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公开(公告)号：KR1020100063867A
公开(公告)日：2010-06-14
申请号：KR1020080122215
申请日：2008-12-04
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/324
CPC classification number: H01L21/67098 , H01L21/67017 , H01L21/67778
Abstract: PURPOSE: A horizontally shaped diffusion furnace is provided to form a gate insulating layer with a superior thin film by uniformly injecting reaction gas in top, down, left and right direction of silicon wafer substrate. CONSTITUTION: A reaction chamber(21) comprises a reacting gas inlet. In the reaction chamber, the thermal diffusion process about the silicon wafer substrate is executed. A heating part heats the inside of the reaction chamber. A loading part(23) loads a plurality of silicon wafer substrates. A carrying part(24) transfers the loading part to the inside of the reaction chamber. A nitrogen gas injecting part(25) injects the nitrogen gas into the inside of the loading part.
Abstract translation: 目的：提供一种水平形状的扩散炉，通过在硅晶片衬底的上，下，左，右方向上均匀注入反应气体，形成具有优良薄膜的栅极绝缘层。 构成：反应室（21）包括反应气体入口。 在反应室中，执行关于硅晶片衬底的热扩散过程。 加热部件加热反应室的内部。 装载部件（23）装载多个硅晶片基板。 承载部件（24）将装载部件转移到反应室的内部。 氮气注入部（25）将氮气注入到装载部的内部。
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公开(公告)号：KR1020100063576A
公开(公告)日：2010-06-11
申请号：KR1020080122150
申请日：2008-12-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7816 , H01L29/0653 , H01L29/1095 , H01L29/66681
Abstract: PURPOSE: A high voltage LDMOS transistor and a manufacturing method thereof are provided to improve a breakdown voltage without an increase of an on-resistance by including a trench of a multi-wall filled with an oxide film in a drift area. CONSTITUTION: A gate(209) is formed on a substrate. A source(211) and a drain(210) are separately placed on the substrate to the either side with placing the gate in the interval. A drift area is formed between the gate and the drain. A plurality of trenches(213) is arranged to the lateral direction in the drift area. A plurality of trenches is filled with an oxide film. A field oxide film(207) is formed between the gate and the drain on the substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种高电压LDMOS晶体管及其制造方法，以通过在漂移区域中包括填充有氧化物膜的多壁的沟槽来提高击穿电压而不增加导通电阻。 构成：在基板上形成栅极（209）。 源极（211）和漏极（210）分别放置在衬底上的任一侧，同时将栅极放置在间隔中。 在栅极和漏极之间形成漂移区域。 多个沟槽（213）沿漂移区域的横向方向布置。 多个沟槽填充有氧化物膜。 在衬底上的栅极和漏极之间形成场氧化膜（207）。
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公开(公告)号：KR1020100063479A
公开(公告)日：2010-06-11
申请号：KR1020080122019
申请日：2008-12-03
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/00
CPC classification number: H01L31/102 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: PURPOSE: A silicon photomultiplier and a manufacturing method thereof are provided to enhance accuracy about location information with suppressing a cross talk by separating an interval of a micro pixel through trench isolation. CONSTITUTION: An active layer(22) is formed on upper part of a substrate(21). A production and an amplification of current by an input light are included on the active layer. A trench controls a cross talk between contiguous micro pixels by filling in inside with a material including an electrical insulation and a light-reflection function. An anode electrode(28) and a cathode electrode(29) are respectively formed on an upper side of the active layer. An insulating layer(27) is formed on the rest upper side of the active layer in which the anode electrode and cathode electrode are not formed.
Abstract translation: 目的：提供硅光电倍增管及其制造方法，通过沟槽隔离分离微像素的间隔，抑制串扰，提高位置信息的精度。 构成：在衬底（21）的上部形成有源层（22）。 通过输入光产生和放大电流被包括在有源层上。 沟槽通过用包括电绝缘和光反射功能的材料填充内部来控制连续微像素之间的串扰。 阳极电极（28）和阴极电极（29）分别形成在有源层的上侧。 绝缘层（27）形成在不形成阳极电极和阴极的有源层的其余上侧。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR100606288B1
公开(公告)日：2006-07-31
申请号：KR1020040099118
申请日：2004-11-30
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 본 발명은 고집적도의 VDMOS(Vertical Diffused Metal Oxide Semiconductor) 트랜지스터를 2번의 포토 마스크 작업으로 제작할 수 있는 단순화된 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 더욱 개량된 자기 정렬 공정을 이용하고, 금속 증착시 발생하는 스텝 커버리지를 이용하여 컨택홀 및 메탈의 마스킹 작업을 생략함으로써 2번의 마스킹 작업만으로 고집적도의 VDMOS를 제작하는 방법을 제공한다.
트랜지스터, 제조 방법, VDMOS, 자기 정렬, 스텝 커버리지-
公开(公告)号：KR100590757B1
公开(公告)日：2006-06-15
申请号：KR1020010085840
申请日：2001-12-27
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G01R31/28
Abstract: 본 발명의 반도체 설계 자산 테스트 회로는, 내부 회로와 함께 반도체 칩을 구성하여 내부 회로로부터 입력되는 데이터 입력 신호를 처리하여 데이터 출력 신호를 출력시키는 반도체 설계 자산을 테스트하기 위한 반도체 설계 자산 테스트 회로이다. 이 반도체 설계 자산 테스트 회로는 반도체 칩 내부의 내부 회로 및 반도체 설계 자산 사이에 배치되는 입력 데이터 발생부 및 반도체 칩 내부의 반도체 설계 자산 출력단에 배치되는 출력 변환부를 포함하여 구성된다. 입력 데이터 발생부는, 외부로부터의 스캔 신호 및 스캔 데이터 입력을 각각 입력받는 하나의 스캔 신호 입력단자 및 스캔 데이터 입력 단자와, 데이터 입력 신호를 입력받는 복수개의 데이터 입력 단자들을 구비하여, 스캔 신호에 따라 스캔 데이터 입력 및 데이터 입력 신호들 중 어느 한 신호를 선택적으로 반도체 설계 자산으로 입력시킨다. 출력 변환부는, 반도체 설계 자산으로부터 출력된 신호 중 데이터 출력 신호는 통과시키고 스캔 데이터 입력에 의한 반도체 설계 자산의 테스트 출력 신호는 직렬 데이터로 변환하여 반도체 칩 외부로 출력시키는 출력 변환부를 포함한다.
반도체 설계 자산-
公开(公告)号：KR1020060031350A
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：KR1020040080344
申请日：2004-10-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/293
CPC classification number: H01S3/067 , H01S3/0675 , H01S3/07 , H01S3/0809 , H01S3/082 , H01S3/1055 , G02B6/29338
Abstract: Provided is a millimeter-wave band frequency optical oscillator that can be used as an oscillation frequency signal source for a millimeter-wave forwarded to wireless subscribers from a base station of a millimeter-wave wireless subscriber communication system for a next generation (e.g., fifth generation) ultra-high speed wireless internet service. A pair of an optical fiber amplifier and an optical fiber grating mirror is connected to each of input/output ports of a loop mirror in parallel, so that a dual mode laser resonator is formed which can make simultaneous oscillation in two laser modes suitable for each wavelength. Accordingly, it is possible to obtain a light source that is modulated to a ultra-high frequency (over 60 GHz) by a beat phenomenon between the two laser modes.
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