公开(公告)号：KR101666400B1

公开(公告)日：2016-10-14

申请号：KR1020140149039

申请日：2014-10-30

Applicant: 한국과학기술연구원 ,  (재)한국나노기술원 ,  아주대학교산학협력단

Inventor： 한상욱 ,  문성욱 ,  김용수 ,  이인준 ,  김상인 ,  박원규 ,  전동환 ,  신찬수 ,  박경호 ,  정해용

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/18

Abstract: 포토다이오드는기판; 상기기판위에위치하는제 1 캐리어(carrier) 증폭층; 상기제 1 캐리어증폭층위에위치하는광자흡수층; 및상기광자흡수층위에위치하는제 2 캐리어증폭층;을포함할수 있다. 한편, 포토다이오드제조방법은기판위에제 1 캐리어증폭층을형성하는단계; 상기제 1 캐리어증폭층위에광자흡수층을형성하는단계; 및상기광자흡수층위에제 2 캐리어증폭층을형성하는단계;를포함할수 있다. 본발명의실시예들은두 종류의캐리어를모두이용하여신호를증폭함으로써전압이득및 단일광자검출의신뢰도를증대시킬수 있다.

公开(公告)号：KR101857647B1

公开(公告)日：2018-05-15

申请号：KR1020160095040

申请日：2016-07-26

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 박형호 ,  황선용 ,  이근우 ,  임웅선 ,  윤홍민 ,  고유민 ,  정해용 ,  조주영 ,  최재원 ,  정상현 ,  최영수 ,  강성민 ,  최원명 ,  조영대 ,  성호근 ,  박경호 ,  박원규

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027 ,  H01L29/06 ,  H01L29/41 ,  H01L21/203 ,  H01L21/306 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L21/033

Abstract: 본발명은진공증착공정을이용하여금속나노구조체패턴을형성하기위한것으로서, 기재상부의일부영역을노출시키는마스크패턴층을형성하는제1단계와, 상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에금속나노구조체의성장을위해필요한금속나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하는제2단계와, 진공증착공정에의해상기기재의노출된영역및 상기마스크패턴층상부에금속나노구조체를성장시키는제3단계와, 상기마스크패턴층을제거하여, 상기기재의노출된영역에금속나노구조체를형성하여상기기재상부에금속나노구조체패턴을형성하는제4단계및 상기금속나노구조체를이용하여상기기재의일부영역을습식식각하여하이브리드패턴을형성하는제5단계를포함하여이루어지는것을특징으로하는진공증착에의한하이브리드패턴형성방법을기술적요지로한다. 이에의해본 발명은금속나노구조체의성장을위해필요한금속나노구조체의최소임계반지름을만족하는진공증착조건을설정하여진공증착공정을이용하여기재상부에금속나노구조체패턴을형성하고이를이용하여기재를습식식각하여기재의일부영역에하이브리드패턴을제공하고자하는것이다.

公开(公告)号：KR101663638B1

公开(公告)日：2016-10-10

申请号：KR1020140150213

申请日：2014-10-31

Applicant: (재)한국나노기술원 ,  한국과학기술연구원 ,  아주대학교산학협력단

Inventor： 전동환 ,  정해용 ,  신찬수 ,  박경호 ,  박원규 ,  김용수 ,  한상욱 ,  문성욱 ,  이인준 ,  김상인

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/0352

Abstract: 본발명은상기목적을달성하기위한것으로서, 분리된흡수층및 증폭층(separate absorption and multiplication)을갖는애벌랜치포토다이오드에있어서, 상기흡수층은전계가걸린흡수층과도핑된흡수층의조합으로변형형성되고, 상기도핑된흡수층은, 상기전계가걸린흡수층과비흡수층사이에형성되며, 상기전계가걸린흡수층의도핑농도보다상대적으로높은도핑농도를가지는도핑층으로이루어진것을특징으로하는변형된도핑흡수층을이용한애벌랜치포토다이오드를기술적요지로한다. 이에의해, 기존의흡수층에도핑층을추가하여변형된도핑흡수층을형성하여, 주파수특성을유지하면서효율은증가시키는이점이있다.

公开(公告)号：KR1020160053179A

公开(公告)日：2016-05-13

申请号：KR1020140150214

申请日：2014-10-31

Applicant: (재)한국나노기술원 ,  한국과학기술연구원 ,  아주대학교산학협력단

Inventor： 전동환 ,  정해용 ,  신찬수 ,  박경호 ,  박원규 ,  김용수 ,  한상욱 ,  문성욱 ,  이인준 ,  김상인

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0304

CPC classification number: H01L31/107 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/03044 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/03529

