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公开(公告)号：KR101842730B1
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：KR1020137000262
申请日：2011-06-23
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
IPC: H01L23/488 , H01L23/498
CPC classification number: B23K1/20 , H01L21/4853 , H01L23/49816 , H01L24/11 , H01L2224/11462 , H01L2924/00015 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15787 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2224/1134
Abstract: 기판상에솔더성막을형성하는방법으로서, i) 적어도하나의내부층 콘택트영역을포함하는기판을제공하는단계, ii) 상기적어도하나의콘택트영역을포함하는전체기판영역을상기기판표면상의전도성층을제공하는데적합한용액과접촉시키는단계, iii) 패턴화된레지스트층을형성하는단계, iv) 상기내부층 콘택트영역상에주석또는주석합금을함유하는솔더성막층을전기도금하는단계, v) 패턴화된레지스트층을제거하는단계, vi) 기판표면상에솔더레지스트개구들을갖는솔더레지스트층을형성하는단계를포함하는, 그기판상에솔더성막을형성하는방법이개시된다.
Abstract translation: 一种在衬底上形成焊料膜的方法，包括以下步骤：i）提供包括至少一个内层接触区的衬底; ii）在导电层上沉积包括所述至少一个接触区的整个衬底区 ，iii）形成图案化的抗蚀剂层，iv）在内层接触区域上电镀包含锡或锡合金的焊料沉积层，v） 去除暴露的抗蚀剂层;以及vi）在基板表面上形成具有阻焊剂开口的阻焊层。
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公开(公告)号：KR101821852B1
公开(公告)日：2018-01-24
申请号：KR1020147028526
申请日：2013-01-09
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
IPC: C23C18/50 , H01L21/288
CPC classification number: C23C18/50 , C23C18/1633
Abstract: 본발명은안정화제로서프로파르길유도체를포함하는, 3원및 4원코발트합금 Co-M-P, Co-M-B 및 Co-M-B-P (식중, M 은 Mn, Zr, Re, Mo, Ta 및 W 로이루어진군에서선택된다) 의무전해석출을위한수성, 알칼리성도금조조성물에관한것이다. 이것으로부터유도되는코발트합금층은반도체장치, 인쇄회로기판및 IC 기판과같은전자장치에서장벽층및 피복층으로서유용하다.
Abstract translation: 本发明涉及一种含有稳定剂炔丙基衍生物，三和四赢得钴合金共同MP，钴-MB和Co-MBP（式中，M是由Mn，Zr的，RE，钼，Ta和W的 用于强制电解沉积的碱性镀液组合物。 由此衍生的钴合金层可用作电子器件如半导体器件，印刷电路板和IC基板中的阻挡层和涂层。
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公开(公告)号：KR101770446B1
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：KR1020137000639
申请日：2011-07-06
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
CPC classification number: B05C11/00 , B05D1/18 , C23C18/1617 , C23C18/54
Abstract: 욕 (bath) 의공정을단순화하기위하여, 제 2 금속을노출시키는가공물 (12) 에제 1 금속의코팅을성막하는방법이제안되고, 이러한방법은, a) 성막될제 1 금속의이온을포함하는욕 성분, 상기제 2 금속용의적어도하나의착화제그리고적어도하나의산을포함하는욕액 (16) 을제공하는단계, b) 상기가공물 (12) 에상기욕액 (16) 으로부터상기제 1 금속의상기코팅을성막하는단계, c) 상기욕액 (16) 을침강조 (18) 로공급하는단계, d) 침전물및 여과액의생성을위해침강조 (18) 내의욕액 (16) 을냉각시키는단계로서, 상기침전물은상기제 2 금속및 상기적어도하나의착화제를포함하는단계, e) 여과장치 (20) 에의해상기여과액으로부터상기침전물을분리하는단계, f) 상기욕액 (16) 에상기여과액을복귀시키는단계, 그리고 g) 상기욕액 (16) 에욕 성분을보충시키는단계를포함한다. 본발명에따른방법은상기여과액으로부터상기침전물의분리에관하여, 상기여과장치를통해압력차가생성되는것을특징으로한다.
