公开(公告)号：FR2993402A1

公开(公告)日：2014-01-17

申请号：FR1256800

申请日：2012-07-13

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： FENOUILLET-BERANGER CLAIRE ,  FONTENEAU PASCAL

IPC: H01L23/62 ,  H01L27/092

Abstract: L'invention concerne un circuit intégré comprenant : -un premier composant (4) comportant une diode p-n (20), ménagée sur un côté du premier transistor et comportant des première (22) et seconde (24) zones semi-conductrices de dopages opposés. Selon l'invention : -ces première et seconde zones semi-conductrices sont étant coplanaires à un premier plan de masse, -le premier composant comprend en outre : . une seconde tranchée d'isolation (26) pour séparer ces première et seconde zones semi-conductrices, cette seconde tranchée d'isolation s'étendant au travers d'une couche isolante enterrée, jusque dans le premier plan de masse et jusqu'à une profondeur strictement inférieure à l'interface entre le premier plan de masse et un premier caisson, et . une troisième zone (28) semi-conductrice sous la seconde tranchée, formant une première jonction entre les première et seconde zones.

公开(公告)号：FR2993395A1

公开(公告)日：2014-01-17

申请号：FR1256726

申请日：2012-07-12

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： GUYADER FRANCOIS

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/461

Abstract: Procédé de traitement d'un substrat (GS, AR) comportant au moins une partie à protéger (AR), comprenant une formation au dessus de ladite au moins une partie, d'une couche de carbone amorphe (CA).

公开(公告)号：FR2991811A1

公开(公告)日：2013-12-13

申请号：FR1255433

申请日：2012-06-11

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： BIANCHI RAUL ANDRES ,  FONTENEAU PASCAL

IPC: H01L29/866

Abstract: L'invention concerne une diode à avalanche comprenant, entre deux régions fortement dopées de types de conductivité opposés (5, 6) disposées à la surface d'une région semiconductrice , une région faiblement dopée (7), la longueur L de la région faiblement dopée entre les régions fortement dopées étant de l'ordre de 50 à 200 nm.

公开(公告)号：FR2970118B1

公开(公告)日：2013-12-13

申请号：FR1061355

申请日：2010-12-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： CHAPELON LAURENT-LUC ,  CUZZOCREA JULIEN

IPC: H01L21/768

公开(公告)号：FR2958077B1

公开(公告)日：2013-11-15

申请号：FR1001214

申请日：2010-03-26

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： THOMAS OLIVIER ,  FENOUILLET BERANGER CLAIRE ,  CORONEL PHILIPPE ,  DENORME STEPHANE

IPC: H01L21/8244 ,  G11C11/412

公开(公告)号：FR2989518A1

公开(公告)日：2013-10-18

申请号：FR1253424

申请日：2012-04-13

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： ROY FRANCOIS ,  BROUSSOUS LUCILE ,  MICHELOT JULIEN ,  ODDOU JEAN-PIERRE

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/463

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'un capteur d'image, comprenant les étapes successives suivantes : former des colonnes (38) en un matériau semiconducteur ; former un ou plusieurs pixels à une première extrémité de chacune des colonnes (38) ; et déformer la structure de telle sorte que les deuxièmes extrémités de chacune des colonnes se rapprochent ou s'écartent pour former une surface en forme de calotte polyédrique.

公开(公告)号：FR2988517A1

公开(公告)日：2013-09-27

申请号：FR1252577

申请日：2012-03-22

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： DI CIOCCIO LEA ,  MERMOZ SEBASTIEN ,  SANCHEZ LOIC

IPC: H01L21/98

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'au moins un plot d'assemblage (50) sur un support (43) destiné à la mise en oeuvre d'un procédé d'auto-assemblage d'au moins un élément sur le support. Le procédé de fabrication comprend les étapes successives suivantes : (a) former, sur le support, une couche (48) d'au moins un matériau fluoré autour de l'emplacement du plot d'assemblage ; et (b) exposer la couche et l'emplacement à un traitement ultraviolet en présence d'ozone pour former le plot d'assemblage audit emplacement.

公开(公告)号：FR2970117B1

公开(公告)日：2013-09-20

申请号：FR1061329

申请日：2010-12-29

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： SANCHEZ YANNICK ,  FOUREL MICKAEL ,  INARD ALAIN

IPC: H01L21/60 ,  G06K19/077

公开(公告)号：FR2969820B1

公开(公告)日：2013-09-20

申请号：FR1061139

申请日：2010-12-23

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： AUMONT CHRISTOPHE ,  ODDOU JEAN-PIERRE ,  VAILLANT JEROME ,  GROS D AILLON PATRICK

IPC: H01L27/146

公开(公告)号：FR2969397B1

公开(公告)日：2013-09-06

申请号：FR1060849

申请日：2010-12-20

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： CARPENTIER JEAN-FRANCOIS ,  DUSSOPT LAURENT ,  SIBUET HENRI

IPC: H01Q15/14 ,  H01Q21/06 ,  H01Q23/00