公开(公告)号：CN107836036A

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201680040930.7

申请日：2016-07-07

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： J·毛 ,  H·阮 ,  L·阮 ,  A·波达尔

IPC: H01L21/52

CPC classification number: B81C1/00873 ,  B81B7/007 ,  B81B2201/0214 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0278 ,  B81B2201/0292 ,  B81B2201/047 ,  B81B2207/07 ,  B81B2207/098 ,  B81C1/00333 ,  B81C2201/0125 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0159 ,  B81C2201/0181 ,  B81C2201/0188 ,  B81C2203/0136 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/96 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3511

Abstract: 在所描述的用于以面板形式制造具有开口腔(110a)的封装的半导体器件的方法的示例中，此方法包括：将具有平坦焊盘(230)的金属块的面板大小的网格和对称放置的垂直柱体(231)放置在粘合承载胶带上；将半导体芯片(101)附加到胶带上，其中传感器系统面朝下；层压并减薄低CTE绝缘材料以填充芯片和网格之间的间隙；翻转组件以移除胶带；等离子-清洗组件正面，穿过组件溅射和图案化均匀的金属层，并可选择地电镀金属层以形成针对组件的重布迹线和延伸接触焊盘；穿过面板层压(212)绝缘增强板；在增强板中使腔开口(213)以进入传感器系统；并通过切割金属块来切单(214)封装器件。

公开(公告)号：CN104716050B

公开(公告)日：2018-02-27

申请号：CN201410101723.0

申请日：2014-03-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑钧文 ,  彭荣辉 ,  蔡尚颖 ,  蔡宏佳 ,  邓伊筌

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/28

CPC classification number: B81B7/007 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2207/07 ,  B81B2207/094 ,  B81B2207/095 ,  B81C1/00301 ,  B81C2203/0154 ,  B81C2203/0771 ,  H01L21/568 ,  H01L24/19 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2924/18162

Abstract: 本发明提供了一种形成具有模塑通孔的半导体器件的方法，该方法包括共晶接合覆盖晶圆和基底晶圆以形成晶圆封装件。基底晶圆包括第一芯片封装件部分、第二芯片封装件部分和第三芯片封装件部分。覆盖晶圆包括多个隔离沟槽和多个分离沟槽，相对于覆盖晶圆的相同表面，分离沟槽的深度比隔离沟槽的深度更大。该方法也包括去除覆盖晶圆的一部分以暴露第一芯片封装件部分接触件、第二芯片封装件部分接触件和第三芯片封装件部分接触件。该方法还包括分离晶圆封装件以将晶圆封装件分离成第一芯片封装件、第二芯片封装件和第三芯片封装件。本发明还提供具有模塑通孔的半导体器件。

公开(公告)号：CN104704335B

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201380052765.3

申请日：2013-09-24

Applicant: 恩德莱斯和豪瑟尔两合公司

Inventor： 伊戈尔·格特曼 ,  托马斯·林克 ,  彼得·诺门森 ,  拉斐尔·泰伊朋

IPC: G01L19/06 ,  G01L9/00 ,  B81C1/00 ,  G01L13/02 ,  H01L29/84

CPC classification number: G01L9/0072 ,  B81B3/0027 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81C1/00158 ,  B81C1/00396 ,  B81C1/00531 ,  G01L9/0073 ,  G01L13/025 ,  G01L19/0618

Abstract: 本发明涉及压差传感器(1)，包括测量膜(10)，该测量膜(10)布置在两个平台(20)之间，并且经相应的第一绝缘层(26)与平台(20)中的每个压力紧密地连接，以便在平台与测量膜之间形成压力室。绝缘层尤其包括氧化硅。压差传感器进一步包括用于记录测量膜的压力依赖偏转的电换能器。平台(20)具有支撑位置(27)，在过载的情况下，测量膜(10)至少部分地接触支撑位置(27)。支撑位置(10)具有位置依赖高度h。压差传感器的特征在于，支撑位置(27)通过各向同性蚀刻形成在第一绝缘层(26)中，并且每个支撑位置的相应高度h是在基准平面中的支撑位置的基部的距离的函数。

