公开(公告)号：CN104458101A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410474951.2

申请日：2014-09-17

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 罗文耀 ,  冯志成 ,  刘德明

IPC: G01L9/00

CPC classification number: G01L19/0618 ,  B81B7/0061 ,  B81B2201/0264 ,  B81C1/00269 ,  B81C1/00825 ,  B81C1/00904 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/16151 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及侧通气压力传感器装置。半导体传感器装置具有被安装到衬底的压力感测管芯和至少另一个管芯，以及互连了所述压力感测管芯和所述至少另一个管芯的电互连。所述压力感测管芯的有源区域被一种压敏凝胶材料覆盖，并且具有腔的盖子被安装到所述压力感测管芯，以便所述压力感测管芯被放置在所述腔内。所述盖子具有将所述压力感测管芯的覆盖凝胶的有源区域暴露在所述传感器装置之外的周围大气压的侧通气孔。位于所述衬底的上表面上的模填料封装了所述至少另一个管芯和所述盖子的至少一部分。

公开(公告)号：CN104422553A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410437644.7

申请日：2014-08-29

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： F·哈格 ,  H·本泽尔

IPC: G01L1/18 ,  G01L9/06 ,  G01L13/06

CPC classification number: G01L9/0052 ,  B81B3/0021 ,  B81B7/007 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2207/092 ,  B81C1/00373 ,  B81C2203/0154 ,  G01L9/0047 ,  G01L19/148 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及一种微机械传感器装置和一种相应的制造方法。所述微机械传感器装置包括微机械传感器芯片(2a、2b)，其至少在侧面被模制壳体(5a-5d；5d’；5d”；5d”’；5d””；5c’)围绕，所述模制壳体具有前侧(S1)和后侧(S2)；所述微机械传感器芯片在后侧(S2)上具有芯片区域，所述芯片区域由所述模制壳体空出；和在所述前侧(S1)上形成布线装置(10；101-104；101’-104’；10a、10b)，所述布线装置从所述芯片区域(M，7；M,P1-P4；M,P1’-P4’；M’)开始，一直延伸直到在后侧(S2)上以围绕所述模制壳体，并且从那里通过至少一个贯通接触件(4；41-44；41’-44’；4’，4”；4a’，4a”)从所述模制壳体的后侧(S2)延伸到其前侧(S1)。

公开(公告)号：CN104321868A

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201380028085.8

申请日：2013-06-10

Applicant: 英特尔公司

Inventor： 林启文 ,  Q.马 ,  F.爱德 ,  J.斯万 ,  郑永康

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/065

CPC classification number: G01L9/0042 ,  B81B7/0058 ,  B81B7/0077 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/00246 ,  G01L9/0047 ,  G01L9/007 ,  G01L9/0073 ,  H01L24/19 ,  H01L29/84 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/18162

Abstract: 本发明描述了一种具有气压传感器的半导体封装和用以形成具有气压传感器的半导体封装的方法。例如，一种半导体封装包括多个累积层。在一个或多个累积层中设置腔。气压传感器被设置在多个累积层中并包括所述腔和在所述腔之上设置的电极。还描述了用于制造具有气密密封区域的半导体封装的各种方法。

公开(公告)号：CN104310299A

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201410058939.3

申请日：2014-02-21

Applicant: 大陆汽车系统公司

Inventor： X.丁

IPC: B81B7/00 ,  G01L9/02 ,  G01L1/20 ,  G01L19/04

CPC classification number: B81C1/00269 ,  B81B2201/0264 ,  B81C2203/019

Abstract: 一种压力传感器包括压力感测元件，所述压力感测元件具有隔膜、腔室、以及连接到隔膜的桥接电路。顶表面形成为压力感测元件的一部分，使得顶表面的至少一部分是隔膜的一部分，多个压敏电阻器位于顶表面上。罩通过使用多层结合到顶表面，所述层之一是二氧化硅层，另一层是氮化硅层，另一层是氧化物层，另一层是多晶硅层。所述多层提供罩和压力感测元件的顶表面之间的合适结合。

公开(公告)号：CN102401693B

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201110272018.3

申请日：2011-09-13

Applicant: 横河电机株式会社

Inventor： 吉田隆司

IPC: G01H11/06

CPC classification number: G01L9/0019 ,  B81B3/001 ,  B81B2201/025 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0285 ,  B81B2203/0118 ,  G01L1/106 ,  G01L9/0013 ,  H03H9/2457 ,  H03H2009/02496

Abstract: 本发明提供一种振动传感器，其包括：设置在单晶硅衬底之上的单晶硅振动梁，该振动梁的断面形状在垂直于单晶硅衬底表面的方向上比在平行于单晶硅衬底表面的方向上长；由硅制成的壳体，围绕振动梁具有间隙，并且与单晶硅衬底一起形成真空室；板状第一电极板，与单晶硅衬底的表面平行布置，第一电极板的一端连接到振动梁；板状第二和第三电极板，与单晶硅衬底的表面平行布置，并且彼此相对，振动梁置于其间；以及形成在振动梁与第二和第三电极板的相对侧表面上的粗糙。

