一种半球谐振陀螺组合结构及装配方法

    公开(公告)号:CN118111406A

    公开(公告)日:2024-05-31

    申请号:CN202311714703.6

    申请日:2023-12-14

    Abstract: 本发明公开了一种半球谐振陀螺组合结构及装配方法。所述半球谐振陀螺组合结构包括:结构台体、半球谐振陀螺、气嘴、吸气剂底座,所述的结构台体包括三个陀螺安装腔、一个吸气剂底座安装腔、一个气嘴安装腔,五个所述安装腔之间为连通结构,三个陀螺安装腔相互正交分布,吸气剂底座安装腔和气嘴安装腔分别置于陀螺安装腔的两侧,三只半球谐振陀螺表头、气嘴、吸气剂底座密封安装于对应安装腔中。本发明不仅结构简单,有效地避免了陀螺多次安装之间出现的模型误差,减少陀螺标定次数,实现了小型化、轻质化设计,并有效降低成本。

    半球谐振子变厚度金属膜层镀制装置和方法

    公开(公告)号:CN117305766A

    公开(公告)日:2023-12-29

    申请号:CN202311235317.9

    申请日:2023-09-22

    Abstract: 本发明公开了一种半球谐振子变厚度金属膜层镀制装置和方法,所述装置包括公转平台(1)、升降杆(2)、自转平台(3)、半球谐振子夹具(4)及掩膜遮挡版(7)。所述自转平台(3)安装在公转平台(1)上,由公转平台(1)带动自转平台(3)移动和定位;所述升降杆(2)安装在自转平台(3)上,自转平台(3)带动升降杆(3)作自转运动;所述升降杆(2)上端连接半球谐振子夹具(4),升降杆(2)带动半球谐振子夹具(4)升降运动;所述半球谐振子夹具(4)用于加持固定于半球谐振子下部支撑杆;所述掩膜遮挡板(7)位于半球谐振子夹具(4)上方,所述掩膜遮挡板(7)上有三个工位,第一工位(7‑1)用于半球谐振子内球面上膜层镀制,第二工位(7‑2)用于半球谐振子唇沿位置膜层镀制,第三工位(7‑3)用于半球谐振子支撑杆上部分膜层的二次镀制。本发明极大提高了镀膜效率,降低了金属膜层对半球谐振子振动性能的影响。

    一种微半球谐振子核心振动参数性能测试系统

    公开(公告)号:CN117490720A

    公开(公告)日:2024-02-02

    申请号:CN202311301758.4

    申请日:2023-10-09

    Abstract: 本发明公开了一种微半球谐振子核心振动参数性能测试系统,微半球谐振子(1)固定在旋转平台(2)上;激励电控装置(6)用于固定激励探针(3)和控制激励探针(3)的移动;多普勒激光测振仪(4)位于真空室(5)外,发出的激光束通过真空室观察窗(7)照射至微半球谐振子(1)唇缘区域法线位置。使用激励电控装置(6)将激励探针(3)移动抵触至微半球谐振子球面,使之产生一定形变后控制激励探针(3)离开微半球谐振子球面,多普勒激光测振仪(4)检测微半球谐振子(1)的振动并采集实时信号,通过USB示波器测量微半球谐振子谐振频率和品质因数。本发明采用探针激励可以实现未镀膜和镀膜微半球谐振子的激励和检测,以克服常规的电极激励在未镀膜谐振子上无法使用的困难。

    用于降低半球谐振陀螺控制电路1/f噪声的滤波电路及方法

    公开(公告)号:CN120074444A

    公开(公告)日:2025-05-30

    申请号:CN202411960052.3

    申请日:2024-12-30

    Abstract: 本发明提供了一种用于降低半球谐振陀螺控制电路1/f噪声的滤波电路及方法,反相单极点高通滤波器包括CMOS斩波稳定放大器A1、电阻R1‑R3和电容C1,半球谐振陀螺的模拟信号分别经电阻R1和R2后分别连接至放大器A1的同相输入端和反相输入端,电容C1与放大器A1的同相输入端连接;电阻R3分别连接至放大器A1的反相输入端和输出端;电压抵消电路包括电阻R4和R5、电容C2和CMOS斩波稳定放大器A2,放大器A1的输出端经电阻R5和电容C2后连接至放大器A2的同相输入端,电阻R4的两端分别连接至放大器A1的反相输入端和放大器A2的同相输入端,放大器A2的反相输入端和输出端连接至信号输出端。本发明的滤波电路可有效避免1/f噪声对低频下陀螺角速率的影响,提升角速率检测精度。

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