Abstract: 본발명은상기목적을달성하기위한것으로서, 분리된흡수층및 증폭층(separate absorption and multiplication)을갖는애벌랜치포토다이오드에있어서, 상기흡수층은전계가걸린흡수층과도핑및 조성변화층의조합으로이루어지되, 상기도핑및 조성변화층은, 상기전계가걸린흡수층과비흡수층사이에형성되며, 상기전계가걸린흡수층의도핑농도보다상대적으로높은도핑농도를가지면서, 상기화합물반도체의조성을기판에대해 10% 오차범위내에서의격자부정합또는정합이유지되도록변형하여형성되는것을특징으로하는변형된도핑및 조성흡수층을이용한애벌랜치포토다이오드를기술적요지로한다. 이에의해, 도핑이되어있으면서조성변화가이루어진도핑및 조성변화층은소수캐리어의에너지밴드를가변함으로써전계를인가하여캐리어이동을돕게되어, 캐리어가증폭층으로도달하는속도를가속할수 있도록하여, 효율특성및 응답속도를더욱개선시키는이점이있다.

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种使用调制掺杂和组合物吸收层的雪崩光电二极管，以通过将掺杂和组成改性层添加到吸收层来保持频率特性并提高效率。 为了实现该目的，雪崩光电二极管包括分离的吸收层和放大层。 吸收层通过组合形成电子场的吸收层与组合物改性层而形成。 掺杂和组成改性层形成在其中形成电子场的吸收层和非吸收层之间。 掺杂和组成改性层具有比形成电子场的吸收层的掺杂浓度更高的掺杂浓度。 修改化合物半导体的组成以在基板的±10％的误差范围内维持晶格不整合或一致性。 因此，通过改变小载体的能带，施加掺杂的掺杂和其中组成改变的组成改性层有助于载流子的移动，并且更好地提高了效率特性和响应速度 通过增加使载波到达修改层的速度。

公开(公告)号：KR101663644B1

公开(公告)日：2016-10-10

申请号：KR1020140150214

申请日：2014-10-31

Applicant: (재)한국나노기술원 ,  한국과학기술연구원 ,  아주대학교산학협력단

Inventor： 전동환 ,  정해용 ,  신찬수 ,  박경호 ,  박원규 ,  김용수 ,  한상욱 ,  문성욱 ,  이인준 ,  김상인

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0304

Abstract: 본발명은상기목적을달성하기위한것으로서, 흡수층및 증폭층이각각분리되어형성된(separate absorption and multiplication) 애벌랜치포토다이오드에있어서, 상기흡수층은전계가걸린흡수층과도핑및 조성변화층의조합으로이루어지되, 상기도핑및 조성변화층은, 상기전계가걸린흡수층과비흡수층사이에형성되며, 상기전계가걸린흡수층의도핑농도보다상대적으로높은도핑농도를가지면서, 상기화합물반도체의조성을기판에대해 10% 오차범위내에서의격자부정합또는정합이유지되도록변형하여형성되는것을특징으로하는변형된도핑및 조성흡수층을이용한애벌랜치포토다이오드를기술적요지로한다. 이에의해, 도핑이되어있으면서조성변화가이루어진도핑및 조성변화층은소수캐리어의에너지밴드를가변함으로써전계를인가하여캐리어이동을돕게되어, 캐리어가증폭층으로도달하는속도를가속할수 있도록하여, 효율특성및 응답속도를더욱개선시키는이점이있다.

公开(公告)号：KR1020160050574A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：KR1020140149039

申请日：2014-10-30

Applicant: 한국과학기술연구원 ,  (재)한국나노기술원 ,  아주대학교산학협력단

Inventor： 한상욱 ,  문성욱 ,  김용수 ,  이인준 ,  김상인 ,  박원규 ,  전동환 ,  신찬수 ,  박경호 ,  정해용

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/107 ,  H01L31/184 ,  H01L31/1844

Abstract: 포토다이오드는기판; 상기기판위에위치하는제 1 캐리어(carrier) 증폭층; 상기제 1 캐리어증폭층위에위치하는광자흡수층; 및상기광자흡수층위에위치하는제 2 캐리어증폭층;을포함할수 있다. 한편, 포토다이오드제조방법은기판위에제 1 캐리어증폭층을형성하는단계; 상기제 1 캐리어증폭층위에광자흡수층을형성하는단계; 및상기광자흡수층위에제 2 캐리어증폭층을형성하는단계;를포함할수 있다. 본발명의실시예들은두 종류의캐리어를모두이용하여신호를증폭함으로써전압이득및 단일광자검출의신뢰도를증대시킬수 있다.

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种放大电子和空穴并具有高电压增益的光电二极管及其制造方法。 光电二极管包括：基板; 设置在所述基板上的第一载流子放大层; 设置在所述第一载流子放大层上的光子吸收层; 以及设置在光子吸收层上的第二载流子放大层。 制造光电二极管的方法包括以下步骤：在衬底上形成第一载流子放大层; 在所述第一载流子放大层上形成光子吸收层; 以及在所述光子吸收层上形成第二载流子放大层。 根据本发明的实施例，可以通过使用两种载体两者放大信号来提高电压增益和光子检测的可靠性。