公开(公告)号：CN103253627B

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201310059343.0

申请日：2013-02-20

Applicant: 意法半导体股份有限公司 ,  意法半导体(马耳他)有限公司

Inventor： K·方克 ,  L·玛吉 ,  J·斯皮特里

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00

CPC classification number: B81B7/0045 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2207/012 ,  B81C1/00238 ,  B81C1/00325 ,  B81C2203/0785 ,  B81C2203/0792 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种用于装配集成器件的工艺，包括：提供集成至少一个电子电路并且具有顶表面的半导体材料的第一本体；提供集成至少一个微机电结构并且具有底表面的半导体材料的第二本体；并且在第一本体上堆叠第二本体，并且在第一本体的顶表面与第二本体的底表面之间插入弹性间隔物材料。在堆叠步骤之前，设想以集成方式在第一本体的顶表面提供限定和间隔结构的步骤，该限定和间隔结构在其内部限定弹性间隔物材料并且在堆叠步骤期间在与第一本体相距一段距离处支撑第二本体。

公开(公告)号：CN107082405A

公开(公告)日：2017-08-22

申请号：CN201710386132.6

申请日：2017-05-26

Applicant: 深迪半导体(上海)有限公司

Inventor： 邹波 ,  王辉

IPC: B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  G01C19/00 ,  G01P15/08

CPC classification number: B81B7/02 ,  B81B3/0032 ,  B81B2201/0264 ,  G01C19/00 ,  G01P15/08 ,  G01P2015/0871

Abstract: 本发明提供了一种MEMS器件结构，包括可动结构、不可动结构、锚点和至少一个限位块；所述可动结构用于在接收到任一方向输入的外部作用力或由自身惯性产生的惯性力后，产生与所述外部作用力和或所述惯性力方向相对的应且相对于所述不可动结构的移动；所述至少一个限位块用于在所述可动结构朝向所述不可动结构移动时，向所述可动结构提供一扭转作用力，使得所述可动结构产生背离所述不可动结构的扭转运动，所述扭转运动使所述可动结构产生扭转变形，以降低可动结构与不可动结构之间的吸附概率，避免可动结构与不可动结构之间吸附现象的发生。

公开(公告)号：CN107074528A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201580046699.8

申请日：2015-06-23

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： M·斯顿珀尔 ,  B·施泰因 ,  C·舍林

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B3/0086 ,  B81B2201/01 ,  B81B2201/0228 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0136 ,  B81C1/00801

Abstract: 本发明提出一种层材料，该层材料特别好地适用于实现在MEMS构件(102)的层结构中的具有电极(7)的悬置的结构元件(31)。根据本发明所述悬置的结构元件(31)应至少部分由基于硅碳氮化物(Si1‑x‑yCxNy)的层组成。

公开(公告)号：CN107032289A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201610925667.1

申请日：2016-10-24

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 李丰园 ,  C·S·达沃森 ,  A·C·迈克奈尔 ,  A·S·萨立安 ,  M·E·施拉曼

IPC: B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  G01C19/00 ,  G01L1/14 ,  G01P15/08

CPC classification number: G01P15/125 ,  B81B3/0078 ,  B81B2201/025 ,  B81B2201/0264 ,  G01L9/0042 ,  G01L9/0073 ,  G01L19/0092 ,  B81B7/0009 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00198 ,  G01C19/00 ,  G01L1/148 ,  G01P15/08 ,  G01P2015/0862

Abstract: 本公开涉及具有集成多个刺激感测能力的MEMS传感器装置。传感器装置包括：装置结构；和顶盖，所述顶盖与所述装置结构耦合，以产生空腔，所述传感器装置的组件位于所述空腔内。所述装置结构包括衬底和与所述衬底的表面间隔开的可移动元件。端口延伸穿过位于所述可移动元件下面的所述衬底。传感元件与所述可移动元件间隔开，并从所述端口移离。所述可移动元件和所述传感元件形成惯性传感器，以感测当所述可移动元件相对于所述传感元件移动时的运动刺激。另外的传感元件连同隔膜一起跨越所述端口。所述可移动元件和所述另外的传感元件形成压力传感器，以感测当所述另外的传感元件连同所述隔膜一起相对于所述可移动元件移动时来自外部环境的压力刺激。

