公开(公告)号：KR1020130133986A

公开(公告)日：2013-12-10

申请号：KR1020120057164

申请日：2012-05-30

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 전동환 ,  김창주 ,  허종곤 ,  김영조 ,  박원규

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/06 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/042 ,  H01L31/06 ,  H01L31/18

Abstract: The invention relates to a horizontal electrode structure solar cell and manufacturing method thereof which produces the most optimized horizontal electrode structured solar cell, avoid the influence by structural deformity where the lattice misfits the dislocation of the growth regulator, and substrate is generated. The horizontal electrode structure solar cell of the present invention has an effect to increase the efficiency because the reduction does not occur since the carrier is not transmitted in the misfit dislocation layer, and the efficiency is improved by the influence of the deformity of the solar cell of which a thin film is included. The invention also comprises a wide band gap layer formed on the upper part of the thin film and the ohmic layer, the first electrode formed at the upper part of the wide band gap layer into a predetermined thickness and the device layer, and the second electrode formed in the upper part of the device of the ohmic layer. At the same time, the lattice mismatch substrate including the substrate formed on the substrate, and the lattice of the misfit dislocation of the lattice constants are included in the present invention. [Reference numerals] (130) Misfit dislocation layer;(150) Ohmic layer;(160) Device layer;(170,180) Electrode

Abstract translation: 本发明涉及一种水平电极结构太阳能电池及其制造方法，其制造最优化的水平电极结构太阳能电池，避免了晶格不适于生长调节器位错的结构变形的影响，产生了基板。 本发明的水平电极结构太阳能电池具有提高效率的效果，因为不会在不匹配位错层中传输载体而不发生还原，并且通过太阳能电池的畸变的影响来提高效率 其中包括薄膜。 本发明还包括形成在薄膜的上部和欧姆层上的宽带隙层，形成在宽带隙层的上部的第一电极和装置层，以及第二电极 形成在欧姆层的器件的上部。 同时，包括形成在基板上的基板的晶格失配基板和晶格常数的失配位错的晶格包括在本发明中。 （130）不匹配位错层;（150）欧姆层;（160）器件层;（170,180）电极

公开(公告)号：KR101043343B1

公开(公告)日：2011-06-21

申请号：KR1020080136539

申请日：2008-12-30

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 허종곤 ,  신흥수 ,  장민철

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/28

Abstract: 본 발명은 네거티브 포토레지스트를 이용하여 에어브릿지를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 에어브릿지 제조방법은 기판 상에 복수의 하부 전극을 형성하고, 기판 상에 복수의 하부 전극이 함께 덮이도록 네거티브 포토레지스트로 이루어진 제1감광막을 도포한다. 그리고 적어도 2개의 하부 전극 표면이 노출되도록 제1감광막을 패터닝한 후, 패터닝된 제1감광막의 측벽이 포지티브 슬로프를 갖도록, 제1감광막을 하드 베이킹한다. 그리고 포지티브 슬로프를 갖는 제1감광막 상에 금속 시드층을 형성하고, 금속 시드층 상에 제2감광막을 형성한 후, 제2감광막을 패터닝한다. 그리고 시드 금속층 상에 전도성 물질을 증착하여 에어브릿지를 형성하고, 제1감광막, 제2감광막 및 제1감광막과 제2감광막 사이에 형성된 금속 시드층을 제거한다.
에어브릿지, 네거티브 포토레지스트, 하드 베이킹, 아세톤, 포지티브 슬로프

公开(公告)号：KR1020100078312A

公开(公告)日：2010-07-08

申请号：KR1020080136539

申请日：2008-12-30

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 허종곤 ,  신흥수 ,  장민철

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/28194 ,  G03F7/168 ,  G03F7/70475 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/3205

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing an air-bridge using a negative photo-resist is provided to economically manufacture the air-bridge by simply removing a first photo-resist film, a second photo-resist film, and a metal seed layer through one process. CONSTITUTION: A first photo-resist, which is composed of a negative photo-resist, is applied on a substrate. The first photo-resist film is pattered to expose the surface of at least two lower electrodes(321, 325). The first photo-resist film is hard-baked. A metal seed layer(340) is formed on the first photo-resist film including a positive slope. A second photo-resist film is formed on the metal seed layer. The second photo-resist film is patterned. An air-bridge is formed on the metal seed layer by depositing a conductive material. The metal seed layer is removed.

