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公开(公告)号：CN103765579B
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201280032667.9
申请日：2012-06-29
Applicant: 村田电子有限公司
CPC classification number: B81B7/0074 , B81B2201/0235 , B81B2201/025 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2201/036 , B81B2207/012 , B81B2207/095 , B81C1/00333 , G01C19/5783 , G01L19/0084 , G01L19/148 , G01P1/023 , G01P1/026 , G01P15/0802 , H01L21/568 , H01L23/528 , H01L23/5389 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/19 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/16 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L27/14618 , H01L2223/6677 , H01L2224/12105 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/1703 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/8312 , H01L2224/8319 , H01L2224/92125 , H01L2224/97 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/1461 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/18162 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及制造系统级封装器件的方法以及系统级封装器件。在该方法中，将至少一个具有预定尺寸的第一类管芯、至少一个具有预定尺寸的第二类管芯以及系统级封装器件的至少一个其它部件包含到系统级封装器件中。选择所述第一类管芯和所述第二类管芯中的至少一者以用于重定尺寸。向所选择的管芯的至少一侧添加材料，使得所添加的材料和所选择的管芯形成重定尺寸的管芯结构。在所述重定尺寸的管芯结构上形成连接层。对所述重定尺寸的管芯结构进行定尺寸，以允许将未被选择的管芯以及所述至少一个其它部件安装成经由所述连接层与所述重定尺寸的管芯结构接触。
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公开(公告)号：CN104176697B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201410164571.9
申请日：2014-04-23
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
CPC classification number: G01P15/125 , B81B3/0016 , B81B2201/0235 , B81C1/00968
Abstract: 本发明涉及用于微机电系统器件的有源侧向力粘滞自恢复。提供了通过施加正交于粘滞力的力从MEMS器件中的与粘滞相关的事件恢复的机制。施加正交于粘滞力的矢量的弱力可以比施加平行于粘滞力的矢量的力更容易释放被阻塞的检测质量块。示例实施例提供了垂直的平行板(510,520)或梳指状侧向致动器(610,620)以施加正交力。另选实施例提供了第二换能器(710)的检测质量块(720)来碰撞被阻塞的MEMS致动器以释放粘滞。
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公开(公告)号：CN107209204A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201680006360.X
申请日：2016-01-27
Applicant: 诺思罗普·格鲁曼·利特夫有限责任公司
IPC: G01P15/125
CPC classification number: G01P15/125 , B81B3/0054 , B81B3/0059 , B81B2201/0235 , B81B2203/0163 , B81B2203/04 , B81B2203/051 , G01P15/131 , G01P2015/0814 , G01P2015/0862 , G01P2015/0882
Abstract: 本发明涉及一种加速度传感器(100)，包括：传感器质量块(120)，其借助弹簧元件(130)沿运动轴线(x)可动地支承在基板(110)上；第一微调电极(140)，其与传感器质量块(120)连接；和第二微调电极(150)，其与基板(110)连接并且配置给第一微调电极(140)。在此在传感器质量块沿运动轴线偏移时通过弹簧元件(130)产生作用于传感器质量块(120)的弹力并且在传感器质量块(120)偏移时通过在第一微调电极(140)和第二微调电极(150)之间施加微调电压产生作用于传感器质量块(120)的静电力，该静电力反作用于弹力。
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公开(公告)号：CN107032293A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201610985268.4
申请日：2016-10-25
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: B81B7/0048 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81C1/00293 , B81C1/00325 , B81C2201/013 , B81C2203/0145 , B81C1/00285 , B81B7/0038 , B81B7/0058 , B81C1/00682
Abstract: 本发明提出一种用于制造微机械构件的方法，所述微机械构件具有衬底和与所述衬底连接并且连同所述衬底包围第一空穴的罩，其中，在所述第一空穴中存在第一压力并且包围具有第一化学组分的第一气体混合物，其中，在第一方法步骤中，在所述衬底中或在所述罩中构造连接第一空穴与所述微机械构件的周围环境的进入开口；其中，在第二方法步骤中，调节所述第一空穴中的第一压力和/或第一化学组分；其中，在第三方法步骤中，通过借助于激光器引入能量或热量到所述衬底的或所述罩的吸收部分中来封闭所述进入开口，其中，在第四方法步骤中，在所述衬底的或所述罩的背向所述第一空穴的表面中在所述进入开口的区域中构造凹槽，所述凹槽用于容纳所述衬底的或所述罩的在所述第三方法步骤中转换为液态物态的材料区域。
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公开(公告)号：CN107010593A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201710028585.1
申请日：2017-01-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B81B7/02
CPC classification number: B81C1/00825 , B81B3/0008 , B81B3/001 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B7/02