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公开(公告)号：KR1020170095120A
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：KR1020167023874
申请日：2015-10-30
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
CPC classification number: C23F1/18 , C23C28/321 , C23F1/46 , C23G1/103 , H05K3/062 , H05K3/064 , H05K3/383 , H05K2203/124
Abstract: 본발명은구리또는구리합금표면의마이크로에칭을위한조성물로서, 하기를포함하는조성물에관한것이다: i) Fe이온의적어도하나의공급원, ii) Br이온의적어도하나의공급원, iii) 적어도하나의무기산, 및 iv) 식 I 에따른적어도하나의에치리파이너식중, R1 은수소, C-C-알킬또는치환된아릴또는알크아릴기로이루어지는군으로부터선택되고; R2 는수소, C-C-알킬또는 C-C-알콕시로이루어지는군으로부터선택되고; R3, R4 는수소및 C-C-알킬로이루어지는군으로부터선택되고; X는적합한음이온임. 또한, 본발명은그러한조성물을사용하는구리또는구리합금표면의마이크로에칭을위한방법에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及用于微蚀铜或铜合金表面的组合物，其包含：i）至少一种Fe离子源，ii）至少一种Br离子源，iii）至少一种无机酸 和iv）至少一种根据式I的醚化基团，其中R 1选自氢，C 1 -C 20烷基或取代的芳基或烷芳基; R 2选自氢，C 1 -C 4烷基或C 1 -C 4烷氧基; R 3和R 4选自氢和C 1 -C 4烷基; X是合适的阴离子。 本发明还涉及使用这种组合物微蚀铜或铜合金表面的方法。
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公开(公告)号：KR1020170089864A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：KR1020177014803
申请日：2015-12-02
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
CPC classification number: C25D5/18 , C25D3/38 , C25D7/123 , H05K3/4076 , H05K2203/0723
Abstract: 기판표면들상에그리고구멍들내에금속을침전시킴에있어서균일성을개선하기위해편평한기판 (P) 상에금속을전기도금하는방법이제공된다. 상기방법은다음의방법단계들을포함한다: (a) 대향하는제 1 및제 2 기판표면 (P, P) 을갖는기판 (P), 적어도하나의대향전극 (120, 130; 220, 230) 을포함하는전기도금장치 (100, 200), 및전기도금액 (L) 을제공하는단계; (b) 기판 (P) 및적어도하나의대향전극 (120, 130; 220, 230) 의각각을전기도금액 (L) 과접촉하게하는단계; (c) 기판표면 (P, P) 에대해, 각각의제 1 순방향-역방향펄스전류시퀀스가연속하는제 1 순방향-역방향펄스기간들로이루어진적어도하나의제 1 순방향-역방향펄스전류시퀀스를상기제 1 기판표면 (P) 에그리고각각의제 2 순방향-역방향펄스전류시퀀스가연속하는제 2 순방향-역방향펄스기간들로이루어진적어도하나의제 2 순방향-역방향펄스전류시퀀스를상기제 2 기판표면 (P) 에피드함으로써, 제 1 및제 2 기판표면들 (P, P) 상에금속퇴적을행하기위해상기기판 (P) 의제 1 및제 2 기판표면들 (P, P) 을전기적으로분극화하는단계; (d) 상기적어도하나의제 1 순방향-역방향펄스전류시퀀스중 각각의제 1 순방향-역방향펄스전류시퀀스는, 연속적인제 1 순방향-역방향펄스기간들중 각각의제 1 순방향-역방향펄스기간에, 제 1 순방향펄스지속기간 (t) 동안제 1 기판표면 (P) 에서제 1 캐소드성전류를생성하는제 1 순방향펄스와, 제 1 역방향펄스지속기간 (t) 동안제 1 기판표면 (P) 에서제 1 애노드성전류를생성하는제 1 역방향펄스를적어도포함하며, 상기제 1 순방향펄스는제 1 순방향펄스피크전류 (i) 를갖고, 상기제 1 역방향펄스는제 1 역방향펄스피크전류 (i) 를가지며, 상기적어도하나의제 2 순방향-역방향펄스전류시퀀스중 각각의제 2 순방향-역방향펄스전류시퀀스는, 연속적인제 2 순방향-역방향펄스기간들중 각각의제 2 순방향-역방향펄스기간에, 제 2 순방향펄스지속기간 (t) 동안제 2 기판표면 (P) 에서제 2 캐소드성전류를생성하는제 2 순방향펄스와, 제 2 역방향펄스지속기간 (t) 동안제 2 기판표면에서제 2 애노드성전류를생성하는제 2 역방향펄스를적어도포함하며, 상기제 2 순방향펄스는제 2 순방향펄스피크전류 (i) 를갖고, 상기제 2 역방향펄스는제 2 역방향펄스피크전류 (i) 를가지며; 상기제 1 및제 2 순방향펄스들은추가로, 각각의제 1 또는제 2 순방향펄스지속기간 (t, t) 보다더 짧은각각의제 1 또는제 2 중첩캐소드성펄스지속기간 (t, t) 을갖는각각의제 1 또는제 2 중첩캐소드성펄스와중첩된다.
Abstract translation: 提供在平坦衬底（P）上电镀金属的方法以改善在衬底表面上和衬底表面上沉积金属的均匀性。 该方法包括以下方法步骤：（a）相对的第一mitje第二衬底表面（P，P），所述基板（P），其具有至少一个对电极的;包括（120，130，220，230） （100,200）和电镀液（L）; 该方法包括使之与电每个的量（L）相接触;（220，230 120，130）（b）中衬底（P）和至少一个反电极; （C）相对于所述基材面（P，P），每个所述第一前进方向的 - 至少一个第一组成正向权利要求其中反向脉冲电流序列反向脉冲电流序列的反向脉冲持续时间的的是连续的第一着 第一衬底表面（P）和各自由的反向脉冲第二前进到当前序列的连续反向脉冲电流序列，所述第二衬底表面，第二前进中的至少一个的所述第二前进后退的脉冲持续时间的（P ），包括：由一个外延德，第一mitje第二衬底表面电偏振（P，所述基板（P）议程1个mitje第二衬底表面，以实现沉积在P上的金属）（P，P）; （d）将所述至少一个第一正向反向脉冲电流序列分别的反向脉冲电流序列中的第一正向的，连续摄取1前进，每个反向脉冲持续时间的第一正向 - 的，则一个反向脉冲持续时间 在第一基板中的第一正向脉冲的持续时间（t）的表面为（P）产生第一阴极电流的第一正向脉冲和衬底对于反向脉冲持续时间（T）（P）的所述第一表面的 1，根据权利要求1的阳极，其包括至少在反向脉冲，第一正向脉冲，以生成具有第一正向脉冲峰值电流（i），所述第一反向脉冲是第一反向脉冲峰值电流（i）的电流 分别具有第二前进的最反向脉冲电流序列的至少一个第二前进后退脉冲电流序列，连续向前摄取2中，每个2的反向脉冲的持续时间，前转，第二的反向脉冲持续时间 在正向脉冲持续时间t期间， 和第二正向脉冲表面（P），第一和用于产生在所述衬底的所述第二表面的第二阳极电流为至少两个反向脉冲持续时间（t）的第二反向脉冲上产生第二阴极电流，并且 所述第二正向脉冲具有第二正向脉冲峰值电流（i），并且所述第二反向脉冲具有第二反向脉冲峰值电流（i）; 此外，优选所述第一mitje第二正向脉冲，具有各自的第一或第二正向脉冲的持续时间（T，T）短，每个第一和第二叠置阴极堡脉冲持续时间（T，T）的比 重叠每个第一或第二重叠的阴极活性脉冲。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170081172A
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：KR1020177010865
申请日：2015-10-13
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
Inventor： 브루즈알렉상드르