Abstract translation: 目的：提供一种使用负光致抗蚀剂制造空气桥的方法，通过简单地通过一个方法去除第一光致抗蚀剂膜，第二光致抗蚀剂膜和金属种子层来经济地制造空气桥 。 构成：将由负光致抗蚀剂构成的第一光致抗蚀剂施加在基板上。 第一光致抗蚀剂膜被图案化以暴露至少两个下电极（321,325）的表面。 第一光致抗蚀膜被硬烘烤。 在包括正斜率的第一光致抗蚀剂膜上形成金属种子层（340）。 在金属种子层上形成第二光致抗蚀剂膜。 第二光刻胶膜被图案化。 通过沉积导电材料在金属籽晶层上形成空气桥。 去除金属种子层。

公开(公告)号：KR101582349B1

公开(公告)日：2016-01-05

申请号：KR1020140139834

申请日：2014-10-16

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 허종곤 ,  전동환 ,  박원규 ,  박진홍 ,  임정우 ,  유광위

IPC: H01L31/054 ,  H01L31/04 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 본발명은확장된광흡수영역을포함하는태양전지및 그제조방법에관한것으로서, 제1 기판을기초로생성된제1 셀, 제2 기판을기초로생성되고, 상기제1 셀보다수평면적이확장되어확장영역을갖는제2 셀, 및상기제1 셀과상기제2 셀을접착하는하나이상의본딩금속을포함하되, 상기제2 셀은상기확장영역을통해직접태양광을흡수하는것을특징으로한다. 본발명에따르면확장된광흡수영역을통해광입자를흡수함으로써, 본딩금속의면적및 하부셀결함에의해발생하는전류량손실을개선할수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种包括扩展光吸收区域的太阳能电池及其制造方法。 太阳能电池包括基于第一基板产生的第一单元，基于第二基板生成的具有比第一单元延伸的水平面以具有延伸区域的第二单元，以及至少一个键合金属 第一个细胞和第二个细胞。 第二个细胞通过延伸区直接吸收阳光。 根据本发明，通过扩展的光吸收区域吸收光子。 由此，可以提高接合金属的面积和由下部电池缺陷产生的电流的损失。

公开(公告)号：KR101441634B1

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：KR1020120057159

申请日：2012-05-30

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 전동환 ,  김영조 ,  허종곤 ,  박원규

IPC: H01L31/02 ,  H01L31/042 ,  H01L31/06 ,  H01L33/02

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 본 발명은 임의의 기판 위에 버퍼를 사용하는 경우, 격자 결함이 많이 형성되는 영역에 터널 다이오드를 형성하여 격자 결함으로 인한 소자 성능 저하를 최소화할 수 있는 광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 광소자는 기판과, 상기 기판 상에 형성되며, 상기 기판과 격자 상수의 차이가 있어 격자 불일치 전위(misfit dislocation)를 포함하는 박막과, 상기 격자 불일치 전위 영역이 저항으로만 동작하도록 상기 격자 불일치 전위를 포함하는 박막의 상부에 형성되는 터널 다이오드와, 상기 터널 다이오드 상부에 형성되는 소자층과, 상기 기판의 하부에 형성되는 하부 전극과, 상기 소자층 상에 형성된 상부 전극을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR101419533B1

公开(公告)日：2014-07-14

申请号：KR1020120157977

申请日：2012-12-31

Applicant: (재)한국나노기술원 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 박원규 ,  허종곤 ,  전동환 ,  박진홍 ,  심재우

IPC: H01L21/26 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/3221 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/28512 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/324 ,  H01L29/45

Abstract: 본 발명은 반도체 소자에서 접합 영역에서의 결함을 치유하기 위한 방법에 관한 것으로서, 기판 상에 p-Ge층을 성장시키고, 상기 p-Ge층 상층에 이온 임플란테이션을 통해 n+ Ge 영역을 형성하거나, p-Ge층 상층에 인시츄 도핑후 에칭하여 n+ Ge 영역을 형성하거나 또는 상기 p-Ge층 상층에 산화막을 증착시켜 패터닝 후 에칭하고 인시츄 도핑하여 n+ Ge층을 형성한 후, 캡핑용 산화막을 형성한 후 600℃~700℃에서 1시간 내지 3시간동안 열처리를 수행하여 전극을 증착시키는 공정을 포함하여 이루어지는 것으로, 열처리 공정을 통해 n+/p 졍션(junction)에서의 Ge 결함을 치유하고, 열처리를 통해 깊어진 졍션을 상대적으로 줄일 수 있어 누설 전류를 최소화하여 반도체 소자의 특성을 향상시키고, 반도체 소자의 고집적화 및 미세화 실현에 더욱 유용한 이점이 있다.

