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公开(公告)号：CN104303256A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201280070115.7
申请日：2012-12-19
Applicant: 安特卫普大学
IPC: H01J37/26
CPC classification number: H01J37/04 , H01J3/02 , H01J3/021 , H01J37/06 , H01J37/08 , H01J37/256 , H01J37/261 , H01J2237/06383 , H01J2237/2614
Abstract: 描述了用于将轨道角动量施加到沿着带电粒子束发生装置中的波束轴(104)传播的带电粒子波的设备(100)。该设备包括：支撑元件(106)，该支撑元件具有适配于透射沿着波束轴(104)传播的带电离子波的目标区域(108)；以及，感应装置(112)，该感应装置用于沿着具有位于所述目标区域(108)的自由端部分的细长轮廓感应磁通，并且该感应装置(112)适配于在所述细长轮廓中提供磁通，以便感应带电离子波在透射经过所述目标区域(108)时的相位相对于波束轴的角梯度。还公开了相应的方法以及其在电子显微术中的使用。
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公开(公告)号：CN104170050A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201380014666.6
申请日：2013-03-14
Applicant: 纳欧克斯影像有限公司
CPC classification number: H01J3/14 , G01N23/046 , G01N2223/204 , G01N2223/419 , G01T1/161 , H01J1/3042 , H01J3/021 , H01J3/027 , H01J29/467 , H01J31/127 , H01J35/065 , H01J35/14 , H01J2235/068
Abstract: 本公开涉及一种图像采集装置，该图像采集装置包括电子接收结构和电子发射结构，并且还包括提供所述电子发射结构和所述电子接收结构之间的畅通空间的内部间隙。本公开还涉及一种x射线发射装置，该x射线发射装置包括x射线发射结构和电子发射结构，所述x射线发射结构包括阳极，该阳极为x射线靶标，其中，所述x射线发射装置可以包括提供所述电子发射结构和所述x射线发射结构之间的畅通空间的内部间隙。本公开还涉及一种x射线摄像系统，该x射线摄像系统包括图像采集装置和x射线发射装置。
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公开(公告)号：CN103730305A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201210381738.8
申请日：2012-10-10
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J9/02
CPC classification number: H01J9/025 , B82Y40/00 , H01J1/304 , H01J3/021 , H01J2201/30469 , H01J2203/0212
Abstract: 本发明提供一种场发射电子源的制备方法，包括以下步骤：提供一碳纳米管线状结构；在所述碳纳米管线状结构的表面包覆一绝缘层；在所述绝缘层的表面间隔设置多个导电环；切断所述多个导电环、绝缘层以及碳纳米管线状结构，形成多个场发射电子源。
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公开(公告)号：CN103531422A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310187294.9
申请日：2013-05-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01J19/24 , B82Y99/00 , H01J1/02 , H01J3/021 , H01J9/02 , H01J31/127 , H01J35/06 , H01J35/065 , H01J63/02 , H01J63/06 , H01J2203/0208 , H01J2235/062 , H01J2235/068 , H01J2329/4608 , Y10S977/939
Abstract: 本发明提供了一种网状电极附接结构、一种电子发射器件以及包括该电子发射器件的电子装置。该网状电极附接结构包括：基板，具有至少一个开口；粘附层，设置在基板上；以及网状电极，设置在基板上，粘附层在网状电极和基板之间，其中网状电极具有与至少一个开口所位于的区域相应的网状区域以及接触粘附层的粘附区域，粘附区域包括暴露粘附层的一部分的至少一个结合凹槽。这样的网状电极附接区域应用于电子发射器件的栅电极使得栅电极稳定地附接到绝缘层。
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公开(公告)号：CN101952926B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN200980101926.7
申请日：2009-01-08
Applicant: 埃克西可集团公司
Inventor： 马克西姆·马卡罗夫
CPC classification number: H01J3/021 , H01J33/00 , H01S3/0959 , H01S3/09707
Abstract: 本发明涉及一种脉冲电子源(1)，包括：电离室(4)；加速室(2)，所述加速室(2)具有用于吸引并加速一次离子和形成二次电子束的电极(3)，所述脉冲电子源(1)的特征在于：所述脉冲电子源(1)包括电源(11)，该电源(11)适于施加正电压到所述电极(3)以将一次等离子体(17)驱动出所述加速室(2)，以及施加负电压脉冲到所述电极(3)以吸引并加速所述一次离子和形成二次电子束。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102468102A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201110344755.X
申请日：2011-11-04
Applicant: 西门子公司
CPC classification number: H01J35/065 , H01J3/021 , H01J2235/068 , H05G1/265 , H05G1/32 , H05G1/48 , H05G1/58 , H05G1/70
Abstract: 本发明涉及一种包含多个电子发射阴极(5)以及至少一个控制电极(6)的电子源，其中，为了控制流过所述控制电极(6)的电流，设置了栅极电流调节器(14)。
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公开(公告)号：CN101874281B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200880117766.0
申请日：2008-11-26
Applicant: 纳幕尔杜邦公司
CPC classification number: H01J1/304 , H01J3/021 , H01J9/025 , H01J29/467 , H01J31/127 , H01J63/02 , H01J2203/0272 , H01J2329/4673 , H01J2329/4691
Abstract: 本发明涉及具有抗紫外绝缘介电层(3.4)的场发射阴极组件。
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公开(公告)号：CN101636810B
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200680056928.5
申请日：2006-12-29
Applicant: 塞莱斯系统集成公司
Inventor： 弗朗西斯卡·布伦尼蒂 , 阿尔多·迪卡罗 , 马西密利亚诺·卢奇 , 西尔维亚·奥兰杜奇 , 里卡多·里奇泰利 , 马利亚·莱蒂西亚·特伦诺瓦
IPC: H01J29/46
Abstract: 本发明公开了一种高频冷阴极三极型场发射真空管，包括阴极结构(12)、与阴极结构(12)间隔开的阳极结构(13)以及控制栅极(15)，其中，阴极结构(12)和阳极结构(13)被分别形成，且通过插入隔离件(14)被结合在一起，其中，控制栅极(15)集成在阳极结构(12)中。
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公开(公告)号：CN102074440A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN201010589777.8
申请日：2010-12-15
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J31/127 , H01J1/304 , H01J3/021 , H01J29/467 , H01J2329/4652 , H01J2329/4682
Abstract: 本发明涉及一种场发射阴极装置，包括：一阴极基板；一栅极电极设置于该阴极基板的表面；一第一绝缘层设置于所述栅极电极的表面；一阴极电极通过所述第一绝缘层与所述栅极电极间隔设置；以及一阴极发射层设置于所述阴极电极表面，其中：所述第一绝缘层设置有一第一开孔，所述阴极电极设置有一第二开孔，所述第一开孔与第二开孔对应设置且相互连通，使所述栅极电极对应该开孔位置的表面暴露，所述阴极发射层仅设置在所述阴极电极靠近所述第二开孔位置的表面。进一步，本发明提供一种采用上述场发射阴极装置的显示器。
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