICHAEL DR ,  ZEHNDER ULRICH DR ,  HERRMANN SIEGFRIED ,  BRUNNER HERBERT

    IPC: H01L23/38 ,  H01L31/024 ,  H01L33/00

    Abstract: Optoelektronisches Bauteil (1) als Lichtquelle, das zur Emission von Licht eingerichtet ist, mit- einem Träger (2) mit einer Montageseite (20) und mit mindestens einem Funktionselement (3),- mindestens einem substratlosen, optoelektronischen Halbleiterchip (4) mit einer Oberseite (44) und einer dieser gegenüberliegenden Unterseite (45) und einer elektrischen Kontaktierung des Halbleiterchips (4) über die Oberseite (44) und die Unterseite (45), wobei die Unterseite (45) der Montageseite (20) zugewandt und der Halbleiterchip (4) an der Montageseite (20) angebracht ist, und- mindestens einem elektrischen Kontaktfilm (5) an der Oberseite (44), wobei der Kontaktfilm (5) strukturiert ist, wobei- eine elektrische Leitung (6b) von dem Kontaktfilm (5) zur Montageseite (20) des Trägers (2) geführt ist und an einem Randbereich des Trägers (2) eine elektrische Anschlussstelle (17) bildet, und zur Vermeidung elektrischer Kurzschlüsse Seitenflächen der Halbleiterchips (4) mit einem Isolator (9) versehen sind, und die elektrische Leitung (6b) über den Isolator (9) verläuft,- der Halbleiterchip (4) als Leuchtdiode gestaltet ist, das Funktionselement (3) einen Schutz vor elektrostatischer Entladung aufweist,- das Funktionselement (3) in dem Träger (2), der mit dotiertem Silizium gestalteten ist, monolithisch integriert ist und das Funktionselement (3) genau einen gegenüber dem Träger (2) entgegengesetzt dotierten Bereich aufweist, der dem Halbleiterchip (4) zugeordnet ist,- sich der entgegengesetzt dotierte Bereich (13) ganz unterhalb des zugeordneten Halbleiterchips (4) befindet, in einer Schnittdarstellung und in Draufsicht auf die Montageseite (20) gesehen, sodass sich der Isolator (9) neben dem entgegengesetzt dotierten Bereich (13) befindet, und- über den Kontaktfilm (5) eine gleichmäßige Stromeinspeisung in den Halbleiterchip (4) über dessen gesamte Oberfläche (44) gewährleistet ist.

    Anordnung mit einer Mehrzahl von Leuchtmodulen und Verfahren zur Herstellung einer Anordnung mit einer Mehrzahl von Leuchtmodulen
    115.
    发明专利
    Anordnung mit einer Mehrzahl von Leuchtmodulen und Verfahren zur Herstellung einer Anordnung mit einer Mehrzahl von Leuchtmodulen 未知

    公开(公告)号：DE102017113573A1

    公开(公告)日：2018-12-20

    申请号：DE102017113573

    申请日：2017-06-20

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： SCHOLZ DOMINIK ,  HERRMANN SIEGFRIED

    IPC: H01L27/15 ,  H01L25/075 ,  H01L25/16 ,  H01L31/12

    Abstract: Eine Anordnung weist eine Mehrzahl (120) von Leuchtmodulen (111-119) auf, die von einem Träger (101) gehalten sind, wobei:- die Leuchtmodule (111-119) jeweils eine Mehrzahl (110) von optoelektronischen Bauelementen (121-129) aufweisen, die in einer ersten Anzahl an Zeilen (102) und einer zweiten Anzahl an Spalten (103) angeordnet sind, und die Leuchtmodule (111-119) die jeweilige erste Anzahl an ersten Elektroden (104) und die jeweilige zweite Anzahl an zweiten Elektroden (105) aufweisen, wobei die optoelektronischen Bauelemente (121-129) jeweils einer Zeile (102) der Zeilen (102) mit einer der ersten Elektroden (104) des jeweiligen Leuchtmoduls (111-119) elektrisch verbunden sind, und die optoelektronischen Bauelemente (121-129) jeweils einer Spalte (103) der Spalten (103) mit einer der zweiten Elektroden (105) des jeweiligen Leuchtmoduls (111-119) elektrisch verbunden sind,- der Träger (101) je Zeile (102) eine dritte Elektrode (108) und je Spalte (103) eine vierte Elektrode (109) aufweist, die jeweils von außerhalb des Trägers (101) elektrisch kontaktierbar sind, wobei die ersten Elektroden (104) jeweils einer der Zeilen (102) mit einer der dritten Elektroden (108) elektrisch verbunden sind und wobei die zweiten Elektroden (105) jeweils einer der Spalten (103) mit einer der vierten Elektroden (109) verbunden sind.

    Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen und optoelektronischen Modulen sowie optoelektronisches Halbleiterbauelement und optoelektronisches Modul
    118.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen und optoelektronischen Modulen sowie optoelektronisches Halbleiterbauelement und optoelektronisches Modul 未知

    公开(公告)号：DE102016111059A1

    公开(公告)日：2017-12-21

    申请号：DE102016111059

    申请日：2016-06-16

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： HERRMANN SIEGFRIED

    IPC: H01L33/48 ,  H01L21/50 ,  H01L21/677 ,  H01L23/28 ,  H01L25/075

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung mehrerer optoelektronischer Halbleiterbauelemente (12) und/oder mindestens eines optoelektronischen Moduls (15) angegeben mit folgenden Schritten: – Bereitstellen einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips (6), – Einbringen der optoelektronischen Halbleiterchips (6) mit passender Orientierung in eine lineare Zuführvorrichtung (3), – Befördern der optoelektronischen Halbleiterchips (6) zu einer Einspritzvorrichtung (4), die eine Auslassöffnung (5) aufweist, – Ummanteln der optoelektronischen Halbleiterchips (6) mit mindestens einer Mantelschicht (7) in der Einspritzvorrichtung (4) und Herauspressen der ummantelten optoelektronischen Halbleiterchips (6) aus der Auslassöffnung (5), wobei ein Verbund (8) von optoelektronischen Halbleiterchips (6) gebildet wird, in welchem die optoelektronischen Halbleiterchips (6) durch die mindestens eine Mantelschicht (7) miteinander verbunden sind, – Vereinzeln des Verbunds (8) in mehrere optoelektronische Halbleiterbauelemente (12), die jeweils einen optoelektronischen Halbleiterchip (6) aufweisen, der von der mindestens einen Mantelschicht (7) zumindest teilweise ummantelt ist, und/oder Vereinzeln des Verbunds (8) in mindestens ein optoelektronisches Modul (15) mit mehreren optoelektronischen Halbleiterchips (6), die von der mindestens einen Mantelschicht (7) zumindest teilweise ummantelt und durch diese miteinander verbunden sind. Ferner werden ein optoelektronisches Halbleiterbauelement und ein optoelektronisches Modul angegeben.

    Optoelektronisches Halbleiterbauteil
    120.
    发明专利
    Optoelektronisches Halbleiterbauteil 未知

    公开(公告)号：DE102016104202A1

    公开(公告)日：2017-09-14

    申请号：DE102016104202

    申请日：2016-03-08

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： HERRMANN SIEGFRIED

    IPC: H01L25/075 ,  H01L23/04 ,  H01L33/08 ,  H01L33/20 ,  H01L33/48 ,  H01L33/60

    Abstract: Es umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) ein Gehäuse (2) mit einer Ausnehmung (20) sowie einen ersten Halbleiterchip (31) zur Erzeugung von Licht einer ersten Farbe und einen zweiten Halbleiterchip (32) zur Erzeugung von Licht einer zweiten Farbe, wobei die zweite Farbe von der ersten Farbe verschieden ist. Im Betrieb wird entlang einer Hauptabstrahlrichtung (M) eine Mischstrahlung, umfassend zumindest Licht der ersten Farbe, emittiert. Der erste Halbleiterchip (31) ist in einer ersten Ebene (P1) und der zweite Halbleiterchip (32) in einer zweiten Ebene (P2) in der Ausnehmung (20) angeordnet, wobei die beiden Ebenen (P1, P2) entlang der Hauptabstrahlrichtung (M) aufeinander folgen. In Draufsicht parallel zur Hauptabstrahlrichtung (M) gesehen sind aktive Zonen (33) der Halbleiterchips (31, 32) nebeneinander angeordnet. Die Ausnehmung ist, in Draufsicht gesehen, zu mindestens 80 % von den Halbleiterchips (31, 32) ausgefüllt.

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