公开(公告)号：DE102013103920A1

公开(公告)日：2013-10-24

申请号：DE102013103920

申请日：2013-04-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAHLER JOACHIM ,  HOSSEINI KHALIL ,  FUERGUT EDWARD ,  MENGEL MANFRED

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/48 ,  H01L25/16

Abstract: Bei einem Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements wird ein erstes Halbleiterelement auf einem Träger montiert. Ein B-Zustand härtbares Polymer wird auf dem Träger abgeschieden. Ein zweites Halbleiterelement wird auf dem Polymer angebracht.

公开(公告)号：DE102013103351A1

公开(公告)日：2013-10-10

申请号：DE102013103351

申请日：2013-04-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LANDAU STEFAN ,  MAHLER JOACHIM ,  HOSSEINI KHALIL ,  NIKITIN IVAN ,  WOWRA THOMAS ,  OSSOWSKI LUKAS

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/28 ,  H01L23/48

Abstract: Das Elektronikmodul enthält einen ersten Träger und einen auf dem ersten Träger angeordneten ersten Halbleiterchip. Ein zweiter Halbleiterchip ist über dem ersten Halbleiterchip angeordnet. Eine Materialschicht klebt den zweiten Halbleiterchip an den ersten Träger und verkapselt den ersten Halbleiterchip.

公开(公告)号：DE102013103085A1

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：DE102013103085

申请日：2013-03-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAHLER JOACHIM ,  BEMMERL THOMAS ,  PRUECKL ANTON

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/52 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/10 ,  H01L23/532 ,  H01L25/07

Abstract: Ein elektronisches Bauteil (100) enthält einen ersten Chipträger (110) und einen zweiten Chipträger (120), der von dem ersten Chipträger (110) isoliert ist. Ein erster Leistungshalbleiterchip (111) ist auf dem ersten Chipträger (110) angebracht und elektrisch damit verbunden. Ein zweiter Leistungshalbleiterchip (121) ist auf dem zweiten Chipträger (120) angebracht und elektrisch damit verbunden. Ein elektrisch isolierendes Material (150) ist zum mindestens partiellen Umgeben des ersten Leistungshalbleiterchips (111) und des zweiten Leistungshalbleiterchips (121) konfiguriert. Eine elektrische Zusammenschaltung (131) ist zum elektrischen Verbinden des ersten Leistungshalbleiterchips (111) mit dem zweiten Leistungshalbleiterchip (121) konfiguriert, wobei die elektrische Zusammenschaltung (131) eine Kontaktklemme und/oder einen galvanisch abgeschiedenen Leiter aufweist.

公开(公告)号：DE102013101222A1

公开(公告)日：2013-08-08

申请号：DE102013101222

申请日：2013-02-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： NIKITIN IVAN ,  LANDAU STEFAN ,  MAHLER JOACHIM ,  HEINRICH ALEXANDER ,  WOMBACHER RALF

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/10 ,  H01L23/28 ,  H01L23/48

Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung umfasst das Bereitstellen einer Transferfolie. Mehrere Halbleiterchips werden auf der Transferfolie angeordnet und an diese geklebt. Die mehreren Halbleiterchips, die an die Transferfolie geklebt sind, werden über einem Mehrvorrichtungsträger angeordnet. Wärme wird aufgebracht, um die Transferfolie über den Mehrvorrichtungsträger zu laminieren, wodurch die mehreren Halbleiterchips zwischen der laminierten Transferfolie und dem Mehrvorrichtungsträger aufgenommen werden.

公开(公告)号：DE102013100339A1

公开(公告)日：2013-07-25

申请号：DE102013100339

申请日：2013-01-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： NIKITIN IVAN ,  MAHLER JOACHIM

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/60

Abstract: Ein elektronisches Bauelement weist einen Halbleiterchip auf. Ein Kontaktelement, ein elektrischer Anschluss und eine dielektrische Schicht sind auf einer ersten Fläche einer leitenden Schicht angeordnet, welche dem Halbleiterchip zugewandt ist. Ein erstes leitendes Element ist in einer ersten Aussparung der dielektrischen Schicht angeordnet. Das erste leitende Element verbindet das Kontaktelement des Halbleiterchips elektrisch mit der leitenden Schicht. Ein zweites leitendes Element ist in einer zweiten Aussparung der dielektrischen Schicht angeordnet. Das zweite leitende Element verbindet die leitende Schicht elektrisch mit dem elektrischen Anschluss.

