Abstract:
PURPOSE: A method for manufacturing a solar cell is provided to reduce a process time and a process cost by forming an anti-reflective coating layer without an additional photolithography process. CONSTITUTION: A photoelectric conversion layer(520) to covert an optical signal to an electrical signal is formed on a substrate(510). A window layer(530) is formed on the photoelectric conversion layer. The window layer is a barrier of the carrier generated in the photoelectric conversion layer and passes the optical signal through the photoelectric conversion layer. An ohmic contact layer(540) making the ohmic contact with the window layer is formed on the window layer. The ohmic contact layer is etched using an etching mask. An anti-reflective coating layer(550) is formed by oxidizing the window layer in the exposed surface by etching the ohmic contact layer using the etching mask as a hard mask about the oxidation. A top electrode(560) made of the conductive material is formed on the ohmic contact layer. A bottom electrode(570) made of the conductive material is formed on the lower part of the substrate.
Abstract:
본 발명은 기판과 성장 물질의 격자 불일치 전위(misfit dislocation)가 생기는 구조에서, 결함에 의한 영향을 회피하기 위해 최적화된 수평형 전극구조 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 수평형 전극구조 태양전지는 기판과, 상기 기판 상에 형성되며, 상기 기판과 격자 상수의 차이가 있어 격자 불일치 전위(misfit dislocation)를 포함하는 박막과, 상기 박막 상부에 형성되는 와이드 밴드갭 층과, 상기 와이드 밴드갭 층 상부에 소정의 두께로 형성되는 오믹 층과, 상기 오믹 층 상부에 형성되는 소자층과, 상기 소자층 상부에 형성되는 제1 전극과, 상기 오믹 층 상부에 형성되는 제2 전극을 포함하여 이루어짐으로써, 격자 부정합 기판에 제작하는 태양전지의 결함에 의한 영향을 회피하고, 결함 밀도가 높은 misfit dislocation 층에 캐리어가 전송되지 않으므로 양자 효율 감소가 일어나지 않아 효율이 개선된다는 효과가 있다.
Abstract:
PURPOSE: A solar cell having a p-n tunnel diode is provided to lower serial resistance by using an N-type substrate having small defect in comparison with a P-type substrate and forming an upper electrode and a lower electrode with an n-ohmic contact electrode. CONSTITUTION: In a solar cell having a p-n tunnel diode, a p-n diode tunnel(220) is formed on an n-type substrate(210) by successively laminating an n-type semiconductor and a p-type semiconductor to form a p-n junction. A photovoltatic cell(230) is formed on the p-n diode tunnel by successively laminating an n-type semiconductor and a p-type semiconductor to convert an optical signal into an electrical signal. A bottom electrode(270) is formed on the N-type substrate. A top electrode(260) is formed on the photovoltatic cell.
Abstract:
태양전지가 개시된다. 제1 광전변환층은 입사된 태양광을 흡수하여 전기적 신호로 변환시킨다. 제2 광전변환층은 태양광의 진행 경로상 제1 광전변환층의 전단에 배치되며, 입사된 태양광을 흡수하여 전기적 신호로 변환시킨다. 집광장치는 태양광의 진행 경로상 제1 광전변환층과 제2 광전변환층 사이에 배치되며, 제2 광전변환층을 통과한 태양광이 제1 광전변환층을 향하도록 태양광을 집속한다. 본 발명에 따르면, 태양광의 진행 경로상 집광장치의 전단에 배치된 광전변환층에서는 짧은 파장을 갖는 태양광을 흡수하고, 후단에 배치된 광전변환층에서는 긴 파장을 갖는 태양광을 흡수하므로 발열이 완화된다. 또한, 산란 후 재입사하는 태양광을 흡수할 수 있으므로, 효율 향상을 도모할 수 있게 되고, 각각의 광전변환층에서 특정한 파장 대역만을 흡수하므로 색수차가 덜 발생하게 된다. 태양전지, 턴뎀, 집광장치, 색수차