CPC classification number: C23C18/30 , B29C37/0025 , B29C45/14 , C23C18/1603 , C23C18/1605 , C23C18/1608 , C23C18/163 , C23C18/1641 , C23C18/2086 , C23C18/36 , C23C18/405 , C25D5/02 , C25D5/54 , C23C18/1653
Abstract: 본발명은, 금속화프로세스를거치는적어도하나의플라스틱부품의지지체의금속화를방지하는방법에관한것으로서, 본방법은, 상기부품의표면의산화단계, 산화된표면의활성화단계, 및활성화된표면에의금속의화학적및/또는전기화학적디포지션 (deposition) 단계의연속적인단계들을포함하고, 상기지지체를, 상기산화단계전에, 아황산나트륨, 티오우레아, 티올, 티오에테르, 적어도하나의티올및/또는티아졸릴기를갖는화합물, 및이들의혼합물들로부터선택된적어도하나의특정금속화억제제를포함하는억제용액과접촉하게하는단계를포함하는것을특징으로한다. 또한, 본발명은금속화프로세스를거치는플라스틱부품의지지체의금속화를방지하기위한프로세스에관한것으로서, 본프로세스는상기지지체및 상기부품을억제용액과접촉하게하는단계를포함하고, 상기지지체는부품의재료와상이한재료로제조된다.
Abstract translation: 本发明涉及防止支撑塑件中的至少一个经过一个金属化的过程中，本发明的方法，组分，所述氧化表面的活化相的表面的氧化步骤的金属化的方法，和有源表面 它包括化学和/或在金属相的连续相中电化学沉积（沉积），和支撑，氧化步骤由，亚硫酸钠，硫脲，硫醇，硫醚，至少一种硫醇和前/ 或其混合物，以及至少一种选自具有噻唑基的化合物及其混合物的特定金属化抑制剂。 本发明还涉及一种通过金属化工艺防止塑料部件的支撑体金属化的方法，该方法包括使支撑体和部件与抑制性溶液接触的步骤， Lt材料。
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公开(公告)号：KR101752945B1
公开(公告)日：2017-07-03
申请号：KR1020127031537
申请日：2011-05-31
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
IPC: C23F1/18
CPC classification number: H05K3/22 , C23F1/18 , C25D3/38 , C25D5/48 , H01L21/2885 , H01L21/32115 , H01L21/32134 , H01L21/7684 , H05K3/067 , H05K3/107 , H05K3/18
Abstract: 본발명은 Fe(II) / Fe(III) 산화환원계및 황함유유기첨가제를함유하는에칭용액을적용하는, 평활구리표면이남겨진회로구조물로부터원치않는구리를효과적으로제거하는방식으로구리또는구리합금의웨이퍼기판또는인쇄회로판상의회로구조물을에칭하는개선된방법에관한것이다. 상기용액은또한에칭에앞서구리를도금하는데적용될수 있다는점이본 발명의이점이다.
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公开(公告)号：KR1020170044127A
公开(公告)日：2017-04-24
申请号：KR1020177006257
申请日：2015-08-07
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
CPC classification number: H05K3/181 , C23C18/1651 , C23C18/31 , C23C18/48 , C23C18/54 , C25D3/38 , C25D3/58 , C25D5/022 , C25D5/56 , H05K1/0274 , H05K2201/2054 , H05K2203/0709 , H05K2203/073
Abstract: 본발명은구리및 구리합금회로의광학반사율을감소시키는방법에관한것으로, 본방법에서는침지식도금에의해상기구리또는구리합금상에얇은팔라듐또는팔라듐합금층이성막된다. 이로써, 무광회색또는진회색또는흑색층이획득되고, 상기구리또는구리합금회로의광학반사율이감소된다. 본발명에따른방법은이미지디스플레이디바이스, 터치스크린디바이스및 관련전자부품의제조에특히적합하다.