公开(公告)号：CN104169657A

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201380013497.4

申请日：2013-03-12

Applicant: W.L.戈尔及同仁股份有限公司

Inventor： A·J·霍利达

IPC: F24F7/00

CPC classification number: B81B7/0061 ,  B01D53/228 ,  B01D69/12 ,  B01D71/06 ,  B23B3/00 ,  B32B3/266 ,  B32B37/18 ,  B32B38/0004 ,  B81B7/0041 ,  B81B7/0058 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81C1/00293 ,  H04R1/28 ,  H04R25/456 ,  H04R2460/11 ,  Y10T156/1052 ,  Y10T428/24331

Abstract: 本发明涉及包括多个排气区域的排气阵列，排气区域包括多孔PTFE基底材料和包括具有多个穿孔的基质材料的无孔材料，其中，基质材料填充多孔PTFE基底的孔，以形成无孔区域，该无孔区域使多个排气区域互连。

公开(公告)号：CN104124244A

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201410100511.0

申请日：2014-03-18

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 佐藤公敏

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/8234 ,  G01L1/14 ,  G01L9/12

CPC classification number: G01L9/0073 ,  B81B2201/0264 ,  B81C1/00246 ,  B81C1/00952 ,  B81C2203/0714 ,  B81C2203/0742 ,  G01L9/0042 ,  H01L27/0617 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/11531 ,  H01L29/84

Abstract: 在压力传感器区域（16）形成压力传感器，该压力传感器包含固定电极（23b）、真空室（51）以及可动电极（39），在CMOS区域（17）形成有存储器单元晶体管和场效应型晶体管。与真空室（51）连通的蚀刻孔（46）由第1封装膜（49）等闭塞。真空室（51）通过将由与存储器单元晶体管的栅极电极（30c）相同的膜构成的部分去除而形成。

公开(公告)号：CN103663346A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310361495.6

申请日：2013-08-16

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： F·G·齐廖利 ,  F·V·丰塔纳 ,  L·马吉

IPC: B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  B81C3/00

CPC classification number: B81B7/0077 ,  B81B7/0058 ,  B81B2201/0264 ,  B81C1/00333 ,  B81C2203/0118 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H04R1/086 ,  H04R19/04 ,  H04R2201/003 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种封装器件，其中芯片(6)的至少一个敏感部分(7)被包围在由封装(3、2；33；62、63、70、73)形成的室(4；64；74)中。该封装具有可渗透空气区域(17)和排液结构(16；30；56)以便实现在外部环境和室之间的空气通道并且阻挡液体通道，该可渗透空气区域(17)具有多个孔(15)。

公开(公告)号：CN103253627A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201310059343.0

申请日：2013-02-20

Applicant: 意法半导体股份有限公司 ,  意法半导体(马耳他)有限公司

Inventor： K·方克 ,  L·玛吉 ,  J·斯皮特里

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00

CPC classification number: B81B7/0045 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2207/012 ,  B81C1/00238 ,  B81C1/00325 ,  B81C2203/0785 ,  B81C2203/0792 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种用于装配集成器件的工艺，包括：提供集成至少一个电子电路并且具有顶表面的半导体材料的第一本体；提供集成至少一个微机电结构并且具有底表面的半导体材料的第二本体；并且在第一本体上堆叠第二本体，并且在第一本体的顶表面与第二本体的底表面之间插入弹性间隔物材料。在堆叠步骤之前，设想以集成方式在第一本体的顶表面提供限定和间隔结构的步骤，该限定和间隔结构在其内部限定弹性间隔物材料并且在堆叠步骤期间在与第一本体相距一段距离处支撑第二本体。

公开(公告)号：CN101449347B

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN200780017871.2

申请日：2007-04-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： C·A·雷 ,  J·布雷泽克

IPC: H01G5/00

CPC classification number: G01L9/0073 ,  B81B3/0021 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0264 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  G01P15/18 ,  G01P2015/0814 ,  G01P2015/0831 ,  G01P2015/084 ,  H01L28/40

Abstract: 本文公开的器件是在所有关键压力点上都具有单晶硅的电容性传感器。通过开槽和重新填充形成隔离沟槽，来形成电介质隔离的用于驱动、传感和保护的导电硅电极。对于根据本发明的压力传感器件，其为便于封装，使压力孔与电引线接合焊盘相反。还描述了测量平面内加速度和平面外加速度的双轴加速度计。通过原样复制加速度计并令其绕其平面外轴旋转90度容易实现平面内的第三轴。用此工艺技术可生成谐振斜钩、角速度传感器、辐射热测量仪、及许多其他结构。关键优点是密闭性、垂直通孔、垂直和水平间隙能力、单晶材料、晶片级封装、小尺寸、高性能和低成本。