公开(公告)号：CN111836692B

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN201980017991.5

申请日：2019-12-26

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 渡边裕文 ,  山本浩由 ,  涩谷义孝

IPC: B22F1/16 ,  B22F1/05 ,  B33Y70/10 ,  B33Y80/00 ,  B22F3/105 ,  B22F3/16 ,  B33Y10/00

Abstract: 一种纯铜粉，其为形成有Si覆膜的纯铜粉，其特征在于，Si附着量为5重量ppm以上且200重量ppm以下，C附着量为15重量ppm以上，并且重量比率C/Si为3以下。本发明的课题在于提供一种形成有Si覆膜的纯铜粉及其制造方法以及使用该纯铜粉得到的增材制造产品，所述纯铜粉在利用电子束(EB)方式的增材制造中能够抑制由纯铜粉的预热引起的部分烧结，并且在成型时能够抑制由碳(C)引起的成型时的真空度的降低。

公开(公告)号：CN109476703B

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN201780034955.0

申请日：2017-06-06

Applicant: 学校法人芝浦工业大学 ,  捷客斯金属株式会社

Inventor： 山下光雄 ,  三浦彰

IPC: C07K7/08 ,  C22B34/34

Abstract: (要解决的技术问题)提供一种用于选择钼的矿物的方法。(用于解决问题的手段)一种肽，所述肽包含符合下式(1)和/或(2)的氨基酸序列：(1)(ALRKNMDFCPQSETGWHYIV)‑(LIVFA)‑(HPWRK)‑(TSNQ)‑(TSNQ)‑(LIVFA)‑(TSNQ)‑(TSNQ)‑(LIVFA)‑(FYW)‑(LIVFA)‑(HPWRK)；(2)(LIVFA)‑(RHK)‑(TSNQ)‑(LIVFA)‑(LIVFA)‑(TSNQ)‑(LIVFA)‑(LIVFA)‑(LIVFA)‑(RHK)‑(RHK)‑(HPW)，其中一个氨基酸分别选自由成对括号限定的各个组。

公开(公告)号：CN114959594A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202111358250.9

申请日：2021-11-16

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 宗安慧 ,  奈良淳史

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/08

Abstract: 本发明涉及氧化物溅射靶及其制造方法以及氧化物薄膜。一种氧化物溅射靶，所述氧化物溅射靶包含钨(W)、钼(Mo)和氧(O)，其特征在于，所述氧化物溅射靶的相对密度为90％以上。本发明的目的在于提供一种能够形成功函数高的膜的氧化物溅射靶。

公开(公告)号：CN111868007B

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN201980018765.9

申请日：2019-10-28

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 三上充 ,  山崎芳树

IPC: C04B35/505 ,  C04B35/44 ,  H01S3/10

Abstract: 一种Cr：YAG烧结体，其特征在于，所述Cr：YAG烧结体含有Al、Y、Cr、Ca、Mg、Si和O，并且该烧结体中的成分含量满足下述1)～3)的条件式。其中，在条件式中，各元素符号表示成分含量(原子ppm)。1)|(Y+Ca)/(Al+Cr+Si+Mg)‑0.6|＜0.001；2)0原子ppm≤(Ca+Mg)‑(Cr+Si)≤50原子ppm；3)50原子ppm≤Si≤500原子ppm。本发明的实施方式的课题在于提供一种透光性优异并且Cr4+转化率高的Cr：YAG烧结体及其制造方法。

公开(公告)号：CN114606410A

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：CN202210264105.2

申请日：2018-03-23

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 中妻宗彦

IPC: C22C9/06 ,  C22F1/00 ,  C22F1/08 ,  H01B13/00

Abstract: 本发明涉及Cu‑Ni‑Si系铜合金条及其制造方法。本发明提供使强度提高且适度抑制污物的产生、与树脂的密合性优异的Cu‑Ni‑Si系铜合金条及其制造方法。本发明的Cu‑Ni‑Si系铜合金条，其含有Ni：1.5~4.5质量%、Si：0.4~1.1质量%，且余量由Cu和不可避免的杂质组成，导电率为30%IACS以上，拉伸强度为800MPa以上，使其在室温下在40wt%硝酸水溶液中浸渍10秒后，JIS‑Z8781:2013所规定的L*a*b*表色系中的亮度L*为50~75。