Abstract translation: 本发明涉及一种方法，用于降低铜及铜合金电路，该方法的光反射率，通过浸入镀在铜或铜合金的薄的钯或钯合金层沉积。 因此，获得无光泽的灰色或暗灰色或黑色的层，所述铜或铜合金电路的光学反射率减少。 根据本发明的方法特别适用于制造图像显示装置，触摸屏装置和相关联的电子部件。
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公开(公告)号：KR101728654B1
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：KR1020167025126
申请日：2015-01-14
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
IPC: C23C18/18 , C23C18/30 , C23C18/16 , C23C18/32 , C23C18/50 , C23F1/02 , C23F1/30 , C23F1/44 , H05K3/24 , H05K3/18 , H05K3/26
CPC classification number: C23C18/32 , C23C18/1608 , C23C18/1841 , C23C18/42 , C23C18/50 , C23F1/02 , C23F1/30 , C23F1/44 , H05K3/187 , H05K3/244 , H05K3/26
Abstract: 본발명은원치않는스킵도금및 가외도금을억제하는인쇄회로판과같은전자장치의구리피쳐상의금속또는금속합금의무전해도금방법을개시하고있다. 방법은단계 i) 상기기판을제공하는단계, ii) 귀금속이온으로구리피쳐를활성화하는단계; iii) 산, 할라이드이온공급원, 및티오우레아, 티오우레아유도체및 티오우레아기를포함하는중합체로이루어지는군으로부터선택되는첨가제를포함하는수성전처리조성물로과량의귀금속이온또는이로형성된침전물을제거하는단계; 및 iv) 금속또는금속합금층의무전해도금단계를포함한다.
Abstract translation: 本发明公开了在电子设备的铜金属或金属合金占空比特征的电解电镀方法，如印刷电路板用于抑制不需要的额外的跳过电镀和电镀一样。 该方法包括以下步骤：i）提供基材; ii）用贵金属离子活化铜特征; iii）除去所述酸，卤化物离子源和硫脲，过量的贵金属离子的或沉淀出在包含选自硫脲衍生物，和聚合物，其包括硫脲组成的组中选出的添加剂的水性预处理组合物形成; 和iv）金属或金属合金层。
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公开(公告)号：KR1020170039775A
公开(公告)日：2017-04-11
申请号：KR1020177009056
申请日：2013-12-06
Applicant: 아토테크더치랜드게엠베하
Inventor： 나루스케비키우스레오나스 , 부딜로브스키스다나스 , 기리에네오나 , 타마사우스카이테타마시우나이테로레타
CPC classification number: C23C18/24 , C09K13/04 , C23C18/1653 , C23C18/2086 , C23C18/285 , C23C18/30 , C23C18/34 , C23C18/36 , C23C18/40 , C23C18/405 , C25D3/12 , C25D3/18 , C25D3/38 , C25D5/34 , C25D5/50
Abstract: 본발명은금속화 6가크롬이없는에칭용액을사용하여비전도성플라스틱들을금속화하기위한프로세스에관한것이다. 에칭용액은염소산염이온들및 바나듐화합물의소스를포함하는황산용액에기초된다. 에칭용액으로의플라스틱의처리후에, 플라스틱들은공지된프로세스들에의해금속화된다.
Abstract translation: 本发明涉及一种使用不含金属化六价铬的蚀刻溶液对非导电塑料进行金属化的方法。 蚀刻溶液基于含有氯酸根离子源和钒化合物的硫酸溶液。 在用蚀刻溶液处理塑料之后，塑料通过已知工艺被金属化。
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