公开(公告)号：CN104517914B

公开(公告)日：2017-08-08

申请号：CN201410499924.0

申请日：2014-09-26

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： H.托伊斯 ,  M.沃佩尔 ,  H.维乔尔克

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  G01L9/02

CPC classification number: G01L9/0045 ,  B81B7/0048 ,  B81B2201/0264 ,  B81C1/00325 ,  G01L9/0042 ,  G01L9/0054 ,  G01L19/0007 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/00014

Abstract: 公开了具有集成的密封的压力传感器封装。一种压力传感器封装，包括：引线；以及半导体管芯，与所述引线间隔开，并且包括被部署在所述管芯的第一侧部处的端子和隔膜。所述管芯被配置为响应于跨所述隔膜的压力差而改变电参数。所述封装还包括：电导体，将所述端子连接到所述引线；模制化合物，包封所述电导体、所述管芯和所述引线的一部分；在所述模制化合物中的腔体，暴露所述隔膜；以及密封环，被部署在具有所述腔体的所述模制化合物的侧部上。所述密封环围绕所述腔体，并且具有比所述模制化合物更低的弹性模量。替换地，所述密封环可以是从具有所述腔体的所述模制化合物的所述侧部突出并且围绕所述腔体的所述模制化合物的脊。还提供一种封装制造方法。

公开(公告)号：CN106946213A

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201710385541.4

申请日：2017-05-26

Applicant: 芜湖恒铭电子科技有限公司

Inventor： 李玲玲 ,  朱宗昌 ,  李志斌

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G01L11/00

CPC classification number: B81B3/0027 ,  B81B2201/0264 ,  B81C1/00134 ,  B81C1/00261 ,  B81C2201/00 ,  G01L11/00

Abstract: 本发明公开了一种压力传感器及其制作方法，具有：电路板，电路板侧边设有向内凹陷的弧形边，电路板上还设有电路板焊盘和定位孔；芯片，其安装在电路板的下部；壳体，壳体内设有第一安装槽，第一安装槽槽底设有第二安装槽，芯片安装在第二安装槽内，第二安装槽的槽底设有通气孔；电路板安装在第一安装槽内；第二安装槽的槽口四周设有台阶；台阶外周设有沟槽，沟槽内灌注硅胶，定位柱与电路板上的定位孔相适配；壳体上还设有插针焊盘，插针焊盘与电路板通过铝丝键合线键合；凝胶，填充第一安装槽，传感器抗腐蚀性良好、长期稳定性好以及过载能力高。

公开(公告)号：CN104508447B

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：CN201380022007.7

申请日：2013-03-06

Applicant: 奥谢陶尔公司 ,  国家科学研究中心

Inventor： S·布里达 ,  J-F·勒尼尔

IPC: G01L9/00 ,  G01L9/04 ,  G01L9/06 ,  G01L19/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B3/0021 ,  B32B38/08 ,  B81B7/0006 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2207/07 ,  B81B2207/095 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/00182 ,  B81C1/00341 ,  G01L7/08 ,  G01L9/0045 ,  G01L9/0052 ,  G01L9/0054 ,  G01L9/0055 ,  G01L9/006 ,  G01L9/008 ,  G01L9/04 ,  G01L9/06 ,  G01L19/0061 ,  G01L19/0069 ,  G01L19/0076 ,  G01L19/147 ,  G01L19/148 ,  H01L2224/45169 ,  Y10T29/49888 ,  Y10T156/10

Abstract: 本发明涉及一种压力传感器的制造方法，包括以下步骤：将支撑基片与上面已沉积应变仪的可变形膜相装配，其中所述可变形膜包括在其中央的变薄区，所述支撑基片设在所述可变形膜顶部，所述支撑基片包括上表面以及与所述可变形膜相接触的下表面，并且所述支撑基片还包括设在所述应变仪顶部的侧部凹陷和设在膜的所述变薄区顶部的中央凹陷，以得到微机械结构；并且，一旦获得了装配，就在一个单一步骤中，在所述支撑部的所述上表面上和所述支撑部的所述侧部凹陷中沉积至少一种导电材料，所述导电材料延伸到凹陷中，从而与所述应变仪相接触以形成与所述应变仪相接触的电触头。