公开(公告)号：DE102012223550A1

公开(公告)日：2013-06-20

申请号：DE102012223550

申请日：2012-12-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOSSEINI KHALIL ,  KALZ FRANZ-PETER ,  MAHLER JOACHIM ,  MENGEL MANFRED ,  THEUSS HORST ,  WINKLER BERNHARD

IPC: B81B7/02 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G01L9/12

Abstract: Ein mikromechanisches Halbleitererfassungsbauelement umfasst eine mikromechanische Erfassungsstruktur, die konfiguriert ist zum Liefern eines elektrischen Erfassungssignals, und ein in der mikromechanischen Erfassungsstruktur bereitgestelltes piezoresistives Erfassungsbauelement, wobei das piezoresistive Erfassungsbauelement ausgelegt ist zum Erfassen einer das elektrische Erfassungssignal störenden mechanischen Beanspruchung und konfiguriert ist zum Liefern eines elektrischen Störsignals auf der Basis der das elektrische Erfassungssignal störenden erfassten mechanischen Beanspruchung.

公开(公告)号：DE102012110961A1

公开(公告)日：2013-05-16

申请号：DE102012110961

申请日：2012-11-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LANDAU STEFAN ,  MAHLER JOACHIM

IPC: H01L23/049 ,  H01L21/52 ,  H01L23/34

Abstract: Ein Gehäuse (200) für eine Chipanordnung (206) wird bereitgestellt, das Gehäuse (200) aufweisend: einen Träger (202), der eine erste Trägerseite (204), die dazu ausgebildet ist, eine Chipanordnung (206) aufzunehmen, eine zweite Trägerseite (208) und ein oder mehrere durchgehende Löcher (212) aufweist, die sich von der ersten Trägerseite (204) zu der zweiten Trägerseite (208) erstrecken; mindestens einen elektrischen Verbinder (214), der in einem durchgehenden Loch (212) angeordnet ist, wobei der mindestens eine elektrische Verbinder (214) so angeordnet ist, dass er sich von der zweiten Trägerseite (208) zu der ersten Trägerseite (204) erstreckt; wobei der mindestens eine elektrische Verbinder (214) aufweisen kann: einen ersten Bereich (216) auf der ersten Trägerseite (204); einen zweiten Bereich (218) auf der ersten Trägerseite (204), wobei der erste Bereich (216) so ausgebildet ist, dass er sich in Richtung weg von der ersten Trägerseite (204) in einem Winkel zu dem zweiten Bereich (218) erstreckt; und einen dritten Bereich (222) auf der zweiten Trägerseite (208), wobei der dritte Bereich (222) so ausgebildet ist, dass er sich weg von der zweiten Trägerseite (208) in einem Winkel zu dem zweiten Bereich (218) erstreckt.

公开(公告)号：DE102012105840A1

公开(公告)日：2013-01-03

申请号：DE102012105840

申请日：2012-07-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAHLER JOACHIM ,  THEUSS HORST ,  HOSSEINI KHALIL ,  MENGEL MANFRED

IPC: H01L21/58 ,  C23C14/12 ,  H01L23/50

Abstract: Es wird ein Verfahren zum Befestigen einer Metallfläche auf einem Träger bereitgestellt, das folgendes aufweist: Aufbringen einer porösen Schicht über einer Metallfläche und/oder einer Seite eines Trägers; und Befestigen der Metallfläche und/oder der ein Material in die Poren der porösen Schicht eingebracht wird, so dass das Material eine Verbindung zwischen der Metallfläche und dem Träger bildet.

公开(公告)号：DE102012103157A1

公开(公告)日：2012-10-25

申请号：DE102012103157

申请日：2012-04-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HOSSEINI KHALIL ,  MENGEL MANFRED ,  MAHLER JOACHIM

IPC: H01L23/49 ,  H01L21/60

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung umfasst einen Halbleiterchip, eine Kontaktinsel des Halbleiterchips und eine erste Schicht, die über der Kontaktinsel angeordnet ist. Die erste Schicht enthält Niob, Tantal oder eine Niob und Tantal enthaltende Legierung.

公开(公告)号：DE102011053099A1

公开(公告)日：2012-04-26

申请号：DE102011053099

申请日：2011-08-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ALLES BENJAMIN ,  FUERGUT EDWARD ,  MAHLER JOACHIM ,  NIKITIN IVAN

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/50

Abstract: In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren zum Füllen eines Kontaktlochs in einer Chip-Gehäuse-Anordnung bereitgestellt. Das Verfahren kann aufweisen: Einbringen elektrisch leitfähiger diskreter Partikel in ein Kontaktloch eines Chip-Gehäuses; und Bilden eines elektrischen Kontakts zwischen den elektrisch leitfähigen diskreten Partikeln und einem Kontaktanschluss der Vorderseite und/oder der Rückseite des Chips.