Abstract: 器件包括衬底、第一结构、第二结构、第三结构和缓冲器。第一结构位于衬底上方。第二结构位于衬底上方，其中，第二结构具有连接至第一结构的第一端。第三结构位于衬底上方，其中，第三结构连接至第二结构的第二端。缓冲器位于衬底和第三结构之间，其中缓冲器是包括第一导电部件、介电部件和第二导电部件的多层缓冲器。介电部件位于第一导电部件上方。第二导电部件位于介电部件上方并且电连接至第一导电部件。本发明实施例涉及MEMS器件和多层结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106976839A
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201710032426.9
申请日：2017-01-16
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: B81B7/0041 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2203/0315 , B81B2207/056 , B81B2207/09 , B81C1/00293 , B81C2203/0109 , B81C2203/0118 , B81C2203/0145 , B81C2203/019 , B81C2203/035 , G01P3/26 , G01P15/00
Abstract: 本发明提出用于制造微机械构件的方法，具有衬底和与衬底连接且与衬底包围第一空穴的罩，在第一空穴中存在第一压力且包含具有第一化学组分的第一气体混合物，罩与衬底包围第二空穴，第二空穴中存在第二压力且包含具有第二化学组分的第二气体混合物，第一方法步骤中，在衬底或罩中构造连接第一空穴与微机械构件周围环境的进入开口，第二方法步骤中，设定第一空穴中的第一压力和/或第一化学组分，第三方法步骤中，通过借助于激光将能量引入到衬底或罩的吸收部分中来封闭进入开口，第四方法步骤中，构造布置在第一空穴与第二空穴之间的空隙，用于排出第一气体混合物的第一微粒类型和/或第二气体混合物的第二微粒类型。
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公开(公告)号：CN104995130B
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201480008678.2
申请日：2014-03-13
Applicant: 英特尔公司
Inventor： R·巴斯卡兰
CPC classification number: B81C1/00238 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0271 , B81B2207/012 , B81C1/00015 , B81C2203/0118 , B81C2203/0136 , B81C2203/035 , B81C2203/036 , B81C2203/0792 , H01L23/315 , H01L2224/16 , H01L2924/00 , H01L2924/0002
Abstract: 描述了一种形成集成的MEMS结构的方法。这些方法和结构可以包括：在第一衬底上形成至少一个MEMS结构；在管芯第一衬底的顶部表面上形成第一接合层；以及然后将设置在第一衬底上的第一接合层耦合到第二衬底，其中所述第二衬底包括器件层。该接合可以包括层转移工艺，其中形成集成的MEMS器件。
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公开(公告)号：CN106946218A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201611108178.3
申请日：2016-12-06
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B7/0038 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2203/0315 , B81C1/00666 , B81C2201/017 , B81C2203/0109 , B81C2203/0145 , B81C1/00285 , G01P3/00 , G01P15/00
Abstract: 本发明提出一种用于制造微机械构件的方法，具有衬底和与衬底连接并且与衬底包围第一空穴的罩，其中，在第一空穴中存在第一压力并且包含具有第一化学组分的第一气体混合物，其中，‑在第一方法步骤中，在衬底或在罩中构造连接第一空穴与微机械构件周围环境的进入开口，其中，‑在第二方法步骤中，调节在第一空穴中的第一压力和/或第一化学组分，其中，‑在第三方法步骤中，通过借助于激光器将能量或热量引入到衬底或罩的吸收部分中来封闭进入开口，其特征在于，在第四方法步骤中，用于继续调节第一压力和/或第一化学组分的吸气剂材料在衬底的面向第一空穴的第一表面上和/或在罩的面向第一空穴的第二表面上沉积或者生长。
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公开(公告)号：CN106938837A
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201610903062.2
申请日：2016-10-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B7/0041 , B81B3/0081 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2207/012 , B81B2207/07 , B81B2207/09 , B81C1/00293 , B81C2201/013 , B81C2203/0109 , B81C2203/0118 , B81C2203/037 , B81C2203/038 , B81C2203/0735 , H01L28/20 , B81B7/0035 , B81C1/00277
Abstract: 本发明涉及微电子机械系统(MEMS)封装件及其形成方法，该MEMS封装件具有配置为通过向室中引入排气调整密封室内的压力的加热元件。在一些实施例中，MEMS封装件具有CMOS衬底，该CMOS衬底具有布置在半导体主体内的一个或多个半导体器件。MEMS结构连接至CMOS衬底并且具有微电子机械(MEMS)器件。CMOS衬底和MEMS结构形成了邻接MEMS器件的密封室。加热元件电连接至一个或多个半导体器件并且通过沿着密封室的内表面布置的排气层与密封室分隔开。在形成加热元件之后，通过操作加热元件引起排气层释放气体，可以调整密封室的压力。
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公开(公告)号：CN103917482B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201280053446.X
申请日：2012-10-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Inventor： R·坎佩代利 , R·佩祖托 , S·洛萨 , M·曼托瓦尼 , M·阿兹佩提亚乌尔奎亚
CPC classification number: B81B7/0006 , B81B3/0086 , B81B7/007 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2207/07 , B81B2207/097 , B81C1/00476 , H01L29/84
Abstract: 一种由下列各项形成的MEMS器件(17)：本体(2)；空腔(25)，在本体上方延伸；移动和固定结构(18、19)，在空腔上方延伸，并且经由锚固区域(16)物理连接到本体；以及电连接区域(10a、10b、10c)，在本体(2)与锚固区域(16)之间延伸，并且电连接到移动和固定结构。电连接区域(10a、10b、10c)由导电多重层形成，该导电多重层包括第一半导体材料层(5)、由半导体材料和过渡金属制成的二元化合物的复合层(6)、和第二半导体材料层(7)。
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