公开(公告)号：KR101168827B1

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：KR1020117016768

申请日：2008-09-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가사이시게루 ,  스즈키도모히로 ,  다나카스미 ,  요네다마사타케 ,  미야시타히로유키

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/54 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: Disclosed is an annealing device that includes a processing chamber into which a wafer is received, a heating source having a plurality of light emitting diodes (LEDs) for emitting a light toward the wafer, which faces the surface of the wafer, and a light transmissive member provided corresponding to the heating source, into which the light from the light emitting elements is transmitted. The heating source has the light emitting elements attached on a support toward the wafer. Each of the light emitting elements is individually covered with a lens layer made of a transparent resin.

公开(公告)号：KR101059314B1

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：KR1020097004654

申请日：2007-08-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가사이시게루 ,  미야시타히로유키 ,  요네다마사타케 ,  스즈키도모히로 ,  다나카스미 ,  노무라마사미치 ,  시미즈미와

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/26

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H01L21/67109 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: Provided is an annealing apparatus, which is free from a problem of reduced light energy efficiency resulted by the reduction of light emission amount due to a heat generation and capable of maintaining stable performance. The apparatus includes: a processing chamber 1 for accommodating a wafer W; heating sources 17a and 17b including LEDs 33 and facing the surface of the wafer W to irradiate light on the wafer W; light-transmitting members 18a and 18b arranged in alignment with the heating sources 17a and 17b to transmit the light emitted from the LEDs 33; cooling members 4a and 4b supporting the light-transmitting members 18a and 18b at opposite side to the processing chamber 1 to make direct contact with the heating sources 17a and 17b and made of a material of high thermal conductivity; and a cooling mechanism for cooling the cooling members 4a and 4b with a coolant.

Abstract translation: 本发明提供一种退火装置，其不存在因发热引起的发光量减少而导致的光能量利用率降低，能够维持稳定的性能的问题。 该装置包括：用于容纳晶片W的处理室1; 加热源17a和17b，其包括LED33并面向晶片W的表面以向晶片W上照射光; 透光构件18a和18b，其与加热源17a和17b对齐地布置以透射从LED 33发射的光; 在处理容器1的相反侧支撑透光部件18a和18b以便与加热源17a和17b直接接触并由高热导率材料制成的冷却部件4a和4b; 以及用冷却剂冷却冷却构件4a和4b的冷却机构。

公开(公告)号：KR1020110089886A

公开(公告)日：2011-08-09

申请号：KR1020117016768

申请日：2008-09-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가사이시게루 ,  스즈키도모히로 ,  다나카스미 ,  요네다마사타케 ,  미야시타히로유키

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/54 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: Disclosed is an annealing device that includes a processing chamber into which a wafer is received, a heating source having a plurality of light emitting diodes (LEDs) for emitting a light toward the wafer, which faces the surface of the wafer, and a light transmissive member provided corresponding to the heating source, into which the light from the light emitting elements is transmitted. The heating source has the light emitting elements attached on a support toward the wafer. Each of the light emitting elements is individually covered with a lens layer made of a transparent resin.

公开(公告)号：KR1020110009187A

公开(公告)日：2011-01-27

申请号：KR1020107026632

申请日：2009-06-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 스즈키도모히로 ,  요네다마사타케 ,  가사이시게루 ,  오오야가즈히로

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67115

Abstract: 본 발명은 피처리체에 대하여 어닐링 처리를 시행하는 어닐링 장치에 있어서, 상기 피처리체가 수용되는 처리 용기와, 상기 처리 용기 내에서 상기 피처리체를 지지하는 지지 수단과, 상기 처리 용기 내에 처리 가스를 공급하는 가스 공급 수단과, 상기 처리 용기 내의 분위기를 배기하는 배기 수단과, 상기 피처리체의 이면 전체를 향하여 가열광을 조사하는 복수의 레이저 소자를 갖는 이면측 가열 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 어닐링 장치이다.

公开(公告)号：KR101004199B1

公开(公告)日：2010-12-24

申请号：KR1020107011259

申请日：2002-02-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가사이시게루 ,  가케가와다카시

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4557 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45572 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/28556

Abstract: 본 발명의 성막 장치는, 챔버를 규정하는 처리 용기와, 상기 챔버내에 설치되고 피처리 기판이 탑재될 수 있는 탑재대와, 상기 탑재대에 대향하여 설치되고 다수의 가스 토출 구멍을 갖는 샤워헤드와, 상기 샤워헤드를 거쳐 상기 챔버내에 처리 가스를 공급하는 가스 공급 기구와, 상기 샤워헤드의 온도를 제어하는 샤워헤드 온도 제어 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 성막 장치이다.