公开(公告)号：KR101286254B1

公开(公告)日：2013-07-15

申请号：KR1020110075575

申请日：2011-07-29

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 허종곤 ,  김영조 ,  우종창 ,  전동환 ,  박원규 ,  고철기

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/288

Abstract: 본 발명은 반도체 전기 도금용 장치에 보조적인 웨이퍼 홀더 장치를 거치하여 웨이퍼(기판)를 고정해주는 장치에 관한 것으로, 웨이퍼(기판)를 고정하고, 웨이퍼(기판) 크기에 따라 상이한 길이를 가지며, 웨이퍼(기판) 크기에 따라 교체 장착 하는 금속 전극, 웨이퍼(기판)와 결합하는 웨이퍼(기판) 거치 홈 및 웨이퍼(기판) 거치 홈과 이어져 금속 전극 폭에 대응되게 생성된 전극 거치 홈을 포함하는 홀더 기판, 전극 거치 홈에 위치하고, 금속 전극과 홀더 기판을 결합하는 전극 결합 부재를 포함하는 것을 특징으로 한다.
나아가, 웨이퍼(기판)를 고정하는 전극은 전극 팁을 더 포함하고 있는데, 전극 팁은 전극 끝 부분에 위치하며, 집게 또는 클립 형태로 이루어져 있고, 하방으로 절곡되어 웨이퍼(기판)를 압박하여 고정해준다.
또한, 금속 전극은 전극 결합 부재의 지름과 대응되는 폭을 가지고 수평 또는 수직의 길이 방향으로 장공을 포함하거나, 전극 팁이 구성되어 있는 전극 측면에 전극 팁을 수용하는 팁 수용 홈을 포함함으로써 전극의 길이를 조절하여 웨이퍼(기판)를 고정하면서 웨이퍼(기판)와 접촉한다.

公开(公告)号：KR1020130057647A

公开(公告)日：2013-06-03

申请号：KR1020110123500

申请日：2011-11-24

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 전동환 ,  허종곤 ,  김영조 ,  박원규 ,  박상혁

IPC: H01L31/043

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/043

Abstract: PURPOSE: A multi-junction solar cell having an electric current matching structure is provided to increase the generation of current by using cells and apertures. CONSTITUTION: A second solar cell(103) is formed on a substrate. A first solar cell(105) is formed on the second solar cell. An aperture part(201) sends sunlight to the second solar cell. The aperture part is formed in a part of the first solar cell. The aperture part penetrates from the first solar cell to the second solar cell. [Reference numerals] (AA) Sunlight

Abstract translation: 目的：提供具有电流匹配结构的多结太阳能电池，以通过使用电池和孔来增加电流的产生。 构成：在基板上形成第二太阳能电池（103）。 在第二太阳能电池上形成第一太阳能电池（105）。 孔部（201）将太阳光发送到第二太阳能电池。 开口部形成在第一太阳能电池的一部分中。 开口部分从第一太阳能电池穿透到第二太阳能电池。 （附图标记）（AA）阳光

公开(公告)号：KR101193810B1

公开(公告)日：2012-10-23

申请号：KR1020110096960

申请日：2011-09-26

Applicant: (재)한국나노기술원

Inventor： 전동환 ,  허종곤 ,  박원규 ,  박진홍

IPC: H01L31/047 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/047 ,  H01L31/18

Abstract: PURPOSE: A multi-junction solar cell and a manufacturing method thereof are provided to prevent the reduction of a lifetime of a carrier by bonding a substrate after grid matched materials are grown on heterogeneous substrates. CONSTITUTION: A first solar cell layer(12) is deposited or grown on a first base substrate. A second base substrate(20) is made of materials which are different from the first base substrate. A second solar cell layer(22) is deposited or grown on the second base substrate. A bonding layer(30) bonds an ohmic layer formed on the first solar cell layer or the first base layer to an ohmic layer formed on the second solar cell layer or the second base layer.

Abstract translation: 目的：提供一种多结太阳能电池及其制造方法，以防止在异质基板上生长栅格匹配材料之后通过接合基板来降低载体的寿命。 构成：第一太阳能电池层（12）沉积或生长在第一基底上。 第二基底（20）由与第一基底不同的材料制成。 在第二基底衬底上沉积或生长第二太阳能电池层（22）。 接合层（30）将形成在第一太阳能电池层或第一基极层上的欧姆层与形成在第二太阳能电池层或第二基极层上的欧姆层接合。