公开(公告)号：FR2946457B1

公开(公告)日：2012-03-09

申请号：FR0953766

申请日：2009-06-05

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： COUDRAIN PERCEVAL ,  CORONEL PHILIPPE ,  BUFFET NICOLAS

IPC: H01L21/762 ,  H01L23/535

公开(公告)号：FR2961950A1

公开(公告)日：2011-12-30

申请号：FR1002657

申请日：2010-06-24

Applicant: COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： CORONEL PHILIPPE ,  FENOUILLET BERANGER CLAIRE ,  DENORME STEPHANE ,  THOMAS OLIVIER

IPC: H01L23/58 ,  H01L21/335 ,  H01L21/8232 ,  H01L27/085

Abstract: Un substrat de support (2) comporte des première et seconde contre-électrodes (5) disposées dans un même plan, au niveau d'une face du substrat de support (2). Une zone électriquement isolante (9) sépare les première et seconde contre-électrodes (5). Une zone semi-conductrice (7) avec des première et seconde portions est séparée du substrat de support (2) par un matériau électriquement isolant (3). Le matériau électriquement isolant (3) est différent du matériau formant le substrat de support (2). La première portion de la zone semi-conductrice (7) fait face à la première contre-électrode (5). La seconde portion de la zone semi-conductrice (7) fait face à la seconde contre-électrode (5).

公开(公告)号：FR2951874B1

公开(公告)日：2011-12-09

申请号：FR0957493

申请日：2009-10-26

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： SKOTNICKI THOMAS

IPC: H01L37/00 ,  H01L23/427

公开(公告)号：FR2947383B1

公开(公告)日：2011-12-02

申请号：FR0954296

申请日：2009-06-24

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： ROY FRANCOIS

IPC: H01L27/146

公开(公告)号：FR2959057A1

公开(公告)日：2011-10-21

申请号：FR1052969

申请日：2010-04-20

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： JEANTET OLIVIER ,  VERNET MARC

IPC: G11C11/40 ,  G11C11/401

Abstract: Le dispositif de mémoire vive dynamique, comprend un plan-mémoire comprenant un ensemble de cellules-mémoire du type DRAM comportant plusieurs lignes de cellules-mémoire, et des moyens de sélection de ligne associés à chaque ligne ; les moyens de sélection de ligne comprennent un premier étage élévateur de tension (ET1A, ET1B) configuré pour recevoir deux signaux logiques de commande initiaux (DECO, PHI1) ayant chacun un niveau de tension initial correspondant à un premier état logique et pour délivrer deux signaux logiques de commande intermédiaires (DEC1, PHI1) ayant chacun un niveau de tension intermédiaire supérieur audit niveau initial et correspondant audit premier état logique, et un circuit de commande (CCM) avec élévation de tension destiné à être alimenté par le biais de transistors PMOS avec une tension d'alimentation ayant un deuxième niveau de tension supérieur au niveau intermédiaire, et configuré pour, en présence des deux signaux logiques de commande intermédiaires (DEC1, PHI1) ayant leur premier état logique, délivrer aux grilles des transistors des cellules-mémoire de ladite ligne (WL), un signal logique de sélection (SWL) ayant le deuxième niveau de tension.

公开(公告)号：FR2947382B1

公开(公告)日：2011-09-09

申请号：FR0954295

申请日：2009-06-24

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： ROY FRANCOIS

IPC: H01L27/146

公开(公告)号：FR2947381B1

公开(公告)日：2011-09-09

申请号：FR0954294

申请日：2009-06-24

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： ROY FRANCOIS

IPC: H01L27/146

公开(公告)号：FR2952183A1

公开(公告)日：2011-05-06

申请号：FR0957688

申请日：2009-10-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： MONFRAY STEPHANE ,  SKOTNICKI THOMAS

IPC: G01N27/414

Abstract: L'invention concerne un détecteur de matière biologique ou chimique, comprenant un transistor MOS dont la région de canal (30) est insérée entre des grilles isolées supérieure (32) et inférieure (25), la grille isolée supérieure comprenant une couche de détection adaptée à générer une charge à l'interface de la grille isolée supérieure et de son isolant de grille, l'épaisseur de l'isolant de grille supérieure (34) étant inférieure à l'épaisseur de l'isolant de grille inférieure (23) .

公开(公告)号：DE602008005557D1

公开(公告)日：2011-04-28

申请号：DE602008005557

申请日：2008-01-10

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： MUELLER MARKUS ,  BIDAL GREGORY

IPC: H01L21/28

公开(公告)号：FR2951026A1

公开(公告)日：2011-04-08

申请号：FR0956868

申请日：2009-10-01

Applicant: ST MICROELECTRONICS SA ,  ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： PETIT DAVID ,  JOBLOT SYLVAIN ,  BAR PIERRE ,  CARPENTIER JEAN-FRANCOIS ,  DAUTRICHE PIERRE

IPC: H01L41/22 ,  H03H9/15

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'une tranche sur laquelle sont formés des résonateurs (11), chaque résonateur comportant, au dessus d'un substrat semiconducteur (3), un empilement de couches comprenant, dans l'ordre à partir de la surface du substrat : un miroir de Bragg (7) ; une couche de compensation (13) en un matériau ayant un coefficient de température de la vitesse acoustique de signe opposé à celui de l'ensemble des autres couches de l'empilement ; et un résonateur piézoélectrique (5), ce procédé comportant les étapes successives suivantes : a) déposer la couche de compensation (13) ; et b) réduire les inégalités d'épaisseur de la couche de compensation liées au procédé de dépôt, de sorte que cette couche présente une même épaisseur à mieux que 2 % près, et de préférence à mieux que 1 % près, au niveau de chaque résonateur BAW.