公开(公告)号：CN114182216A

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN202110422866.1

申请日：2021-04-20

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 宗安慧 ,  长田幸三 ,  奈良淳史

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/08

Abstract: 本发明涉及Cu‑W‑O溅射靶和氧化物薄膜。一种Cu‑W‑O溅射靶，其为包含钨(W)、铜(Cu)、氧(O)和不可避免的杂质的溅射靶，其中，所述Cu‑W‑O溅射靶的体积电阻率为1.0×103Ω·cm以下。一种氧化物薄膜，其为包含钨(W)、铜(Cu)、氧(O)和不可避免的杂质的薄膜，其中，W和Cu的含有比率以原子比计满足0.5≤W/(Cu+W)＜1。本发明的课题在于，提供一种能够形成功函数高的膜并且体积电阻率低的溅射靶。

公开(公告)号：CN109844167B

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN201780063272.8

申请日：2017-12-07

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 古谷祐树

IPC: C23C14/34 ,  G11B5/851

Abstract: 一种磁性材料溅射靶，其含有熔点为500℃以下的氧化物，其特征在于，在该溅射靶的溅射面中，粒径为10μm以上的氧化物的平均个数密度为5个/mm2以下。本发明的课题在于提供一种溅射靶及其制造方法，所述溅射靶能够有效地减少由溅射靶中的氧化物、特别是粗大生长的氧化物引起的异常放电、粉粒的产生。

公开(公告)号：CN112210689B

公开(公告)日：2021-12-14

申请号：CN202010662207.0

申请日：2020-07-10

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 坂东慎介 ,  石野裕士

IPC: C22C9/00 ,  C22F1/08 ,  H05K1/09

Abstract: 提供使CCL的弯曲性提高的柔性印刷基板用铜箔。柔性印刷基板用铜箔，其是含有99.9质量%以上的Cu和作为添加元素的0.0005~0.0220质量%的P，且余量由不可避免的杂质构成的轧制铜箔，其中，Copper取向的晶体取向密度低于10，Brass取向的晶体取向密度低于20。

公开(公告)号：CN113710383A

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN202080028872.2

申请日：2020-04-22

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 青木胜志

IPC: B07C5/342 ,  B07C5/36 ,  B25J11/00 ,  C22B1/00 ,  G06T7/00 ,  G06T7/90 ,  B09B5/00

Abstract: 本发明提供一种电子/电气设备部件屑的处理方法，该电子/电气设备部件屑的处理方法在从电子/电气设备部件屑筛选用于在冶炼步骤中进行处理的含有有价金属的处理原料的冶炼处理原料的筛选处理步骤中，能够预先减少使筛选处理步骤产生不良状况的部件屑。本发明是一种电子/电气设备部件屑的处理方法，其包括用于从电子/电气设备部件屑中筛选能够在冶炼步骤中进行处理的含有有价金属的处理原料的冶炼原料筛选处理步骤，且包括使用并联机器人除去电子/电气设备部件屑所含的块状铜线屑的处理。

公开(公告)号：CN113170538A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201980038653.X

申请日：2019-10-29

Applicant: 捷客斯金属株式会社

Inventor： 成田里安 ,  高村博

IPC: H05B3/64

Abstract: 一种多柄型加热器，安装于支承基体，其特征在于，存在以从所述加热器侧朝向所述支承基体侧的相对于支承基体的法线方向为基准、从所述加热器侧朝向所述支承基体侧的U字零件的平面方向的角度θ为±10°以上且±60°以下的U字零件。本发明的课题在于提供将U字零件高密度地配置从而即使是同一间距也能够大幅提高能量输出的多柄型的加热器。