公开(公告)号：KR100977886B1

公开(公告)日：2010-08-24

申请号：KR1020087006943

申请日：2006-09-12

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 시미즈마사히로 ,  가사이시게루 ,  요네다마사타케

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67109

Abstract: 피처리체(W)에 대하여 소정의 열처리를 실시하도록 한 열처리 장치(2)와, 배기 가능하게 이루어진 처리 용기(4)와, 상기 처리 용기(4)내에 마련되어, 그 상면측에 상기 피처리체를 탑재시키기 위한 탑재대(18)와, 상기 탑재대(18)의 상부에 마련된 복수의 열전 변환 소자(22)와, 상기 처리 용기의 천장부를 기밀히 덮는 광투과창(8)과, 상기 처리 용기(4)내를 향해서 필요한 가스를 도입하는 가스 도입 수단(12)을 구비하고 있다. 상기 광투과창(8)의 상방에, 상기 피처리체를 향해서 가열용의 빛을 사출하는 반도체 광사출 소자(58)을 포함하는 복수의 가열 광원(52)으로 이루어지는 가열 수단(46)이 마련되어 있다. 이것에 의해, 가열 효율이 높고, 또한 피처리체에 대하여 한층 더 고속에서의 승온 및 강온이 가능해진다.

公开(公告)号：KR100970013B1

公开(公告)日：2010-07-16

申请号：KR1020077029159

申请日：2006-06-21

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가사이시게루

IPC: H01L21/26 ,  H01L21/31 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H01L21/2686 ,  H01L21/324

Abstract: 본 발명은, 기판을 수납하는 처리실과, 상기 처리실의 상방에 마련되어, 상기 기판을 각각 조사하는 복수의 광원과, 내면이 돔 형상의 반사면을 형성하고, 상기 각 광원으로부터 나온 빛의 일부를 반사하여 상기 기판으로 유도하는 제 1 리플렉터와, 상기 각 광원마다 각각 마련되어, 각 광원으로부터 나온 빛을 반사하고 집광하여 상기 기판으로 유도하는 복수의 제 2 리플렉터를 구비하고, 각 제 2 리플렉터의 반사면은, 각 광원이 배치되어 있는 위치에 제 1 초점을 형성함과 동시에 상기 기판이 배치되어 있는 측에 제 2 초점을 형성하도록, 해당 제 1 초점의 주위를 둘러싸는 회전 타원면 또는 이것에 근사한 곡면의 일부를 갖고 있는 것을 특징으로 하는 열처리 장치이다.

公开(公告)号：KR1020100041817A

公开(公告)日：2010-04-22

申请号：KR1020107002723

申请日：2008-09-25

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가사이시게루 ,  스즈키도모히로 ,  다나카스미 ,  요네다마사타케 ,  미야시타히로유키

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/54 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: An annealing apparatus is provided with a processing chamber (1) wherein a wafer (W) is stored; heating sources (17a, 17b) which are arranged to face the surface of the wafer (W) and have a plurality of LEDs (33) for irradiating the wafer (W) with light; and light transmitting members (18a, 18b), which are arranged corresponding to the heating sources (17a, 17b) and transmit light emitted from the light emitting element (33). The heat sources (17a, 17b) are constituted by attaching a plurality of the light emitting elements (33) on a supporting body (32) to face the wafer (W), and each of the light emitting elements is separately covered with a lens layer (20) composed of a transparent resin.

Abstract translation: 退火装置设有处理室（1），其中晶片（W）被储存; 所述加热源（17a，17b）配置成与所述晶片（W）的表面相对配置并且具有用于用光照射所述晶片（W）的多个LED（33） 以及对应于加热源（17a，17b）布置并透射从发光元件（33）发射的光的透光构件（18a，18b）。 热源（17a，17b）通过将多个发光元件（33）附着在支撑体（32）上以面对晶片（W）而构成，并且每个发光元件分别被透镜覆盖 层（20）由透明树脂构成。

公开(公告)号：KR100945321B1

公开(公告)日：2010-03-08

申请号：KR1020097002783

申请日：2002-02-08

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가사이시게루 ,  가케가와다카시

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/4557 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45572 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/28556

Abstract: 본 발명의 성막 장치는, 챔버를 규정하는 처리 용기와, 상기 챔버내에 설치되고 피처리 기판이 탑재될 수 있는 탑재대와, 상기 탑재대에 대향하여 설치되고 다수의 가스 토출 구멍을 갖는 샤워헤드와, 상기 샤워헤드를 거쳐 상기 챔버내에 처리 가스를 공급하는 가스 공급 기구와, 상기 샤워헤드의 온도를 제어하는 샤워헤드 온도 제어 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 성막 장치이다.

公开(公告)号：KR1020100018530A

公开(公告)日：2010-02-17

申请号：KR1020097025320

申请日：2008-05-29

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 노무라마사미치 ,  고이즈미겐지로 ,  가사이시게루

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/68792 ,  C23C14/505 ,  H01J37/32761

Abstract: A rotary floater (30) for supporting a treatment object (W) is floated by the magnetic attraction of a floating electromagnet assembly (F), and the rotary floater (30) is rotated by the magnetic attraction of a rotary electromagnet assembly (R) while its horizontal position being controlled by the magnetic attraction of a positioning electromagnet assembly (H). The floating electromagnet assembly (F) causes the magnetic attraction to act vertically downward, so that the rotary floater (30) is floated and suspended without contact from the inner wall of a treating container (2).

Abstract translation: 用于支撑处理物体（W）的旋转浮子（30）通过浮动电磁体组件（F）的磁吸引而浮起，旋转浮子（30）通过旋转电磁体组件（R）的磁吸引力而旋转， 而其水平位置由定位电磁铁组件（H）的磁吸引力控制。 浮动电磁体组件（F）使得磁吸引力垂直向下作用，使得旋转浮子（30）浮动并悬挂而不与处理容器（2）的内壁接触。